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最新专利技术
  • 半导体元件的制备方法
    半导体元件的制备方法_南亚科技股份有限公司_202510075900.0
    本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一载体；形成具有一开口的一下支撑层在该载体上方；形成一第一电极在该开口内，其中该第一电极具有远离该载体的一上表面；形成邻接该第一电极的该上表面的一上支撑层；以及形成一电容器介电质以及一第...
    2026-01-27
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202510276642.2
    根据实施例的半导体存储器装置包括半导体图案、在半导体图案上沿第一方向延伸的栅电极、电连接到半导体图案的数据存储元件以及沿与第一方向相交的第二方向与栅电极相邻的间隔件。半导体图案包括与位线相邻的第一杂质区、与数据存储元件相邻的第二杂质区以及在...
    2026-01-27
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202510299041.3
    一种半导体存储器器件包括存储单元阵列、多条全局位线、多条局部位线和屏蔽结构。位于半导体衬底上的存储单元阵列包括多个存储单元。多条全局位线在与半导体衬底的顶表面垂直的第一方向上位于存储单元阵列的上方，在与半导体衬底的顶表面平行的第二方向上布置...
    2026-01-27
  • 三维半导体器件
    三维半导体器件_三星电子株式会社_202510610420.X
    一种三维半导体器件可以包括：半导体图案，在平行于基板的底表面的第一方向上延伸；字线，围绕半导体图案的一部分并在平行于基板的底表面且与第一方向正交的第二方向上延伸；位线，在半导体图案的第一侧表面上并在垂直于基板的底表面的第三方向上延伸；电容器...
    2026-01-27
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202510875511.6
    提供一种容易微型化的半导体装置。提供一种能够高集成化的半导体装置。第一绝缘层具有开口，第一导电层沿着开口设置，第三绝缘层沿着第一导电层设置，第二导电层位于第三绝缘层的凹部内，第二绝缘层位于第二导电层上且具有到达第二导电层的狭缝，第三导电层位...
    2026-01-27
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202510928232.1
    提供一种易于微型化的半导体装置及半导体装置的制造方法。该半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层及晶体管。晶体管包括第一导电层、第二导电层、第一半导体层、第三绝缘层及第三导电层。第一绝缘层位于第一导电层上并具有到达第一导电层的狭缝，第二导电层位...
    2026-01-27
  • 一种半导体结构
    一种半导体结构_福建省晋华集成电路有限公司_202511251477.1
    一种半导体结构，包括衬底，设置在所述衬底上的多条位线，多条位线沿着第一方向延伸并且沿着第二方向平行排列。多个绝缘插塞以及多个第一间隔物交替设置在位线之间。还包括：交替设置在位线之间的多个导电插塞以及多个第二间隔物。绝缘插塞和第一间隔物排布在...
    2026-01-27
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511619525.8
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括位元线结构、第一介电层、第一栅极结构、第一位元线、第二介电层和第一存储栅极结构。第一介电层设置在位元线结构上方。第一栅极结构埋设在第一介电层中。第一字元线埋设于第一介电层中且环绕第一栅极结...
    2026-01-27
  • 一种半导体存储器件及其制作方法、电子设备
    一种半导体存储器件及其制作方法、电子设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511649282.2
    本申请涉及半导体领域，公开了一种半导体存储器件及其制作方法、电子设备，包括提供堆叠结构，堆叠结构包括沿第一方向间隔设置的多个牺牲层、以及沿与第一方向垂直的第二方向间隔排列的多个字线接触孔，每个字线接触孔贯穿堆叠结构，每个字线接触孔内填充隔离...
    2026-01-27
  • 三维存储器器件及其形成方法
    三维存储器器件及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202511286863.4
    在某些方面中，一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构和与第一半导体结构键合的第二半导体结构。第一半导体结构包括NAND存储器串的阵列、与NAND存储器串的阵列的源极端接触的半导体层、与半导体层对准的非导电层、以及非导电层中的接触结构。...
    2026-01-27
  • 闪存器件及其制作方法
    闪存器件及其制作方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511429804.8
    本发明提供一种闪存器件及其制作方法中，在刻蚀所述栅极叠层，形成浮栅和控制栅的同时，继续刻蚀部分厚度的衬底，保证后续形成源漏区低于沟道表面，改善共位线接触孔相邻行的编程串扰，且该制作工艺上可以无需新增掩膜，且可以通过调整轻掺杂源漏区的离子注入...
    2026-01-27
  • 存储器件
    存储器件_三星电子株式会社_202510948460.5
    一种存储器件包括：单元区域，存储单元阵列设置在该单元区域中；和外围电路区域，与单元区域至少部分地垂直重叠。外围电路区域包括第一子外围电路区域以及与第一子外围电路区域至少部分地垂直重叠的第二子外围电路区域。第一子外围电路区域的第一最下层间电介...
    2026-01-27
  • 半导体装置和制造半导体装置的方法
    半导体装置和制造半导体装置的方法_爱思开海力士有限公司_202510339117.0
    本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。半导体装置可以包括：栅极结构，该栅极结构包括交替层叠的绝缘层和导电层；狭缝结构，该狭缝结构延伸穿过栅极结构；沟道层，该沟道层延伸穿过栅极结构；第一数据存储层，该第一数据存储层围绕沟道层；第二数据存...
    2026-01-27
  • 一种具备顶部全局栅极线的三维铁电存储器及其制备方法
    一种具备顶部全局栅极线的三维铁电存储器及其制备方法_张沁言_202511470832.4
    本申请涉及存内计算存储器技术领域，尤其涉及一种具备顶部全局栅极线的三维铁电存储器及其制备方法。所述具备顶部全局栅极线的三维铁电存储器包括：中心栅极，沿相对于所述底部衬底的垂直方向延伸设置；半导体叠层结构，所述半导体叠层结构包括依次环所述中心...
    2026-01-27
  • 一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统
    一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统_新存科技(武汉)有限责任公司_202311784675.5
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统，该半导体器件包括多个存储单元、第一保护层、第二保护层和第三保护层，存储单元包括依次堆叠的第一电极、选通层、第二电极、相变层和第三电极；第一保护层围绕所述选通层的侧壁；第二保护层围绕所...
    2026-01-27
  • 一种半导体器件及其制备方法和存储系统
    一种半导体器件及其制备方法和存储系统_新存科技(武汉)有限责任公司_202311868203.8
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法和存储系统，该半导体器件包括至少一个存储块，所述存储块包括第一地址线、存储单元和保护层。第一地址线沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排列，所述第二方向与所述第一方向垂直；存储单元位于所述第一地址线沿第三方向...
    2026-01-27
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202511401913.9
    本申请公开了一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括衬底、多条第一导电线、防氧化层、氧化层、多条第二导电线和存储单元。多条第一导电线位于衬底上，防氧化层位于第一导电线的侧壁，氧化层位于相邻两条第一导电线之间，且位于防氧化层的表面。多条第...
    2026-01-27
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511523361.9
    一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介电层，所述层间介电层中形成有底部电极；在所述层间介电层及所述底部电极上依次形成刻蚀停止层和牺牲层；图案化所述牺牲层和所述刻蚀停止层，以形成暴露所述底部电极的...
    2026-01-27
  • 芯片封装结构及制备方法
    芯片封装结构及制备方法_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202511645019.6
    本申请公开了一种芯片封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域。该芯片封装结构包括：基板、第一芯片组、第二芯片组、支撑结构和塑封料。第一芯片组和第二芯片组固定连接在基板的同一侧表面，第一芯片组和第二芯片组均包括多个依次层叠的芯片。第一芯片组...
    2026-01-27
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511871947.4
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，衬底上形成有栅介质层；于栅介质层上依次形成高阻部件和第一掩膜层，第一掩膜层覆盖高阻部件和栅介质层，且第一掩膜层内形成有暴露部分高阻部件的第一开口；基于第一掩膜层刻蚀高阻部件及部分栅介质层...
    2026-01-27
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