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最新专利技术
  • 户外高压跌落式熔断器
    户外高压跌落式熔断器_左易电力设备有限公司_202511861898.6
    本申请涉及熔断器技术领域，提供一种户外高压跌落式熔断器，户外高压跌落式熔断器包括熔管和拉环；熔管上设置有运动标记；熔管用于承载熔体，并在熔体熔断时切断电路，以发生跌落；拉环设置于熔管；熔管包括管身、管帽及设置在管身两端的上动触头和下动触头；...
    2026-02-23
  • 一种离子推力器栅极组件的动态渐进式微放电抛光方法
    一种离子推力器栅极组件的动态渐进式微放电抛光方法_兰州空间技术物理研究所_202511470233.2
    本发明提供一种离子推力器栅极组件的动态渐进式微放电抛光方法，涉及空间电推进技术领域。该方法在离子推力器正常束流引出工况下，通过分阶段逐步提高栅极间电压与引出束流密度，诱导栅极表面可控微放电现象，利用微放电产生的局部高温等离子体对栅极孔边缘及...
    2026-02-23
  • 用于TM220高次模速调管的开敞式吸收腔及其制备方法和应用
    用于TM220高次模速调管的开敞式吸收腔及其制备方法和应用_中国科学院空天信息创新研究院_202511354496.7
    本公开提供一种用于TM220220高次模速调管的开敞式吸收腔及其制备方法和应用。其中，开敞式吸收腔设置于高次模速调管输出腔内TM120120模与TM210210模的磁场分布区域，包括框架结构以及填充于框架结构内的衰减材料体，其中，框架结构包...
    2026-02-23
  • 射线管组件、X射线发生器及检测设备
    射线管组件、X射线发生器及检测设备_深圳力能时代技术有限公司_202511236412.X
    本申请涉及X射线发生器技术领域，公开了一种射线管组件、X射线发生器及检测设备，射线管组件包括屏蔽壳、射线管、导热填充物、第一连接线和第二连接线。屏蔽壳包括主体和限位壁，主体设有容纳腔，限位壁设于容纳腔内，限位壁将容纳腔分隔形成沿第一方向排列...
    2026-02-23
  • 一种氧化物阴极
    一种氧化物阴极_安徽华东光电技术研究所有限公司_202511443961.4
    本发明公开了一种氧化物阴极，包括：阴极基体和涂覆在阴极基体上的阴极盐层，所述阴极盐层的成分包括氧化铝，所述阴极基体包括镍阴极筒，在阴极盐层中的氧化铝在预氧化时，镍与氧化铝之间会发生界面反应生成NiAl22O44，可显著降低界面应力，在后续的...
    2026-02-23
  • 气化器及离子源
    气化器及离子源_日新离子机器株式会社_202510908144.5
    本发明涉及一种气化器及离子源，其课题在于抑制喷嘴的堵塞，改善气化器的寿命。气化器(1)从固体材料(7)与含有氯的气体的反应生成物生成蒸气，该气化器(1)具有坩埚(2)及将坩埚(2)加热的加热器(5)。坩埚(2)具有：第一部位(31)，供导入...
    2026-02-23
  • 一种用于多弧离子镀设备的冗余式灯丝离子源及控制方法
    一种用于多弧离子镀设备的冗余式灯丝离子源及控制方法_常州夸克涂层科技有限公司_202511342361.9
    本发明公开了一种用于多弧离子镀设备的冗余式灯丝离子源及控制方法，涉及镀膜技术领域，设置于多弧离子镀设备的真空炉体内，包括多组灯丝组单元、协同供电模块、故障检测模块、智能切换模块、等离子体优化模块、余热保温单元、控制处理端和人机交互模块；多组...
    2026-02-23
  • 基于双脉冲与AI反馈控制的激光离子源系统及控制方法
    基于双脉冲与AI反馈控制的激光离子源系统及控制方法_西安聚能医工科技有限公司_202511764288.4
    本申请公开了基于双脉冲与AI反馈控制的激光离子源系统及控制方法，涉及等离子体技术领域，其中系统包括：第一激光器产生预烧蚀激光，在靶材上产生预等离子体；第二激光器产生主电离激光，照射在预等离子体产生主等离子体；智能控制单元从羽辉图像中提取空间...
    2026-02-23
  • 一种具有误差校正的多束带电粒子源装置
    一种具有误差校正的多束带电粒子源装置_中国科学院电工研究所_202511422036.3
    本发明涉及光电技术领域，具体涉及一种具有误差校正的多束带电粒子源装置。本发明中，采用带电粒子发射源、准直透镜、分束板以及静电透镜组件实现带电粒子束的分束，同时还设置了静电偏转器和位移台，用于改善装配误差给多束带电粒子源带来的多束束斑不一致的...
    2026-02-23
  • 电子探测装置和扫描电镜
    电子探测装置和扫描电镜_国仪量子技术(合肥)股份有限公司_202511459589.6
    本发明公开了一种电子探测装置和扫描电镜，涉及扫描电镜技术领域。装置包括：物镜，包括用于形成磁透镜的第一线圈和用于形成浸没磁场的第二线圈，第一线圈和第二线圈分别由第一极靴和第二极靴非闭合包裹，第一极靴具有轴向通道部，第二极靴具有锥形延伸部，锥...
    2026-02-23
  • 线圈组件的控制系统、控制方法及半导体检测设备
    线圈组件的控制系统、控制方法及半导体检测设备_东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司_202511384852.X
    本申请公开了一种线圈组件的控制系统、控制方法及半导体检测设备，控制系统包括：控制模块；可调电压源，可调电压源与线圈组件的第一端以及控制模块均电连接；反馈检测模块，反馈检测模块的第一端与线圈组件的第二端电连接，反馈检测模块的第二端与基准电压端...
    2026-02-23
  • 色散光学元件中减少的BOERSCH效应
    色散光学元件中减少的BOERSCH效应_FEI公司_202510928905.3
    本公开在各种实施例中描述了使用色散光学元件减少Boersch效应的系统、方法、算法和存储计算机可读指令的非易失性介质。带电粒子光学装置可以包括设置在束轴上的维恩滤光器。该维恩滤光器可以配置成通过色散平面中的能量使带电粒子束的粒子分散。该色散...
    2026-02-23
  • 电子显微镜及扫描设备
    电子显微镜及扫描设备_安徽泽攸科技有限公司_202511642894.9
    本申请涉及显微镜领域，尤其是涉及一种电子显微镜及扫描设备。电子显微镜包括透镜组件、样品仓和气流控制装置；所述透镜组件包括镜筒、隔离阀和物镜，所述隔离阀安装于所述镜筒与所述物镜之间，以连通或隔离所述镜筒与所述物镜；所述样品仓用于放置样品，且所...
    2026-02-23
  • 一种射频桶调谐装置及方法
    一种射频桶调谐装置及方法_青岛思锐智能科技股份有限公司_202511478237.5
    本发明公开了一种射频桶调谐装置及方法。射频桶调谐装置包括壳体，壳体内部形成空腔，壳体包括相互平行设置的顶板和底板，顶板和底板的内壁上设置有多个安装位，多个安装位用于安装四极透镜，顶板上设置有第一安装孔，第一安装孔与空腔连通，第一安装孔用于安...
    2026-02-23
  • 工艺气体的调节装置及工艺腔室
    工艺气体的调节装置及工艺腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202410907077.0
    本申请公开了一种工艺气体的调节装置及工艺腔室，涉及半导体领域。一种工艺气体的调节装置，应用于半导体工艺设备的工艺腔室，所述调节装置包括：装置本体；所述装置本体内设有进气通道、输气通道和多个出气通道，所述输气通道沿所述装置本体的周向环设于所述...
    2026-02-23
  • 反应腔室侧进气模块、半导体工艺设备和控制方法
    反应腔室侧进气模块、半导体工艺设备和控制方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410911039.2
    本发明提供了一种反应腔室侧进气模块和半导体工艺设备，涉及半导体工艺技术领域，以解决等离子体分布不均匀的问题。反应腔室侧进气模块包括喷嘴和调节机构，喷嘴具有喷气孔；调节机构包括调节件和调节驱动组件，调节驱动组件与调节件传动连接，调节件与喷嘴相...
    2026-02-23
  • 炉管反应腔结构和半导体的工艺方法和工艺设备
    炉管反应腔结构和半导体的工艺方法和工艺设备_上海稷以科技有限公司_202511394753.X
    本发明公开了一种炉管反应腔结构、半导体的工艺方法和工艺设备。该炉管反应腔结构包括：炉管本体，其外部轴向环绕复合线圈；复合线圈，并联连接交流电源和射频电源，复合线圈经由交流电源加热炉管本体，并经由射频电源使炉管本体内充满等离子体；高频过滤器，...
    2026-02-23
  • 半导体刻蚀用气体扩散板及气体控制方法
    半导体刻蚀用气体扩散板及气体控制方法_上海稷以科技有限公司_202511396341.X
    本发明提出了一种半导体刻蚀用气体扩散板及气体控制方法，该气体扩散板包括：金属扩散组件，其上设有沿Z向贯通金属扩散组件的金属孔；及石英扩散组件，设置于金属扩散组件的上表面，其包括上石英板、与上石英板连接的下石英板；上石英板，其上开设沿Z向贯通...
    2026-02-23
  • 一种减少刻蚀机内部沉积的装置和方法
    一种减少刻蚀机内部沉积的装置和方法_无锡达隆电子科技有限公司_202511421307.3
    本发明公开了一种减少刻蚀机内部沉积的装置和方法，包括刻蚀机本体，还包括：气旋屏蔽环，其内侧圆周上均匀开有若干个微型斜孔，从微型斜孔内排出的气体经过刻蚀机本体腔室内壁；自旋气路分配器，可绕气旋屏蔽环中心轴线进行低速旋转，其内部有一个空腔，朝向...
    2026-02-23
  • 计测装置、计测方法和真空处理装置
    计测装置、计测方法和真空处理装置_东京毅力科创株式会社_202511422108.4
    本发明提供不进行大气开放而高精度地计测处理容器内的状态的计测装置、计测方法和真空处理装置。计测装置包括：壳体，其形成有具有与真空处理装置的第二出入口对应的尺寸的开口部，能够在第二出入口气密地安装开口部，其中，真空处理装置在处理容器设置有用于...
    2026-02-23
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