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最新专利技术
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202511824097.2
    本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构由于在源极沟槽内填充了宽禁带介质层，使电场在横向和纵向上分布得更加均匀平坦，宽禁带介质层可以更精细地调制器件内部的电场，特别是栅极沟槽底部的电场峰值，使得栅极氧化层承受的...
    2026-01-21
  • 一种半导体器件及其形成方法
    一种半导体器件及其形成方法_安建科技有限公司_202410859269.9
    一种半导体器件及其形成方法，本发明涉及于半导体功率器件，为提高器件的可靠性及效能，本发明的通过设置上下两层P型盖层，下层的第一P型盖层的高浓度保证了器件的阈值电压可达到较高的数值，减低增强型器件被误开启的机会，上层第二P型盖层的厚度较薄，当...
    2026-01-21
  • 一种应用双漂移区和高K介质的金刚石MOSFET及其制备方法
    一种应用双漂移区和高K介质的金刚石MOSFET及其制备方法_复旦大学_202511391435.8
    本发明公开一种应用双漂移区和高K介质的金刚石MOSFET及其制备方法。该金刚石MOSFET包括：P+型掺杂的金刚石衬底；P‑漂移层，形成在P+型掺杂的金刚石衬底上；N‑漂移层，形成在P‑漂移层上；N型阻挡层，形成在P‑漂移层上；沟槽，其贯穿...
    2026-01-21
  • 一种半导体器件及半导体器件的制作方法
    一种半导体器件及半导体器件的制作方法_英诺赛科(珠海)科技有限公司_202511427124.2
    本发明实施例提供一种半导体器件及半导体器件的制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底；设置于所述衬底一侧的缓冲层；设置于所述缓冲层远离所述衬底一侧的沟道层；设置于所述沟道层远离所述衬底一侧的势垒层；设置于所述势垒层远离所述衬底一侧...
    2026-01-21
  • 一种高效能硅基氮化镓HEMT器件及制备方法
    一种高效能硅基氮化镓HEMT器件及制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511821865.9
    本发明提供了一种高效能硅基氮化镓HEMT器件及制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括：Si衬底、AlN成核层、GaN通道层、AlGaN势垒层、钝化层、栅极、源极以及漏极；AlN成核层设置在Si衬底上；GaN通道层设置在AlN成核层上；AlG...
    2026-01-21
  • 一种基于超薄氧化镓介电层的高性能MoS2晶体管及其制作方法
    一种基于超薄氧化镓介电层的高性能MoS2晶体管及其制作方法_中国科学院金属研究所_202410853287.6
    本发明涉及新型半导体器件的研发与应用领域，具体为一种基于超薄氧化镓介电层的高性能MoS2晶体管及其制作方法。该晶体管由底部氮化镓衬底、与氮化镓接触的钛/铝/钛/金叠层金属电极、超薄氧化镓介电层、二硫化钼沟道以及与二硫化钼相连的石墨烯电极和钛...
    2026-01-21
  • 一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511427134.6
    本申请公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆，半导体器件包括：半导体本体，包括元胞区和终端区，包括相对设置的第一表面和第二表面；元胞区设置的第一区域位于第一表面，阱区位于第一区域远离第一表面的一侧；元胞区的第一表面设置...
    2026-01-21
  • 一种抗单粒子辐射的LDMOS器件结构
    一种抗单粒子辐射的LDMOS器件结构_电子科技大学_202511457979.X
    本发明公开了一种抗单粒子辐射的LDMOS器件结构，属于半导体功率器件技术领域。该器件包括P型衬底、N型埋层、P型外延、N型深阱、P型深阱、STI浅槽隔离氧化层、栅氧化层、HTO氧化层、多晶硅、N型阱区、P型阱区、P型埋层、N型漂移区、P型体...
    2026-01-21
  • 一种具有部分HK耐压层的逆导型SiC槽栅MOSFET及其制备方法
    一种具有部分HK耐压层的逆导型SiC槽栅MOSFET及其制备方法_江苏东海半导体股份有限公司_202410850141.6
    本发明涉及功率半导体技术领域，具体为一种具有部分HK耐压层的逆导型SiC槽栅MOSFET及其制备方法，解决深P型电场屏蔽区形成JFET区增大比导通电阻、集成反并联肖特基二极管占用元胞面积的问题。本发明通过一个元胞内四个角上分别设置了深入Si...
    2026-01-21
  • 一种基于4H-SiC衬底的异质3C-SiC MOSFET器件及其制备方法
    一种基于4H-SiC衬底的异质3C-SiC MOSFET器件及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511372704.6
    本发明提供了一种基于4H‑SiC衬底的异质3C‑SiC MOSFET器件及其制备方法，该MOSFET器件包括：N型4H‑SiC衬底；位于N型4H‑SiC衬底上的N型4H‑SiC外延层；位于N型4H‑SiC外延层上的N型3C‑SiC外延层；位...
    2026-01-21
  • 沟槽栅器件
    沟槽栅器件_深圳尚阳通科技股份有限公司_202511448575.4
    本发明公开了一种沟槽栅器件，包括：第一和第二外延层。第二外延层作为第一耐压层，具有本征掺杂或者具有掺杂浓度低于第一外延层的第一导电类型掺杂。在第二外延层的顶部区域中形成有沟道区和纵向穿过沟道区的沟槽栅。在沟槽栅底部的第二外延层中形成有第一导...
    2026-01-21
  • 一种新式内置栅极电阻器结构的半导体功率器件及其制备方法
    一种新式内置栅极电阻器结构的半导体功率器件及其制备方法_赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司_202511815036.X
    本发明涉及一种新式内置栅极电阻器结构的半导体功率器件及其制备方法；半导体衬底的有源区设有栅极电解质层，栅极电解质层上设有多晶硅层，多晶硅层上设有第一连通孔，各第一连通孔设有温度系数热敏电阻，温度系数热敏电阻延伸至第一通孔外，多晶硅层和各温度...
    2026-01-21
  • 半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备
    半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202410869382.5
    本申请提供一种半导体器件、电子设备以及半导体器件的制备方法。涉及半导体技术领域。该半导体器件包括P型晶体管，该P型晶体管可以是垂直沟道晶体管；即P型晶体管的源漏极沿与衬底相垂直的方向设置，沟道层垂直设置在源漏极之间，源漏极包括硅和锗；本申请...
    2026-01-21
  • 一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法
    一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法_广州新视界光电科技有限公司_202511440585.3
    本发明提供一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，所述金属氧化物薄膜晶体管的有源层上设置有沟道保护层；所述沟道保护层为含有氧化钽和氧化锡的氧化物；薄膜晶体管的制备方法中有源层、沟道保护层可连续沉积，而且可以实现一道刻蚀图形化，操作简单，制备成本低...
    2026-01-21
  • 薄膜晶体管、阵列基板及显示面板
    薄膜晶体管、阵列基板及显示面板_武汉华星光电技术有限公司_202511640771.1
    本申请公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板，属于显示技术领域，薄膜晶体管包括遮光层、有源层、栅极、以及源漏极；遮光层与有源层在基底表面的正投影具有交接区；有源层包括：扩展部，位于交接区内；以及，主体部，连接扩展部；其中，扩展部的宽度，大...
    2026-01-21
  • 一种SiC横向JFET器件
    一种SiC横向JFET器件_苏州华太电子技术股份有限公司_202511553393.3
    本申请提供一种SiC横向JFET器件，包括：N型多晶SiC的衬底；P型多晶SiC的第一外延层，形成在衬底之上；P型SiC的第二外延层，形成在所述第一外延层之上；JFET结构层，形成在所述第二外延层内。本申请解决了传统的P型多晶碳化硅衬底的S...
    2026-01-21
  • 一种采用3C-SiC P区的MPS器件及其制备方法
    一种采用3C-SiC P区的MPS器件及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511372623.6
    本发明提供了一种采用3C‑SiC P区的MPS器件及其制备方法，该MPS器件包括：N型4H‑SiC衬底；位于N型4H‑SiC衬底上方的N型4H‑SiC外延层；在N型4H‑SiC外延层中分为3C‑SiC P区和4H‑SiC N区。本发明通过在...
    2026-01-21
  • 半导体器件的终端结构及其制造方法、半导体器件、功率模块、电力电子器件和车辆
    半导体器件的终端结构及其制造方法、半导体器件、功率模块、电力电子器件和车辆_比亚迪半导体股份有限公司_202410866923.9
    本发明公开了一种半导体器件的终端结构及其制造方法、半导体器件、功率模块、电力电子器件和车辆，半导体器件的终端结构，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，外延层在第一方向上位于衬底上；以及场限环结构，场限环结构在第一方向上位于外延层...
    2026-01-21
  • 一种超级结MOSFET器件结构及其制造方法
    一种超级结MOSFET器件结构及其制造方法_深圳争妍微电子有限公司_202511443477.1
    本申请涉及高分子材料技术领域，公开了一种超级结MOSFET器件结构及其制造方法，包括在半导体衬底上形成催化剂纳米点阵；随后，在一个单一、连续的外延生长过程中，通过高频次地交替执行N型脉冲和P型脉冲，实现N型半导体柱的催化剂引导生长与P型半导...
    2026-01-21
  • 一种树状仿生栅极结构、功率半导体芯片
    一种树状仿生栅极结构、功率半导体芯片_中国电力科学研究院有限公司_202511821679.5
    本发明提供了一种树状仿生栅极结构、功率半导体芯片，该结构包括栅pad区域，连接有电极引线；多个连接节点，分布在元胞区域内，用于连接其周围设定范围内的元胞栅；汇流结构；以栅pad区域为根节点，以连接节点为叶子节点，以汇流结构为枝条，连接呈树状...
    2026-01-21
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