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最新专利技术
  • 基于过零点检测的重复浪涌电流测试电路、方法及装置
    基于过零点检测的重复浪涌电流测试电路、方法及装置_合肥工业大学_202511355582.X
    本申请实施例公开了一种基于过零点检测的重复浪涌电流测试电路、方法及装置，该电路包括交流电压源、整流桥、过零点检测模块、DSP控制模块、第一驱动模块、第二驱动模块、电阻负载、IGBT模块和被测器件；交流电压源与整流桥以及过零点检测模块连接；过...
    2026-02-04
  • 一种用于总剂量效应测试的低漏电晶体管阵列芯片
    一种用于总剂量效应测试的低漏电晶体管阵列芯片_中国科学院新疆理化技术研究所_202511411711.2
    本发明涉及一种用于总剂量效应测试的低漏电晶体管阵列芯片，属于半导体器件辐射损伤定量测试器件技术领域，解决晶体管阵列芯片辐射敏感参数测试不准确的技术问题，其包括寻址模块、开关模块、待测晶体管、测试焊盘。寻址模块的输入端提供地址选择信号。寻址模...
    2026-02-04
  • 一种监测半导体器件老化状态的方法、设备及介质
    一种监测半导体器件老化状态的方法、设备及介质_苏州鑫达半导体科技有限公司_202511449989.9
    本发明公开了一种监测半导体器件老化状态的方法、设备及介质，涉及半导体器件监测技术领域，包括，利用耦合系数对电学参数进行声子散射补偿，生成电热融合特征集，对电热融合特征集与噪声信号进行联合时频分析，提取电热融合特征集与噪声信号的关联特征，并建...
    2026-02-04
  • 功率器件辐照试验全自动测试系统及方法
    功率器件辐照试验全自动测试系统及方法_湖南斯北图科技有限公司_202511512481.9
    本申请涉及一种功率器件辐照试验全自动测试系统及方法。系统包括：辐照测试板、三维移动平台、矩阵开关模块、半导体参数分析仪以及上位机；辐照测试板设有通用适配夹具，用于安装多种型号多个待测功率器件；辐照测试板固定于三维移动平台，三维移动平台带动其...
    2026-02-04
  • MOSFET单个缺陷对迁移率影响的测试方法和系统
    MOSFET单个缺陷对迁移率影响的测试方法和系统_中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))_202511519824.4
    本申请涉及半导体器件测试技术领域，公开了一种MOSFET单个缺陷对迁移率影响的测试方法和系统，该方法包括：将待测MOSFET器件的源极和衬底接地，栅极连接至可编程脉冲电压源，漏极连接至脉冲电流表；施加平稳脉冲至栅极以寻找漏极电流呈现随机电报...
    2026-02-04
  • 一种石英晶振耐高低温性能检测装置及检测方法
    一种石英晶振耐高低温性能检测装置及检测方法_合肥晶威特电子有限责任公司_202511537689.6
    本发明属于晶振性能测试技术领域，公开了一种石英晶振耐高低温性能检测装置及检测方法，包括调平板；调平板上的一组对边分别固定连接有支撑板；支撑板上部共同连接有一个固定板；固定板上表面依次设有隔温板、换热板、温控下板、温控上板以及晶振工装。本发明...
    2026-02-04
  • 一种高压MOSFET的全参数检测方法
    一种高压MOSFET的全参数检测方法_河北省网络安全和信息化技术中心_202511600241.4
    本发明公开一种高压MOSFET的全参数检测方法，涉及功率半导体器件领域。该高压MOSFET的全参数检测方法，包括以下步骤：样本预处理、静态参数与动态参数同步测试、热特性－动态参数耦合测试、多应力可靠性验证、微观缺陷实时溯源和数据融合分析。该...
    2026-02-04
  • 一种GaN半导体功率器件动态参数测试方法及系统
    一种GaN半导体功率器件动态参数测试方法及系统_合肥巨阙电子有限公司_202511728752.4
    本申请公开了一种GaN半导体功率器件动态参数测试方法及系统，涉及功率半导体器件测试技术领域，解决了现有技术现有的半导体功率器件测试方法中采用固定采样周期进行检测，导致半导体功率器件测试精度较低，无法准确对半导体功率器件进行测试的技术问题；获...
    2026-02-04
  • 一种用于碳化硅二极管的检测装置
    一种用于碳化硅二极管的检测装置_阜新飞宇电子科技有限公司_202511750293.X
    本发明涉及二极管检测技术领域，具体公开了一种用于碳化硅二极管的检测装置，包括：箱体、支架、输入轴、动力组件和第一齿轮，支架设置于箱体的顶端左侧，输入轴的底端通过轴承可转动的设置于箱体的内腔底端中部，动力组件设置于箱体的内腔底端左侧，动力组件...
    2026-02-04
  • 基于氮化镓功率器件的自适应双脉冲测试电路和方法
    基于氮化镓功率器件的自适应双脉冲测试电路和方法_洛阳理工学院_202511758173.4
    本申请涉及一种基于氮化镓功率器件的自适应双脉冲测试电路和方法。所述电路包括依序连接的驱动模块、功率回路以及信号采集模块，功率回路中配置有待测试的氮化镓功率器件，其中：驱动模块用于将单通道的控制信号转换为互补的栅极驱动信号对，并发送至功率回路...
    2026-02-04
  • 光电子半导体器件的缺陷分布检测方法
    光电子半导体器件的缺陷分布检测方法_浙江大学_202511491402.0
    本申请提出了光电子半导体器件的缺陷分布检测方法，包括：S1：向光电子半导体器件注入参数恒定的单一激发源；S2：光电子半导体器件在所述参数恒定的单一激发源下发光，获得发光强度分布图像以及发光强度分布中每个像素点的相对发光强度数据Φxy, re...
    2026-02-04
  • 测试工具
    测试工具_景硕科技股份有限公司_202410803353.9
    一种测试工具，包含探针层、第一树脂层、第一电路层、第二树脂层、第二电路层、防焊层及焊垫层。探针层包含多个探针。第一树脂层位于探针层上，且包含多个第一开口，第一开口对应于探针。第一电路层位于第一树脂层上，且与探针层连接。第二树脂层位于第一电路...
    2026-02-04
  • 一种检测系统级芯片的方法以及系统级芯片
    一种检测系统级芯片的方法以及系统级芯片_华为技术有限公司_202410807392.6
    本申请实施例公开一种检测系统级芯片的方法以及系统级芯片，能够根据芯片子系统的老化状态调整自检策略的等级，以提高检测系统级芯片的准确性。该方法包括：使用第一老化传感器获取第一芯片子系统的老化系数；确定第一芯片子系统的老化系数对应的第一失效率，...
    2026-02-04
  • 晶圆的测试方法
    晶圆的测试方法_华润润安科技(重庆)有限公司_202410818563.5
    本申请提供了一种晶圆的测试方法。晶圆包括多个阵列排布的芯片；芯片包括第一电极、栅极和第二电极；各芯片的第二电极相连；芯片正向导通时，电流从第一电极流向第二电极。测试方法包括：确定晶圆中测试芯片及辅助芯片的位置；向测试芯片的栅极施加开启电压使...
    2026-02-04
  • 测试方法、装置、电子设备及可读介质
    测试方法、装置、电子设备及可读介质_龙芯中科技术股份有限公司_202511164162.3
    本发明实施例提供一种测试方法、装置、电子设备及可读介质，涉及集成电路技术领域，该方法中，在当前测试流程中，基于至少两个目标测试文件各自携带的裸片标识，识别各裸片的目标测试文件。对于任一裸片，获取裸片的目标测试文件携带的关系配置信息。基于关系...
    2026-02-04
  • 一种基板布线开路缺陷定位方法、设备及介质
    一种基板布线开路缺陷定位方法、设备及介质_苏州通富超威半导体有限公司_202511445443.6
    本公开实施例提供了一种基板布线开路缺陷定位方法、设备及介质，方法包括：当确定坏品的目标信号线存在开路缺陷时，利用时域反射仪分别对坏品的目标信号线和对应的好品的目标信号线的同一测试端进行测试，得到坏品的目标信号线走线截止对应的第一反射时间以及...
    2026-02-04
  • 一种具有智能定位功能的PCB板用检测设备
    一种具有智能定位功能的PCB板用检测设备_及强(上海)智能科技有限公司_202511464683.0
    本发明公开了一种具有智能定位功能的PCB板用检测设备，涉及电路板检测技术领域，包括机箱、驱动单元、清洁单元、定位单元与保持单元，其中机箱用于安装固定驱动单元、清洁单元、定位单元与保持单元，驱动单元用于提供动力源，清洁单元用于探针每次检测前的...
    2026-02-04
  • 探针卡的测试电路的确定方法及探针卡测试系统
    探针卡的测试电路的确定方法及探针卡测试系统_上海道格特科技有限公司_202511466141.7
    本发明公开了一种探针卡的测试电路的确定方法及探针卡测试系统，该方法包括基于待测电路板的待测电路区域确定测试电路；基于测试电路制造柔性电路板；将柔性电路板与待测电路区域电连接，形成探针卡电路板；当包括探针卡电路板的探针卡放置于探针卡测试设备的...
    2026-02-04
  • PCB低阻测试方法、装置、电子设备和存储介质
    PCB低阻测试方法、装置、电子设备和存储介质_广州广合科技股份有限公司_202511502497.1
    本发明公开了PCB低阻测试方法、装置、电子设备和存储介质，将待测试电路网络中各导体的制程尺寸偏差值代入电阻定律公式计算电阻偏差值作为各导体的补偿因子，采用补偿因子对低阻测试法中的各导体的理论电阻值补偿，获得待测试电路网络的标准电阻值范围，基...
    2026-02-04
  • 一种后道工艺可靠性的可寻址测试电路及测试方法
    一种后道工艺可靠性的可寻址测试电路及测试方法_上海交通大学_202511577615.5
    本发明涉及一种后道工艺可靠性的可寻址测试电路及测试方法，该电路包括：寻址电路，用于接收二进制地址信号并进行译码，生成多个选通信号；开关电路，与所述寻址电路连接，被配置为响应于所述选通信号，将输入测试信号选传输到对应的输出线；待测阵列，包括多...
    2026-02-04
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