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  • 本申请涉及太阳电池技术领域,特别是涉及一种太阳电池及制作方法。该太阳电池包括电池本体和焊盘。电池本体的表面设有沿第一方向延伸的电极。焊盘设于电极上,焊盘包括沿第一方向间隔设置的多个,多个焊盘通过导电件相互形成电性连接。上述太阳电池在自身电极...
  • 本申请涉及一种汇流结构、光伏组件及其制备方法。该汇流结构设置于光伏组件中相邻两个电池串之间,汇流结构包括:粘接层,粘接固定于光伏组件的背板部件;导电层,设置于粘接层上,并电连接相邻两个电池串的汇流条;以及反光层,设置于导电层上,用于对照射于...
  • 本申请涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。该太阳能电池,包括硅衬底、汇流栅线、集电栅线以及搭接结构。汇流栅线设置在硅衬底的表面上。集电栅线设置在硅衬底的表面上且与汇流栅线相交。搭接结构设置在集电栅线与汇流栅...
  • 本发明适用于光伏组件技术领域,提供了一种太阳能电池、太阳能电池组件及光伏系统,其包括硅基板,硅基板的表面交替设置有若干栅线,栅线通过至少一排焊接介质与焊带连接,焊接介质沿第一方向包括多个焊接介质点,焊带至少部分覆盖焊接介质点,焊带还通过若干...
  • 本发明属于深紫外光电探测器技术领域,具体涉及基于Lu2O3/NSTO异质结的自适应光响应自供电深紫外探测器及在电晕成像的应用。本发明首先制备一种Lu2O3/NSTO异质结,然后通过外置电场调控Lu2O3/NSTO异质结界面缺陷对电子的俘获及...
  • 本发明涉及一种基于氮化铝的真空紫外探测器及其制备方法。所述真空紫外探测器包括底电极、衬底、氮化铝层、二维半导体材料层和顶电极,所述底电极设于衬底下方,所述氮化铝层设于衬底上方,所述二维半导体材料层底端与氮化铝层相接,所述二维半导体材料层顶端...
  • 本发明属于宽禁带半导体光电探测器件技术领域,涉及一种金属钼衬底上的垂直结构GaN基p‑i‑n型紫外探测器。采用金属钼作为衬底,在金属钼衬底的上表面有图形化背电极层,在图形化背电极层未覆盖的金属钼衬底的上表面有钼扩散阻挡层,在图形化背电极层和...
  • 本发明公开了一种高探测效率的单光子雪崩探测器及其制备方法,该单光子雪崩探测器包括至下而上依次设置的半绝缘衬底、n+InGaAs衬底外延层、n+InAlAs衬底外延层、i : InAlAs外延倍增层、p+InAlAs电荷层、InAlAs/In...
  • 本申请提供一种雪崩光电探测器及其制备方法和应用,所述雪崩光电探测器包括依次层叠设置的电子收集层、光吸收层、雪崩倍增层、空穴收集层;所述空穴收集层的材料包括P型氧化物;所述雪崩倍增层的材料包括N型(AlxGa1‑x)2O3,其中,0.05≤x...
  • 本申请公开了一种双结型晶体管光电探测器,涉及光电转换技术领域。光电探测器包括由下至上依次布置的衬底层、第二N型半导体层、第一N型半导体层和P型半导体层,第二N型半导体层的两侧设有第一电极层和第二电极层,P型半导体层、第一N型半导体层和第二N...
  • 本发明公开了一种基于可调石墨烯探测器的波导集成红外光谱芯片,属于传感器技术领域,包括从底层到顶层依次设置的硅基底、光波导、二氧化硅层、石墨烯层、氧化铝层和ITO层,以及电极S、电极D和电极G;所述石墨烯层两端分别与电极S、电极D连接,ITO...
  • 本申请公开了一种红外芯片与读出电路的底部填充方法及系统,涉及红外探测器技术,包括:气瓶,与毛细管连接,提供气流;毛细管,包围红外芯片与读出电路整体各边、贴合,且在所述红外芯片与读出电路整体结构的四边中的至少一条边上的毛细管内填充有填充物,另...
  • 本发明提供的一种显示面板、显示装置和感光晶体管的制备方法,显示面板括感光晶体管包括第一类型掺杂部、第二类型掺杂部、本征区。本征区包括光透过区;其中,沿平行于本征区所在平面,光透过区在本征区中的面积占比为N,50%<N≤100%。本申请有利于...
  • 本发明涉及一种在芯片表面感光功能区域黏贴T透明玻璃,将芯片正面有效区域保护起来,且不影响芯片感光信号的输出,同时由于黏贴结合面所用DAF材料特性较软,同时塑封后T型玻璃两侧下方与感光芯片之间有塑封料硬支撑,因此机械研磨时T型玻璃不会下沉,从...
  • 本发明公开了一种图像传感器芯片板级扇出型封装结构及封装方法,该封装结构包括:介电封装芯片单元,包括图像传感器芯片和透明介电保护层,透明介电保护层设置于图像传感器芯片上,且其对应图像传感器芯片的导电端子的位置具有导电通孔;塑封体,包覆介电封装...
  • 本发明公开了一种影像传感芯片多功能板级封装结构及其制作方法,该封装结构包括:功能芯片;围堰式芯片单元,包括透明基板、围堰结构和影像传感芯片,影像传感芯片的正面具有感光区和焊盘,透明基板覆盖于感光区上方,透明基板与影像传感芯片之间设有围堰结构...
  • 本发明描述了一种用于图像传感器的半导体结构,包括:半导体基底,设置有按行方向及列方向分布的若干像素单元,像素单元包括以n×n结构布局且具有相同颜色的像素块,其中,n为大于等于2的整数;电容层,位于半导体基底上方,电容层设置有若干与像素单元相...
  • 本公开涉及高动态范围像素。一种像素包括具有旨在接收光的表面的光敏元件以及布置在光敏元件的表面上方的滤光器。滤光器包括由相变材料制成的图案和限定在滤光器的导电层中的加热元件。加热元件的温度确定相变材料的温度。用于像素的控制电路控制加热元件的温...
  • 本发明提供一种图像传感器的微透镜结构及其形成方法,包括:衬底上自下而上依次形成有光电二极管层、钝化层、彩色滤光片阵列层、平坦层和微透镜层;一个像素上方对应分布一个微透镜阵列单元。本发明微透镜阵列单元为一体结构形成的相连接的多个子透镜,制作工...
  • 本发明涉及一种硅基锗短波红外图像传感器及其制造方法,该传感器包括硅衬底、硅层、锗层、钝化层、第一电极、第二电极和读出电路。设有第一和第二二极管区域,硅层位于第一二极管区域上方。锗层设置于硅衬底和硅层之上,形成台面结构,其底面与硅衬底及硅层上...
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