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最新专利技术
  • 有机膜形成用组成物、有机膜形成方法、图案形成方法及聚合物
    有机膜形成用组成物、有机膜形成方法、图案形成方法及聚合物_信越化学工业株式会社_202510759058.2
    本发明涉及有机膜形成用组成物、有机膜形成方法、图案形成方法及聚合物。本发明提供一种基板(晶圆)上的成膜性(面内均匀性)与填埋特性优异、且抑制EBR步骤时的隆起、且用作多层抗蚀剂用的有机下层膜时的处理裕度优异的有机膜形成用组成物、使用该组成物...
    2026-04-14
  • 具有量子棒的可固化组合物、其制备方法及其应用
    具有量子棒的可固化组合物、其制备方法及其应用_河南省科学院新型显示技术研究所_202511310907.2
    本申请涉及一种具有量子棒的可固化组合物、其制备方法及其应用。组合物含长径比2‑10可调的量子棒，其表面有2nm‑10nm厚氧化物保护层，还接枝含碳碳双键和/或三键的光敏分子；含至少2个叠氮基团的光敏交联剂；以及非极性溶剂。通过控制各成分浓度...
    2026-04-14
  • 一种玻璃丝印网版涂胶曝光生产线
    一种玻璃丝印网版涂胶曝光生产线_河南环宇玻璃科技股份有限公司_202511482154.3
    本发明公开了一种玻璃丝印网版涂胶曝光生产线，网版通过粘网装置粘网后再移送至感光胶涂刷装置涂胶，最后再送入到网版曝光台进行曝光，粘网装置包括外框架、内框架和网框放置平台，内框架安装在外框架内，内框架内安装有若干粘网气缸，网框放置平台安装在粘网...
    2026-04-14
  • 基于双层光刻胶的金属膜图形制备方法
    基于双层光刻胶的金属膜图形制备方法_华中科技大学_202511589407.7
    本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种基于双层光刻胶的金属膜图形制备方法，该方法包括：清洗透明衬底；在所述透明衬底上旋涂第一光刻胶层，并烘烤；在所述第一光刻胶层上旋涂第二光刻胶层，并烘烤，得到双层胶结构；基于预设的金属图形，对所述双层胶结...
    2026-04-14
  • 一种光刻胶前处理工艺提升微纳结构光滑度的方法
    一种光刻胶前处理工艺提升微纳结构光滑度的方法_华睿芯材(无锡)科技有限公司_202511612010.5
    本发明提供了一种光刻胶前处理工艺提升微纳结构光滑度的方法，具体是对光刻胶在刻蚀前进行表面处理的工艺方法，该方法是在现有的纳米金属氧化物类光刻胶工艺中，在其处于较宽的工作窗口的光刻胶方法上，增加对光刻胶膜进行等离子体表面处理的步骤，实现等离子...
    2026-04-14
  • 标记自动摆放方法及其装置、设备、存储介质、程序产品
    标记自动摆放方法及其装置、设备、存储介质、程序产品_北京超弦存储器研究院_202410751716.9
    本公开涉及一种标记自动摆放方法及其装置、设备、存储介质、程序产品。该标记自动摆放方法包括：获取光刻层中待摆放标记的标记特征信息表；基于标记特征信息表在光刻版图中划分出待摆放标记的摆放区域；获取待摆放标记在光刻版图中的绝对摆放位置信息，并根据...
    2026-04-14
  • 对准标记线宽的测量方法及其测量系统
    对准标记线宽的测量方法及其测量系统_北京超弦存储器研究院_202410756379.2
    本申请公开了一种对准标记线宽的测量方法及其测量系统，涉及半导体技术领域。测量方法包括：获取多个预设线宽不同的预设对准标记对应的预设参数信息，预设参数信息包括预设对准标记的预设线宽、预设深度和预设占空比，预设对准标记所在覆盖膜层的预设厚度和预...
    2026-04-14
  • 图形量测方法、存储介质及终端
    图形量测方法、存储介质及终端_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410758309.0
    一种图形量测方法、存储介质及终端，其中图形量测方法包括：获取若干栅极收缩图像，若干所述栅极收缩图像包括若干校准组栅极收缩图像和若干量测组栅极收缩图像；提取各个所述校准组栅极收缩图像的第一开口轮廓图形；基于手动量测，获取各个所述校准组栅极收缩...
    2026-04-14
  • DLP投影光刻系统中双分离式组合镜头及其应用
    DLP投影光刻系统中双分离式组合镜头及其应用_东北师范大学_202510648044.3
    本发明公开了一种基于双分离式组合镜头的数字光处理(DLP)投影光刻系统及其组合应用方法，属于微纳米制造技术领域。针对现有DLP光刻系统因整体式投影镜头导致功能扩展受限和倍率调节受限的技术瓶颈，本发明提出由物方前镜组和像方后镜组构成的双分离式...
    2026-04-14
  • 一种用于产生EUV光的转动式锡丝靶及EUV光产生装置
    一种用于产生EUV光的转动式锡丝靶及EUV光产生装置_深圳市亿优威光科技有限公司_202511117851.9
    本申请公开一种用于产生EUV光的转动式锡丝靶及EUV光产生装置，其包括：锡丝卷定位机构，其上可转动地设置有锡丝卷；供料机构，位于锡丝卷定位机构的一侧，并具有锡丝容纳位；轰击定位机构，位于锡丝卷定位机构的一侧；锡丝缠绕布置于轰击定位机构上并穿...
    2026-04-14
  • 检查薄膜与微影系统组件的方法及其组件
    检查薄膜与微影系统组件的方法及其组件_台湾积体电路制造股份有限公司_202511149784.9
    一种检查薄膜与微影系统组件的方法及其组件。检查EUV薄膜的实施例方法包括以下步骤：通过使第一辐射照射该EUV薄膜来产生多个强度量测，这导致该EUV薄膜产生第二辐射；及量测该第二辐射的强度。该方法进一步包括以下步骤：根据所述多个强度量测判定时...
    2026-04-14
  • 一种基于纳米薄膜复合材料的柔性电子器件制造系统
    一种基于纳米薄膜复合材料的柔性电子器件制造系统_中企乐富(北京)科技有限公司_202511191910.7
    本申请公开了一种基于纳米薄膜复合材料的柔性电子器件制造系统，包括：双工位交替机构、翻转承载机构和曝光光源，其中，双工位交替机构的两个工位可交替移动至曝光光源正下方；两个翻转承载机构分别设置在两个工位上；每个翻转承载机构均包括有可横向滑动于工...
    2026-04-14
  • 一种复合型线路板的制作曝光检测方法及系统
    一种复合型线路板的制作曝光检测方法及系统_骏友电工电子制品(深圳)有限公司_202511234108.1
    本发明适用线路板检测技术领域，提供了一种复合型线路板的制作曝光检测方法及系统，方法包括：获取对线路板进行曝光的标准能量；对线路板进行多光谱扫描成像获得线路板的场均匀性因子和线路板的层间图像；计算曝光点的初始能量；获取线路板的层间图像并进行叠...
    2026-04-14
  • 一种降低对准误差的硅片对准标记结构设计方法
    一种降低对准误差的硅片对准标记结构设计方法_浙江大学_202511265488.5
    本发明公开了一种对准标记结构设计方法。包括：获取待优化的光栅对准标记结构的周期数值P，将每个周期内的刻线结构细分为2i‑1个子刻线；该2i‑1个子刻线关于中心垂线对称分布，子刻线包括关于待优化的光栅对准标记结构的中心垂线对称的第一子刻线以及...
    2026-04-14
  • 自动校平放料装置
    自动校平放料装置_广东华恒智能科技有限公司_202511312903.8
    本发明提供了一种自动校平放料装置，包括由上往下依次设置的校正机构、放料机构、调节定位机构、水平调整机构和升降调整机构。放料机构用于放置衬底。校正机构包括支撑架、吸附组件和校正组件。吸附组件呈滑动地设置于支撑架上并能滑动至放料机构的上方，吸附...
    2026-04-14
  • 超快激光高效图案化光刻系统及方法
    超快激光高效图案化光刻系统及方法_清华大学_202511330413.0
    本发明公开了一种超快激光高效图案化光刻系统及方法，超快激光高效图案化光刻系统包括超快激光器、激光调节组件、空间光场整形器件和加工平台；超快激光器适于发射超快激光束；激光调节组件适于调整超快激光束的参数；空间光场整形器件适于将超快激光束调整为...
    2026-04-14
  • 超分辨双重图形加工方法
    超分辨双重图形加工方法_中国科学院光电技术研究所_202511400771.4
    本公开提供一种超分辨双重图形加工方法，包括：在衬底上形成层叠的停止层、牺牲层、感光膜层和成像增强层；对准掩模与衬底，对感光膜层进行曝光，显影后形成光栅图形；在光栅图形线条的两侧沉积抗刻蚀层，刻蚀线条缝隙中的抗刻蚀层和感光膜层，形成线宽修饰后...
    2026-04-14
  • 将带电粒子束计量系统的充电效果和辐射损害最小化的扫描策略
    将带电粒子束计量系统的充电效果和辐射损害最小化的扫描策略_科磊股份有限公司_202511422236.9
    本申请涉及将带电粒子束计量系统的充电效果和辐射损害最小化的扫描策略。提供具有用于测量至少两个叠对方向上的叠对的多个周期性结构的目标。在第一方向上横跨该目标的多个扫描刈并且相对于该目标以第一倾斜角扫描带电粒子束，使得以一定角度扫描该周期性结构...
    2026-04-14
  • 光刻工艺中曝光能量的预测方法
    光刻工艺中曝光能量的预测方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511534854.2
    本发明提供一种光刻工艺中曝光能量的预测方法，通过建立光刻制程中相应的光刻胶层涂覆/软烘步骤结束后到下一步骤开始之间的等待时长Q‑Time与PR光刻胶层关键尺寸CD之间的关系模型，然后将相应的光刻胶层超过安全Q‑Time时对应呈单调变化的PR...
    2026-04-14
  • 优化芯片光刻工艺窗口的方法
    优化芯片光刻工艺窗口的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511577214.X
    本发明公开了一种优化芯片光刻工艺窗口的方法，包括：提供定义出位于主图形外侧的亚分辨率辅助图形设置区域图形的第一掩模版。在底层结构上形成硬质掩膜层。采用第一掩模版进行第一次光刻加第一次刻蚀以对硬质掩膜层进行图形化。提供定义出主图形和亚分辨率辅...
    2026-04-14
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