Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种LDMOS器件及其制备方法
    一种LDMOS器件及其制备方法_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202511153455.1
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种LDMOS器件及其制备方法，包括：包含漂移区的衬底层、位于衬底层表面的场氧化层和栅氧化层、栅极结构及侧部的多晶硅结构、第一介质层及第一导电柱，栅极金属层及侧部的金属场板、第二导电通孔、场板连接结构；其中，...
    2025-12-28
  • 一种LDMOS器件及其制备方法
    一种LDMOS器件及其制备方法_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202511153457.0
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种LDMOS器件及其制备方法，包括：包含漂移区的衬底层、位于衬底层表面的场氧化层和栅氧化层、栅极结构及其侧部的第二阻挡层、器件介质层及内的第一导电柱；第二阻挡层包括层叠的介质层和导电层；其中，场氧化层位于漂...
    2025-12-28
  • 碳化硅半导体装置及其制造方法
    碳化硅半导体装置及其制造方法_株式会社电装_202511224089.4
    提供碳化硅半导体装置及其制造方法。碳化硅半导体装置具备电场缓和层(3)，该电场缓和层(3)包括第2导电型的第1区域(3a)和第2导电型的第2区域(3b)，上述第1区域(3a)位于下方侧，上述第2区域(3b)位于上述第1区域的上方，并且将第1...
    2025-12-28
  • 超级结半导体功率器件及其制造方法
    超级结半导体功率器件及其制造方法_无锡商甲半导体有限公司_202511280547.6
    本发明提供一种超级结半导体功率器件及其制造方法，所述超级结半导体功率器件包括重掺杂的第一导电类型衬底，在重掺杂的第一导电类型衬底上设有第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层中设有深沟槽；所述深沟槽的底部设有底绝缘介质层；在深沟槽中填充有第...
    2025-12-28
  • 具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法
    具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法_无锡商甲半导体有限公司_202511280894.9
    本发明提供一种具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法；所述具有低导通电阻沟槽MOSFET器件包括重掺杂的第一导电类型衬底，在第一导电类型衬底上设有第一导电类型外延层；在有源区，第一导电类型外延层中设有单胞沟槽；相邻单胞沟槽之间的第一...
    2025-12-28
  • 半导体器件
    半导体器件_浙江大学杭州国际科创中心_202511622769.1
    本发明涉及一种半导体器件。半导体器件包括：半导体材料层；栅极沟槽和栅极结构，栅极沟槽从半导体材料层的顶表面延伸至半导体材料层中；栅极结构位于栅极沟槽中；源极区，源极区位于相邻的栅极沟槽之间；源极区包括阱区和位于阱区上方的源极接触区；防穿通结...
    2025-12-28
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410684332.X
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：基底；沟道结构层，位于所述基底上方；器件栅极结构，位于所述基底上，且横跨所述沟道结构层；源漏掺杂层，位于所述器件栅极结构两侧的沟道结构层中，且与所述沟道结构层沿其延伸方向的端部相接...
    2025-12-28
  • 超结半导体结构及其制备方法
    超结半导体结构及其制备方法_无锡旷通半导体有限公司_202511281167.4
    本发明涉及一种超结半导体结构及其制备方法，其包括第一导电类型衬底、第一导电类型第一外延层、第一导电类型吸引区和第一导电类型第二外延层，第一导电类型第一外延层设置有多层，第一导电类型第一外延层内均注入第二导电类型离子以形成第二导电类型第一柱区...
    2025-12-28
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510319340.9
    提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：绝缘隔离图案，各自包括空隙；半导体图案，分别堆叠在绝缘隔离图案上；栅极结构，分别在半导体图案周围延伸；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，分别连接到所述多个半导体图案的在第一方向上的相对侧；有源...
    2025-12-28
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511223505.9
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法。此方法包括形成第一沟槽在基板中及形成第一栅极结构在第一沟槽中。形成第一栅极结构在第一沟槽中包括以下操作。沉积第一介电层以覆盖第一沟槽的内表面。第一栅极在第一沟槽中与第一介电层上形成。沉积第二介电层以覆盖...
    2025-12-28
  • 存储结构及其制备方法
    存储结构及其制备方法_北京超弦存储器研究院_202410658196.7
    本发明涉及一种存储结构及其制备方法，存储结构包括：存储单元、第一停止层以及第二停止层。存储单元包括：读晶体管，包括存储栅、读沟道结构以及背栅结构，存储栅沿第一方向延伸，读沟道结构包裹存储栅且在第一方向上具有露出存储栅的开口，背栅结构环绕读沟...
    2025-12-28
  • 场效应晶体管及其制备方法
    场效应晶体管及其制备方法_江苏卓胜微电子股份有限公司_202410701854.6
    本申请公开了一种场效应晶体管及其制备方法。场效应晶体管包括：基底、阻挡层、金属硅化物栅极和有源区，基底的第一表面上设置有栅氧层，阻挡层位于栅氧层背离基底的一侧，金属硅化物栅极位于阻挡层背离栅氧层的一侧，有源区位于金属硅化物栅极两侧且位于基底...
    2025-12-28
  • 芯片及其制备方法、电子设备
    芯片及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202410702472.5
    本申请提供一种芯片及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，一方面，沟道层中被栅极控制的区域增多，由此提高了栅控能力；另一方面，为栅极预留了凹槽这一额外的制备空间，提高了栅极的工艺窗口。该芯片包括衬底和设置在衬底上的环栅晶体管，环栅晶体管...
    2025-12-28
  • 半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511424582.0
    本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，其中，半导体器件包括半导体本体，半导体本体阱区、第一区域、第二区域和第三区域，第一区域设置于所述半导体本体的第一表面，阱区设置于第一区域远离第一表面的一侧；第一表面还设置有...
    2025-12-28
  • 半导体结构及其制备方法、半导体器件
    半导体结构及其制备方法、半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511632337.9
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，包括：衬底，衬底的第一表面上包括沿平行于第一表面的第一方向交替排列的层间介质层及金属栅；金属栅包括：介质叠层，沿朝向衬底的方向贯穿层间介质层；功函数叠层，向介质叠层内延伸，且其底面在第一表面...
    2025-12-28
  • 半导体结构和用于形成半导体器件结构的方法
    半导体结构和用于形成半导体器件结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510721024.4
    提供了用于形成半导体器件结构的方法。该方法包括提供衬底、第一纳米结构、第二纳米结构和第一栅极堆叠件。第一纳米结构位于衬底和第二纳米结构之间，并且第一栅极堆叠件包裹第一纳米结构和第二纳米结构。该方法包括去除第一栅极堆叠件和第一纳米结构的端部部...
    2025-12-28
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510721911.1
    示例性可流动化学气相沉积方法包括：在衬底上方沉积可流动介电材料；紫外线固化可流动介电材料；以及退火紫外线固化的可流动介电材料。可流动介电材料填充第一栅极结构和第二栅极结构之间的间隔。紫外线固化的紫外线功率大于约80％，并且退火的退火温度小于...
    2025-12-28
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510731504.9
    方法包括：沉积第一层间电介质(ILD)，第一层间电介质围绕第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件；使第一ILD凹进至第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件的顶面下方；在第一ILD上方以及在第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件之间形成硬掩模；执行离子注...
    2025-12-28
  • 形成半导体装置结构的方法
    形成半导体装置结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511100835.9
    本揭露的实施方式提供形成半导体装置结构的方法。此方法包括从基板形成鳍结构及鳍结构包括交替的第一及第二半导体层。此方法还包括移除每个第二半导体层的边缘部分、沉积围绕在鳍结构的绝缘材料、执行热工艺以横向地扩张第二半导体层、形成牺牲栅极结构在鳍结...
    2025-12-28
  • 嵌入式MV器件的工艺集成方法
    嵌入式MV器件的工艺集成方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511195905.3
    本发明公开了一种嵌入式MV器件的工艺集成方法中，MV器件的第一有源区的回刻工艺的步骤包括：形成第一掩膜层并对第一掩膜层进行图形化以打开第二导电类型MV阱的形成区域。以第一掩膜层为掩膜进行第二导电类型的离子注入以形成第二导电类型MV阱。以第一...
    2025-12-28
首页 上一页 17 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证