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  • 本发明公开了一种钝化接触太阳电池及其制备方法、光伏组件,钝化接触太阳电池包括:硅基底;介质层,设置于硅基底的表面;叠层设置于介质层背离硅基底一侧的掺杂层;叠层设置于掺杂层背离硅基底一侧的氧化物层;叠层设置于氧化物层背离硅基底一侧的功能层;第...
  • 本发明涉及太阳电池领域,公开一种钝化接触结构及其制备方法、太阳电池及其制备工艺、光伏组件,该钝化接触结构包括:介质层、掺杂多晶硅层,以及,设于介质层与掺杂多晶硅层之间的多晶硅阻挡层和掺碳阻挡层,多晶硅阻挡层设置于介质层靠近所述掺杂多晶硅层的...
  • 本发明涉及太阳电池领域,公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,太阳电池包括:硅基底,硅基底的第一表面和第二表面、或者第一表面具有第二区域、以及相较于第二区域向所述硅基底自身内陷形成的第一区域,第一区域与第二区域交界处的硅基底形成台阶状结构...
  • 本申请涉及太阳电池技术领域,尤其涉及太阳电池及其制备方法、光伏组件。该太阳电池包括:硅基底;设于背光面的第一钝化接触结构,包括第一介质层和对第一本征多晶硅层P型掺杂形成的第一掺杂多晶硅层;设于背光面的第二钝化接触结构,包括第二介质层和对第二...
  • 本申请提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,其中太阳电池包括硅基底,硅基底的背光面包括层叠设置的介质层和第一掺杂层,第一掺杂层包括层叠设置的第一子层和第二子层,第一子层背离第二子层的一面朝向介质层;第二子层间隔设置于第一子层背离介质层的...
  • 本发明涉及一种太阳电池及其制备方法。上述太阳电池包括:硅衬底;设置在硅衬底的第一侧的第一本征非晶硅层、第一掺杂硅材料层、第一透明导电层以及第一栅线,第一掺杂硅材料层的掺杂类型与硅衬底的掺杂类型相反;以及设置在硅衬底的第二侧的第二本征非晶硅层...
  • 本公开提供了一种叠层隧穿结构、太阳电池及制备方法。该叠层隧穿结构包括层叠设置的第一隧穿层和第二隧穿层,所述第一隧穿层和所述第二隧穿层的材料均包括氧化硅,所述第一隧穿层和所述第二隧穿层的总厚度≤3nm,所述第一隧穿层中氧化硅的致密度大于所述第...
  • 本公开提供了一种太阳电池、其制备方法及光伏组件。该太阳电池包括半导体基底以及层叠设置于半导体基底上的介质层;介质层的最薄位置位于介质层的内侧,介质层任意边缘的厚度均大于介质层的最薄位置的厚度,且介质层的厚度由最薄位置朝向其边缘逐渐增加。该太...
  • 本发明公开了硅异质结电池、制备方法及应用,涉及太阳能电池技术领域。其中,硅异质结电池包括电池本体,所述电池本体包括TCO层和印刷在所述TCO层上的主栅,所述TCO层印刷栅线的一侧还设置有自组装单分子层,所述TCO层和自组装单分子层之间通过S...
  • 本公开提供了一种太阳电池、太阳电池的制备方法以及光伏组件。该太阳电池包括半导体衬底和依次层叠设置于半导体衬底上的第一介质层、第一掺杂层、第二介质层和第二掺杂层。第一介质层和第二介质层能够供电子通过,第一掺杂层的材料为多晶材料,第二掺杂层的材...
  • 本公开提供了一种太阳电池、太阳电池的制备方法及光伏组件。该太阳电池包括衬底、减反射钝化叠层、第一钝化层和第一掺杂层,减反射钝化叠层、第一钝化层和第一掺杂层依次叠置于衬底上。减反射钝化叠层包括多个层叠设置的减反射子层,多个减反射子层的材料各自...
  • 本公开提供了一种太阳电池、太阳电池的制备方法及光伏组件。该太阳电池包括衬底、叠层钝化结构和第一掺杂层,所述叠层钝化结构和所述第一掺杂层依次叠置于所述衬底上。所述叠层钝化结构包括非晶钝化层和晶化钝化层,非晶钝化层的材料包括非晶氧化铝,晶化钝化...
  • 本发明公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,该太阳电池包括:硅基底,硅基底具有图形化区域和非图形化区域;钝化接触结构,钝化接触结构包括依次叠层设置于硅基底表面的介质层和掺杂层,掺杂层包括依次叠层设置于介质层表面的第一掺杂多晶硅层、氮氧化...
  • 本发明涉及太阳电池技术领域,公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,所述太阳电池包括:硅基底;功能层,所述功能层设于所述硅基底上,所述功能层中含有Si‑H键;防紫外线层,所述防紫外线层设置于所述功能层背离所述硅基底的一侧表面上,所述防紫外线...
  • 本发明提供了一种太阳能电池和光伏组件,涉及光伏技术领域。太阳能电池包括:电池本体,电池本体包括:沿其厚度方向相对的第一面和第二面,以及连接第一面和第二面的侧表面,侧表面包括:切割面和非切割面;形成在切割面上的切割面钝化层,切割面钝化层中具有...
  • 本申请涉及一种太阳能电池、光伏组件以及太阳能电池的制造方法,包括衬底、紫外隔绝层以及减反射膜。紫外隔绝层设于衬底的至少一侧。减反射膜设于紫外隔绝层背离衬底的一侧。上述太阳能电池,其具有位于减反射膜内侧的紫外隔绝层。紫外隔绝层作为太阳能电池的...
  • 本发明提供一种芯片组件、光学模组及其制备方法和电子设备,其中所述芯片组件包括基座和芯片,所述基座具有一安装槽和透光槽,其中所述安装槽和所述透光槽相连通并沿光轴方向贯穿所述基座,其中所述芯片被设置在所述基座的所述安装槽,所述芯片的反面设有电连...
  • 本发明涉及太阳电池技术领域,公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,太阳电池包括:硅基底,硅基底具有受光面、背光面和侧面;受光面和/或背光面具有第一金字塔结构,第一金字塔结构的塔底的对角线长度D1满足:0μm<D1≤5μm,高度H1满足:0...
  • 本发明涉及一种太阳电池及其制备方法。上述太阳电池包括硅衬底,所述硅衬底的相对设置的两侧上分别设置有功能膜层,各所述功能膜层连接有栅线,至少一侧上的所述功能膜层与所述硅衬底的该侧在局部区域上共同内陷而形成陷光槽,所述陷光槽的槽壁具有第一绒面结...
  • 本申请提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,太阳电池包括硅衬底、第一掺杂层、第二掺杂层、第一焊盘、第二焊盘、第一电极和第二电极;第一掺杂层和第二掺杂层间隔设于硅衬底的表面上,第一掺杂层和第二掺杂层的掺杂类型不同;第一电极和第二电极分别设...
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