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最新专利技术
  • 电池组件及光伏系统
    电池组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511359294.1
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种电池组件及光伏系统，该电池组件包括：背接触电池，包括第一极性栅线和第二极性栅线；若干第一焊带和若干第二焊带，分别连接第一极性栅线和第二极性栅线；绝缘条，设于第一焊带和第二焊带背离背接触电池的一侧，绝...
    2025-11-30
  • 柔性薄膜太阳电池叠瓦互联结构及制备工艺和组件
    柔性薄膜太阳电池叠瓦互联结构及制备工艺和组件_意诚新能(苏州)科技有限公司_202511537656.1
    本发明涉及柔性薄膜太阳电池叠瓦互联结构及制备工艺和组件，其结构包括多个子电池，各子电池包括衬底层、第一电极层、器件层、第二电极层、汇流层、互联连接层。本发明一方面针对非导电柔性基底薄膜太阳电池的低内损、高转化效率的叠瓦互联，不仅避免了电极层...
    2025-11-30
  • 一种柔性薄膜太阳电池及互联结构和制备工艺
    一种柔性薄膜太阳电池及互联结构和制备工艺_意诚新能(苏州)科技有限公司_202511537663.1
    本发明涉及柔性薄膜太阳电池及互联结构和制备工艺，其电池包括底部向顶部依次布局的基底层、第一电极层、器件层、第二电极层、汇流层、互联连接层。本发明一方面基于非导电柔性基底薄膜太阳电池的低内损、高柔性互联的方案，能够有效避免电极层之间导通短路或...
    2025-11-30
  • 一种量子阱光探测器及其制造方法
    一种量子阱光探测器及其制造方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511167528.2
    本申请属于光电探测技术领域，公开了一种量子阱光探测器及其制造方法，包括：底部电极、顶部电极和读出电路；以及依次叠加的受主高阻值硅衬底、氧化铝层、第一锗层、量子阱吸收层、第二锗层和钝化层；以及多个形状相同，并以预设间隔分布的矩形凹槽；矩形凹槽...
    2025-11-30
  • 一种基于1T-CoTe2/PdSe2异质结的高性能室温紫外-红外偏振探测器及其制备方法
    一种基于1T-CoTe2/PdSe2异质结的高性能室温紫外-红外偏振探测器及其制备方法_天津大学_202511162122.5
    本发明提出了一种基于1T‑CoTe2/PdSe2异质结的高性能室温紫外‑红外偏振探测器及其制备方法，属于光电探测器的技术领域。本发明紫外‑红外偏振探测器包括衬底，所述衬底上间隔分布有两个金属电极，两个金属电极之间的沟道处设有1T‑CoTe2...
    2025-11-30
  • 一种基于透明衬底的量子阱光电探测器及其制造方法
    一种基于透明衬底的量子阱光电探测器及其制造方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511167527.8
    本申请属于光电探测技术领域，公开了一种基于透明衬底的量子阱光电探测器及其制造方法，包括：底部电极、顶部电极和读出电路，以及依次叠加的受主透明衬底、硅层、本征硅吸收层、本征硅层、量子阱吸收层、锗层和钝化层；以及多个形状相同，并以预设间隔分布的...
    2025-11-30
  • 一种基于双铁电层的异质光电晶体管及其制备方法和应用
    一种基于双铁电层的异质光电晶体管及其制备方法和应用_北京大学_202511546499.0
    本发明提供一种基于双铁电层的异质光电晶体管及其制备方法和应用，属于高性能传感和感存算一体技术领域。该异质光电晶体管包括底栅衬底、底栅介质层以及依次堆叠于其上的异质结构，所述异质结构由铁电半导体铋氧硒层、亚硒酸氧铋介质层和铁电半导体α相硒化铟...
    2025-11-30
  • 具有次接触掺杂的X射线探测器
    具有次接触掺杂的X射线探测器_西门子医疗股份公司_202510662198.8
    本发明涉及具有次接触掺杂的X射线探测器。应该改进X射线探测器或计算机断层造影探测器的质量、尤其是稳定性。为此提供一种X射线探测器，其具有由Cd(1‑x)ZnxTe制成的半导体块(1)，其中，x位于0％至50％的范围内；半导体块(1)处的由第...
    2025-11-30
  • 行列扫描式氮化铝基真空紫外光电探测器阵列及其制备方法
    行列扫描式氮化铝基真空紫外光电探测器阵列及其制备方法_中山大学_202511166849.0
    本发明属于半导体光电子技术领域，具体涉及行列扫描式氮化铝基真空紫外光电探测器阵列及其制备方法。本发明的探测器阵列具有Au/Ti/Pt/AlN/n‑SiC/Ti/Au垂直光伏结构，其结构自下而上依次包括：半绝缘4H‑SiC衬底导电电极阵列、A...
    2025-11-30
  • 图像传感器芯片的封装方法及其对应的封装结构
    图像传感器芯片的封装方法及其对应的封装结构_华天科技(江苏)有限公司_202511193119.X
    本发明提供了图像传感器芯片的封装方法，其可有效降低封装器件的热应力及翘曲，提高封装可靠性；且在不增加封装尺寸的情况下缩短信号的传输路径，提升I/O密度，实现封装器件高密度互连，显著提升信号完整性。其采用蚀刻技术在硅基板上刻蚀硅槽、硅通孔，将...
    2025-11-30
  • 一种集成滤光片的3D扇出型封装结构及封装方法
    一种集成滤光片的3D扇出型封装结构及封装方法_华天科技(昆山)电子有限公司_202511231397.X
    本发明公开了一种集成滤光片的3D扇出型封装方法，包括以下步骤：提供一具有第一表面和第二表面的硅基衬底；在硅基衬底上形成导电互连结构；在硅基衬底的第一表面键合一临时玻璃载板；对硅基衬底的第二表面进行减薄处理，以暴露导电互连结构；在硅基衬底的第...
    2025-11-30
  • 一种光电导单元阵列的位置灵敏探测器及二维位置探测方法
    一种光电导单元阵列的位置灵敏探测器及二维位置探测方法_东南大学_202511159453.3
    本发明公开了一种光电导单元阵列的位置灵敏探测器及二维位置探测方法，包括阵列、衬底、沟道材料、绝缘层、横向阵列金属布线层、横向金属分流电阻网络、横向读出电极、纵向阵列金属布线层、纵向金属分流电阻网络和纵向读出电极；阵列由若干光电导单元构成；每...
    2025-11-30
  • 背照式图像传感结构、传感器及制备方法
    背照式图像传感结构、传感器及制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511091274.0
    本发明公开了背照式图像传感结构、传感器及制备方法，属于半导体领域，本发明在对衬底背面减薄后通过沉积工艺形成了层叠光敏结构，在层叠光敏结构制备出深沟槽隔离结构后制备第一段金属格栅，然后通过注入VA族元素的离子，形成倾斜的加强掺杂带；之后制备第...
    2025-11-30
  • 拍摄元件及拍摄装置
    拍摄元件及拍摄装置_株式会社尼康_202511150614.2
    拍摄元件具备：第1基板，其设有对光进行光电转换而生成电荷的光电转换部、和输出基于由光电转换部生成的电荷得到的信号的读出电路；第2基板，其层叠于第1基板，设有对从读出电路输出的信号进行处理的处理部；以及连接部，其设有在第1基板及第2基板的附近...
    2025-11-30
  • 拍摄元件及拍摄装置
    拍摄元件及拍摄装置_株式会社尼康_202511150984.6
    拍摄元件具备：第1基板，其设有对光进行光电转换而生成电荷的光电转换部、和输出基于由光电转换部生成的电荷得到的信号的读出电路；第2基板，其层叠于第1基板，设有对从读出电路输出的信号进行处理的处理部；以及连接部，其设有在第1基板及第2基板的附近...
    2025-11-30
  • 拍摄元件及拍摄装置
    拍摄元件及拍摄装置_株式会社尼康_202511150991.6
    拍摄元件具备：第1基板，其设有对光进行光电转换而生成电荷的光电转换部、和输出基于由光电转换部生成的电荷得到的信号的读出电路；第2基板，其层叠于第1基板，设有对从读出电路输出的信号进行处理的处理部；以及连接部，其设有在第1基板及第2基板的附近...
    2025-11-30
  • 图像传感器、电子设备
    图像传感器、电子设备_华为技术有限公司_202410639971.4
    本申请提供一种图像传感器、电子设备。涉及光电转换技术领域。该图像传感器包括：半导体衬底和形成在半导体衬底中的光电转换结构，半导体衬底具有用于接收光的入光侧，入光侧堆叠有第一膜层、第二膜层和第三膜层，第一膜层和第三膜层具有电负性，具有电负性的...
    2025-11-30
  • 一种半导体结构的制作方法
    一种半导体结构的制作方法_格科半导体(上海)有限公司_202410651766.X
    本发明公开了一种半导体结构的制作方法，包含：提供一半导体衬底，其具有第一面和第二面，第二面经减薄处理，并形成有自第二面向第一面延伸的沟槽结构；在第二面上、沟槽结构的底部及侧壁由下至上依次叠设有隔离层及第一介质层；第一退火步骤：在第一工艺气体...
    2025-11-30
  • 集成芯片及其形成方法
    集成芯片及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511084559.1
    本公开的各个实施例针对集成芯片(IC)。IC包括：衬底，包括第一材料。半导体层位于衬底上，并且包括与第一材料不同的第二材料。缓冲层布置在半导体层和衬底之间。缓冲层包括第一材料和第二材料。本申请的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。
    2025-11-30
  • HJT负间距串联电池组件的制备方法、HJT负间距串联电池组件
    HJT负间距串联电池组件的制备方法、HJT负间距串联电池组件_陕西众森电能科技有限公司_202410627235.7
    本发明涉及半导体电池组件，具体涉及一种HJT负间距串联电池组件的制备方法、HJT负间距串联电池组件，用于解决传统的电池组件制作中，电池片之间需要留有一定的间距以避免相互遮挡，导致有效吸光面积减少、电池组件整体效率降低的不足之处。该HJT负间...
    2025-11-30
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