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最新专利技术
  • 一种SiC MOSFET器件、制造方法和芯片
    一种SiC MOSFET器件、制造方法和芯片_珠海格力电器股份有限公司_202511035911.2
    本发明实施例提供了一种SiC MOSFET器件、制造方法和芯片，器件包括N‑外延层，设于N+衬底的一侧；电流扩展层；P型基区，设于电流扩展层内；N+区，设于P型基区内；第一沟槽，设于电流扩展层的两侧侧壁；第二沟槽，设于电流扩展层内；第二沟槽...
    2025-12-01
  • 一种功率MOSFET宽SOA结构制备工艺及芯片
    一种功率MOSFET宽SOA结构制备工艺及芯片_豪威集成电路(集团)股份有限公司_202511157153.1
    本申请提供了一种功率MOSFET宽SOA结构制备工艺及芯片，本申请通过在多个所述第一沟槽之间设置有阱区，所述阱区中设置有第一注入区，在部分所述阱区下方对应设置有多个第二注入区，这样可以实现更宽安全工作区的MOSFET器件，且获得适当的阈值电...
    2025-12-01
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_深圳市华南微电子有限公司_202511162953.2
    本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体领域，该半导体器件包括：衬底；外延层，位于所述衬底上；第一PN结与第二PN结，所述第二PN结的上表面与所述第一PN结的N型区下表面在相同水平面上，所述第二PN结的P型区注入能量大于所述第一PN...
    2025-12-01
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202511229774.6
    本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构包括衬底以及位于衬底一侧的外延结构，该外延结构内具有网格状沟槽，且外延结构包括漂移区、第一屏蔽掺杂区以及多个第二屏蔽掺杂区，在半导体结构反向截止时，第一屏蔽掺杂区与漂移区...
    2025-12-01
  • 半导体结构及其形成方法、掩膜版图
    半导体结构及其形成方法、掩膜版图_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202410629144.7
    一种半导体结构及其形成方法、掩膜版图，结构包括：基底；栅极结构，位于基底的顶部，栅极结构的延伸方向为第一方向，与第一方向相垂直且与基底表面相平行的方向为第二方向；源漏掺杂层，位于栅极结构两侧的基底中；源漏插塞，位于源漏掺杂层的顶部，且源漏插...
    2025-12-01
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411163653.1
    提供能够提高可靠性的半导体装置。一实施方式的半导体装置具备具有单元区域以及设于单元区域的外侧的末端区域的半导体部、设于半导体部的背面上的第一电极、设于半导体部的表面侧的第二电极、隔着在从单元区域朝向末端区域的方向上排列的多个第一绝缘膜中的一...
    2025-12-01
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410630963.3
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底；第一阱区，位于基底中；第二阱区，位于第一阱区侧部的基底中，第二阱区的掺杂类型与第一阱区的掺杂类型不同；一层或多层缓冲层，位于第二阱区中，缓冲层的掺杂类型与第二阱区的掺杂类型相同，且缓冲层中掺杂离子...
    2025-12-01
  • 一种SiC超结LDMOS器件及制造方法
    一种SiC超结LDMOS器件及制造方法_珠海格力电器股份有限公司_202511035913.1
    本发明实施例提供了一种SiC超结LDMOS器件及制造方法，包括P型衬底；N型外延层，设于P型衬底的上方；第一P型区和第二P型区，分别设于N型外延层内；第一P型区的长度大于第二P型区；第一N型区位于第一P型区的上方；第二N型区位于第二P型区的...
    2025-12-01
  • 超结半导体器件及其制造方法
    超结半导体器件及其制造方法_美格纳半导体有限公司_202510656844.X
    本公开内容提供了一种超结半导体器件及其制造方法。超结半导体器件包括：基板；设置在基板上的多个外延层；设置在基板和外延层的一个区域上的有源区；围绕有源区的外围区和边缘终端区；以及分别设置在多个外延层中的多个第一导电型柱区和多个第二导电型柱区。...
    2025-12-01
  • 一种基于沟槽工艺的SiC MOSFET芯片终端结构
    一种基于沟槽工艺的SiC MOSFET芯片终端结构_北京卫星制造厂有限公司_202511051927.2
    本发明公开了一种基于沟槽工艺的SiC MOSFET芯片终端结构，包括：终端区n型漂移区和多个基本单元；其中，多个基本单元沿终端区n型漂移区的长度方向依次设置于终端区n型漂移区上。本发明解决了传统SiC MOSFET终端面积较大的问题。
    2025-12-01
  • 一种带P-well层的碳化硅半导体器件及其制备方法
    一种带P-well层的碳化硅半导体器件及其制备方法_杭州清芯微电子有限公司_202511539485.6
    本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种带P‑well层的碳化硅半导体器件及其制备方法，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极、栅极以及覆盖在栅极表面上的栅氧化层，所述半导体外延层包括N衬底层、N...
    2025-12-01
  • 薄膜晶体管及阵列基板
    薄膜晶体管及阵列基板_TCL华星光电技术有限公司_202410644503.6
    本发明公开了一种薄膜晶体管及阵列基板，薄膜晶体管包括基板以及设置于基板一侧的栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极，栅极绝缘层位于栅极和半导体层之间，半导体层包括对应于源极和漏极之间的间隙区域的沟道部；薄膜晶体管还包括导电层，导电层设置于半...
    2025-12-01
  • 薄膜晶体管、包括其的显示设备和制造薄膜晶体管的方法
    薄膜晶体管、包括其的显示设备和制造薄膜晶体管的方法_三星显示有限公司_202510670063.6
    提供了薄膜晶体管、包括薄膜晶体管的显示设备以及制造薄膜晶体管的方法。薄膜晶体管包括衬底。第一电极设置在衬底上。第一电极具有限定在其中的第一开口。第一绝缘层设置在第一电极上。第一绝缘层具有限定在其中的第二开口。第二开口与第一开口重叠。第二电极...
    2025-12-01
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510942344.2
    提供了一种半导体装置及其形成方法。晶体管结构(例如，半导体装置的互连层中的后端晶体管结构)被形成为包括具有高电子浓度氧化物‑半导体材料的氧化物‑半导体通道层。高电子浓度氧化物‑半导体材料使得氧化物‑半导体通道层能够实现低阈值电压和低通道电阻...
    2025-12-01
  • 一种基于IGZO的多电极非线性器件、制备方法及芯片
    一种基于IGZO的多电极非线性器件、制备方法及芯片_中国科学院微电子研究所_202511162874.1
    本发明涉及一种基于IGZO的多电极非线性器件、制备方法及芯片，属于半导体技术领域，解决了传统单器件实现布尔逻辑的温度过低、难以工业化应用以及成本过高、工艺繁琐、良率低等问题中的至少一个。一种基于IGZO的多电极非线性器件，包括：衬底、背栅、...
    2025-12-01
  • 晶体管、显示面板和显示装置
    晶体管、显示面板和显示装置_武汉天马微电子有限公司_202511203487.8
    本申请涉及一种晶体管、显示面板和显示装置。晶体管包括基板、有源层、栅极、源极和漏极，有源层位于基板上；有源层包括沿第一方向依次排布的源区、沟道区和漏区；栅极在基板上的正投影与沟道区在基板上的正投影交叠；源极与源区接触；漏极与漏区接触；沟道区...
    2025-12-01
  • 具有改进外延层形貌的半导体器件及其制造方法
    具有改进外延层形貌的半导体器件及其制造方法_锐立平芯微电子(广州)有限责任公司_202511216959.3
    本公开提供了一种具有改进外延层形貌的半导体器件及其制造方法，可以应用于半导体技术领域。根据实施例，该半导体器件可以包括：衬底；衬底上的沟道部；设置在沟道部上的栅极；在衬底上设置在栅极的相对两侧的源/漏层，源/漏层包括衬底上的外延层；其中，外...
    2025-12-01
  • 超结晶体管器件
    超结晶体管器件_英飞凌科技股份有限公司_202510655641.9
    公开了超结晶体管器件。公开了一种晶体管器件。晶体管器件包括：源极节点(S)和漏极节点(D)；包括内部区(110)和边缘区(120)的半导体主体(100)；超结区(10)，其包括被在半导体主体(100)的第一横向方向(x)上交替地布置的第一掺...
    2025-12-01
  • 一种超结终端结构及其制备方法
    一种超结终端结构及其制备方法_瑶芯微(上海)电子科技股份有限公司_202511162856.3
    本发明提供一种超结终端结构及其制备方法，超结终端结构中第二导电类型结终端扩展层与第二导电类型终端主结连接；第二导电类型结终端扩展层从上到下依次包括第一扩展层和第二扩展层，第二扩展层与第二导电类型终端区柱连接。本发明设置多层结终端扩展层使电场...
    2025-12-01
  • 一种超结终端结构及其制备方法
    一种超结终端结构及其制备方法_瑶芯微(上海)电子科技股份有限公司_202511162860.X
    本发明提供一种超结终端结构及其制备方法，超结终端结构中第二导电类型过渡区柱远离第二导电类型有源区柱一侧是第二导电类型终端区柱；第二导电类型终端区柱与第一导电类型衬底的距离依次减小；第二导电类型终端区柱上有第二导电类型重掺杂区，第二导电类型离...
    2025-12-01
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