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最新专利技术
  • 半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统
    半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统_三星电子株式会社_202510403600.0
    本公开提供了一种半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统。半导体器件可以包括：导电层；堆叠结构，堆叠结构位于第一区域、第二区域以及位于第一区域与第二区域之间的延伸区域中，并且包括沿第一方向顺序地堆叠在导电层上且彼此间隔开的多个栅电极，多个栅...
    2025-11-30
  • 闪存及其形成方法
    闪存及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511087887.7
    本发明提供一种闪存的形成方法，包括：提供衬底，衬底上形成有字线，字线两侧分别形成有堆叠的浮栅、间隔层和控制栅；衬底的有源区表面露出；在有源区表面进行非晶化注入，形成非晶层；在非晶层上方向衬底进行LDD注入以在源区和漏区形成轻掺杂漏结构；应力...
    2025-11-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511189176.0
    一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，所述衬底包括器件区和边缘区；位于器件区上的若干浮栅结构，若干所述浮栅结构在第一方向和第二方向上阵列分布，所述第一方向和所述第二方向相互垂直；位于若干所述浮栅结构上的若干第一控制栅结构和若干第二控制栅结...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410649808.6
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，属于半导体技术领域，所述制造方法包括：在衬底上形成图案化的堆叠结构，所述图案化的堆叠结构包括交替分布的多层半导体层和多层牺牲层，各所述半导体层的位于延伸方向上的两端露出预定长度的侧壁；在所述半导体层的露...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410650646.8
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件包括：第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管的第一电极与第一信号线电连接，第一晶体管的第二电极与第二晶体管的第三电极电连接，第二晶体管的第四电极与第二信号线电连接。第一晶体管的第一栅...
    2025-11-30
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410650755.X
    一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，包括逻辑器件区；在逻辑器件区的基底上形成栅极结构；在逻辑器件区的基底中进行掺杂处理，掺杂处理包括：穿透栅极结构，在栅极结构底部的基底中形成阱区；在栅极结构两侧的阱区中形成轻掺杂区。本发明有利于节...
    2025-11-30
  • 存储器装置及制造存储器装置的方法
    存储器装置及制造存储器装置的方法_爱思开海力士有限公司_202510319591.7
    本文提供了存储器装置及制造存储器装置的方法。存储器装置包括：栅极线，其层叠为彼此间隔开；第一阻挡层，其由栅极线包围并且层叠为彼此间隔开；电荷捕获层，其由第一阻挡层包围并且层叠为彼此间隔开；突出图案，其位于第一阻挡层之间和电荷捕获层之间；隧道...
    2025-11-30
  • 半导体结构及其制备方法、存储器和存储器系统
    半导体结构及其制备方法、存储器和存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410644984.0
    本申请实施方式提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器和存储器系统，其中，半导体结构包括：堆叠结构，包括交错层叠的绝缘层和栅极层，栅极层包括第一栅极层和第二栅极层，第二栅极层沿堆叠结构的堆叠方向位于第一栅极层的一侧，一第二栅极层沿堆叠方向的...
    2025-11-30
  • 具有防止存储器件内形成空洞的改进式存储器单元结构的存储器件
    具有防止存储器件内形成空洞的改进式存储器单元结构的存储器件_合肥睿科微电子有限公司_202511166038.0
    本发明公开了一种具有防止存储器件内形成空洞的改进式存储器单元结构的存储器件，该存储器件包括：存储器单元，所述存储器单元包括底电极，顶电极以及设置于所述底电极和所述顶电极之间的介电层，覆盖所述存储器单元的侧面的绝缘层；以及经所述绝缘层内的开孔...
    2025-11-30
  • 封装结构及其制作方法、电子设备
    封装结构及其制作方法、电子设备_华为技术有限公司_202410651328.3
    本申请提供了一种封装结构及其制作方法、电子设备。其中，封装结构包括：芯片结构，芯片结构包括衬底以及设于衬底上的芯片功能层，衬底为连贯且完整的衬底，芯片结构具有相对的第一表面和第二表面；第一键合结构，第一键合结构设于第一表面；第一芯粒，第一芯...
    2025-11-30
  • 包含接地环的隔离变压器
    包含接地环的隔离变压器_德州仪器公司_202510562094.X
    一种隔离变压器(400)，包含具有一或多个间隙(412‑1，412‑2)的接地环(410)。所述隔离变压器(400)包括第一线圈(404)、第二线圈(406)、在所述第一线圈(404)和所述第二线圈(406)之间的介电层，及围绕所述第一线圈...
    2025-11-30
  • 金属电容器件的形成方法
    金属电容器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511158250.2
    本发明提供了一种金属电容器件的形成方法，包括：在衬底表面形成底层金属层，底层金属层至少包括铝金属膜层，铝金属膜层掺杂有铜材料；在底层金属层的表面依次形成介电层、顶层金属层和图案化的第一光刻胶层；以图案化的第一光刻胶层刻蚀去处露出的部分顶层金...
    2025-11-30
  • 一种硅电容器及其制备方法
    一种硅电容器及其制备方法_上海维安半导体有限公司_202511544460.5
    本发明涉及硅电容技术领域，具体涉及一种硅电容器及其制备方法，包括：衬底、沟槽区和多个分立的绝缘浮岛；所述绝缘浮岛由绝缘材料制成；所述沟槽区中的每个导电沟槽的底部与所述绝缘浮岛接触，以消除所述导电沟槽的底部角隅处发生的电场聚集效应。针对现有技...
    2025-11-30
  • 快恢复二极管的制作方法、快恢复二极管及电子设备
    快恢复二极管的制作方法、快恢复二极管及电子设备_吉林华微电子股份有限公司_202511092027.2
    本申请提供一种快恢复二极管的制作方法、快恢复二极管及电子设备，涉及半导体技术领域。快恢复二极管的制作方法包括：提供一器件结构，器件结构包括衬底、氧化层、多晶硅层及第一金属层；在第一金属层远离衬底的一侧形成第一钝化层，并在第一钝化层远离衬底的...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_瑞萨电子株式会社_202510658786.4
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。为了提供一种能够防止接触势垒金属膜从沟槽栅极引出电极剥离的半导体器件。在半导体衬底上限定的栅极布线引出区域MGR中，凸部被形成在沟槽栅极引出电极TGI上，朝向栅极引出接触构件延伸。凸部通过自然氧化膜和多晶硅...
    2025-11-30
  • 一种集成电压传感器的功率半导体器件
    一种集成电压传感器的功率半导体器件_珠海格力电器股份有限公司_202511031862.5
    本发明实施例提供了一种集成电压传感器的功率半导体器件，电压传感器包括：集电极金属、集电极P+区、缓冲区、漂移区、第一存储层、第一P型阱区、第一介质层、电子势垒区、有源区、控制电极、控制电极金属和采样电极金属，在功率半导体器件上集成了电压传感...
    2025-11-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410629220.4
    一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干分立排布的鳍部，所述鳍部包括牺牲层以及位于所述牺牲层表面的沟道层；在所述衬底上形成横跨所述鳍部的多个分立的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述鳍部的部分侧壁和顶部表面，相...
    2025-11-30
  • 一种半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置
    一种半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410650519.8
    本申请涉及一种半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置，形成方法包括：提供半导体结构；半导体结构包括衬底层、位于衬底层上的牺牲单元和第一底部隔离层、位于牺牲单元和第一底部隔离层上的在水平方向间隔排列的多个第一结构和多个沟槽；每个第一结构包...
    2025-11-30
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510594521.2
    提供了半导体器件结构及其形成方法。方法包括在衬底上方形成多个半导体纳米结构和多个介电纳米结构。半导体纳米结构和介电纳米结构以交替方式布置。方法也包括：在介电纳米结构的边缘上方形成内部间隔件；以及沿半导体纳米结构和内部间隔件的边缘形成连续半导...
    2025-11-30
  • 一种基于金属氧化物半导体的高性能柔性突触晶体管器件及其制备与应用
    一种基于金属氧化物半导体的高性能柔性突触晶体管器件及其制备与应用_华南理工大学_202510993702.2
    本发明公开了一种基于金属氧化物半导体的高性能柔性突触晶体管器件及其制备与应用。本发明通过设计具有高介电常数、低漏电流、优异电荷存储能力和耐弯折性能的复合栅介质层制备出一种具有大迟滞窗口的柔性突触晶体管。本发明所制备的器件在弯折后均保持大的电...
    2025-11-30
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