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最新专利技术
  • 一种自清洁抗菌功能陶瓷
    一种自清洁抗菌功能陶瓷_江西嘉鑫陶瓷有限公司_202510767743.X
    本发明涉及纳米陶瓷材料技术领域， 具体公开了一种自清洁抗菌功能陶瓷， 包括以下步骤：步骤S1、将二氧化钛粉体、复合粘结剂、功能凝胶、增塑剂和溶剂混合， 球磨18‑20h， 得复合浆料；步骤S2、将复合浆料置于模具中， 进行模压干燥， 得到生...
    2025-12-03
  • 钨镁酸铅基反铁电材料及其多层陶瓷器件的制备方法
    钨镁酸铅基反铁电材料及其多层陶瓷器件的制备方法_北京科技大学_202410522839.5
    本发明公开了用于固态制冷的钨镁酸铅基反铁电材料及其块体、多层陶瓷器件制备方法， 涉及Pb[(Mg0.5‑xB'x)(W0.5‑yB”y)]O3反铁电材料(其中， B'为Ni、Co、Fe、Zn中的一种或几种元素， B”为Mo、Re、Te中的一...
    2025-12-03
  • 一种高氧迁移率稀土基中熵陶瓷及其制备方法
    一种高氧迁移率稀土基中熵陶瓷及其制备方法_厦门鑫普创光电材料有限公司_202510907796.7
    本发明提供了一种高氧迁移率稀土基中熵陶瓷及其制备方法， 该方法包括：将稀土元素硝酸盐与过渡金属硝酸盐按设计摩尔比配制成混合金属离子溶液， 加入络合剂水溶液， 搅拌均匀， 形成多阳离子配位体系；向多阳离子配位体系中加入燃烧助剂及粘度调节剂， ...
    2025-12-03
  • LLZTO固态电解质及其制备方法和应用
    LLZTO固态电解质及其制备方法和应用_新疆大学_202511017679.X
    本发明属于电解质技术领域， 具体涉及LLZTO固态电解质及其制备方法和应用。本发明提出了一种改进的LLZTO固态电解质的制备方法， 先制备LLZTO床粉和LLZTO素坯粉， 并通过引入优化的配比、低温预烧结与两步烧结工艺， 显著降低了烧结温...
    2025-12-03
  • 一种五主元稀土高熵锗酸盐微波介电陶瓷及其制备方法
    一种五主元稀土高熵锗酸盐微波介电陶瓷及其制备方法_昆明理工大学_202511064798.0
    一种五主元稀土高熵锗酸盐微波介电陶瓷， 其化学计量表达式为(Sm0.2Gd0.2Nd0.2La0.2RE0.2)2Ge2O7；其制备方法包括以下步骤：按化学计量比称取各氧化物粉末进行球磨混合；将混合粉末在马弗炉中煅烧， 随后研磨并过筛；经第...
    2025-12-03
  • 一种抗高温CMAS腐蚀的高熵稀土磷灰石陶瓷材料及其制备方法
    一种抗高温CMAS腐蚀的高熵稀土磷灰石陶瓷材料及其制备方法_天目山实验室_202511341090.5
    本发明公开了一种抗高温CMAS腐蚀的高熵稀土磷灰石陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料组成成分的化学式为RexCay(SiO4)6On， 其中稀土元素Re选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、L...
    2025-12-03
  • 一种无压烧结碳化硅耐火陶瓷薄壁管及其制备方法
    一种无压烧结碳化硅耐火陶瓷薄壁管及其制备方法_陕西固勤材料技术有限公司_202511359030.6
    本发明涉及碳化硅耐火陶瓷薄壁管制备技术领域， 具体涉及一种无压烧结碳化硅耐火陶瓷薄壁管及其制备方法， 陶瓷管壁厚0.5‑3mm， 烧结后体积密度≥3.05g/cm³；本发明主相采用细粉与粗粉的双峰结构， 细粉填充孔隙提升致密度， 粗粉抑制晶...
    2025-12-03
  • 一种半导体重结晶碳化硅制品及其制备方法
    一种半导体重结晶碳化硅制品及其制备方法_沈阳星光新材料有限公司_202511374957.7
    本发明属于碳化硅陶瓷产品制备技术领域， 提供了一种半导体重结晶碳化硅制品及其制备方法。本发明将含有碳化硅的制备原料和水混合， 依次进行成型和烧结， 得到所述半导体重结晶碳化硅制品。本发明在烧结的第六保温的过程中引入含卤素气体能够去除碳化硅制...
    2025-12-03
  • SiSiC部件和加热器具
    SiSiC部件和加热器具_AGC株式会社_202510922187.9
    本发明涉及一种SiSiC部件， 是在内部设置有至少1个长孔的SiSiC部件， 具有管状区域A和管外区域B， 上述管状区域A为上述长孔的外周的区域， 上述管外区域B为上述管状区域A的外侧的区域， 与上述管状区域A中的Si单质的以体积％计的含量...
    2025-12-03
  • 一种利用高长径比β-Si3N4晶须制备多孔氮化硅陶瓷材料的方法
    一种利用高长径比β-Si3N4晶须制备多孔氮化硅陶瓷材料的方法_内蒙金属材料研究所_202510809278.1
    本发明属于陶瓷材料制备技术领域， 特别涉及一种利用高长径比β‑Si3N4晶须制备多孔氮化硅陶瓷材料的方法， 本发明的方法为：按照不同质量比称取高纯α‑Si3N4、不同长径比β‑Si3N4晶须、烧结助剂、分散剂， 以乙醇和去离子水为混合溶剂球...
    2025-12-03
  • 一种利用聚合物前驱体高温裂解同步制备柔性陶瓷纳米线薄膜和碳纳米管的方法
    一种利用聚合物前驱体高温裂解同步制备柔性陶瓷纳米线薄膜和碳纳米管的方法_西北工业大学_202511034047.4
    本发明公开了一种利用聚合物前驱体高温裂解同步制备柔性陶瓷纳米线薄膜和碳纳米管的方法， 属于一维纳米材料技术领域。该方法如下：制得Si3N4纳米线薄膜；将Si3N4纳米线薄膜裁剪为若干个大小相同的薄片， 将前驱体粉末和若干个薄片沿气体流向依次...
    2025-12-03
  • 等离子体辅助超细氮化硅粉体合成方法及应用
    等离子体辅助超细氮化硅粉体合成方法及应用_佛山市陶莹新型材料有限公司_202511142426.5
    本发明涉及等离子体辅助超细氮化硅粉体合成方法及应用， 属于氮化硅粉末制备技术领域。该方法包括三步等离子体处理：低温等离子体区破除液态含硅原料表面氧化膜和惰性层形成活化原料；高温等离子体区在Ar、NH3混合气中反应生成氮化硅晶核， 通过控制原...
    2025-12-03
  • 一种ABC新型结合剂、钢包无碳刚玉砖及其制备方法
    一种ABC新型结合剂、钢包无碳刚玉砖及其制备方法_内蒙古包钢利尔高温材料有限公司_202510931435.6
    本发明提供一种ABC新型结合剂、钢包无碳刚玉砖及其制备方法， ABC新型结合剂的制备原料包括以下质量份数的组分：Al2O3 50‑70份、CaO 10‑30份、BaO 10‑30份；ABC新型结合剂的制备方法包括以下步骤：将CaO与Al2O...
    2025-12-03
  • 氮化硅陶瓷坯体的叠层排胶方法、预烧结体的制备方法和基板及其制备方法
    氮化硅陶瓷坯体的叠层排胶方法、预烧结体的制备方法和基板及其制备方法_索罗曼(常州)合金新材料有限公司_202511056812.2
    本发明公开了一种氮化硅陶瓷坯体的叠层排胶方法、预烧结体的制备方法和基板及其制备方法， 涉及陶瓷材料技术领域。通过采用氮化硼多孔陶瓷板作为叠层中氮化硅生坯与氮化硅生坯之间的隔离材料， 极大地简化了工艺流程， 提高排胶的处理效率， 且氮化硼多孔...
    2025-12-03
  • 一种车轮轻量化用碳基复合材料的制备方法
    一种车轮轻量化用碳基复合材料的制备方法_扬州国佳新碳科技有限公司_202510963671.6
    本发明公开了一种车轮轻量化用碳基复合材料及其制备方法与应用， 属于汽车轻量化材料领域。该复合材料由石墨粉、椰壳粉、硫酸钙晶须、酚醛树脂水溶液、中温煤沥青及精萘粉、聚苯乙烯球按特定比例组成， 经低温粉碎、分级混合、冷压成型、阶梯干燥及碳化工艺...
    2025-12-03
  • 不定形泛镁质耐火浇注料
    不定形泛镁质耐火浇注料_元鼎耐火工业有限公司_202511017209.3
    本发明公开了一种不定形泛镁质耐火浇注料， 主要是将镁橄榄石、回收后的废旧镁钙砖再制耐火骨材， 经混合镁质耐火原料骨材、镁质耐火原料粉体、结合剂、分散剂与防爆纤维后， 制备成该不定形泛镁质耐火浇注料， 可提供于炼钢、水泥和玻璃陶瓷等高温工艺的...
    2025-12-03
  • 一种用于单晶炉的碳陶底部加热器制备方法及加热器
    一种用于单晶炉的碳陶底部加热器制备方法及加热器_四川高景太阳能科技有限公司_202511035657.6
    本发明提供一种用于单晶炉的碳陶底部加热器制备方法及加热器， 包括以下步骤：制备多层石墨烯包覆碳纤维预制体；将预制体编织成三维网状结构， 采用三维编织技术形成导电柱和导电环；步骤S3、采用CVI进行基体致密化， 制备碳化硅基体；高温热处理和表...
    2025-12-03
  • 一种碳/碳复合材料及其制备方法
    一种碳/碳复合材料及其制备方法_浙江德鸿碳纤维复合材料有限公司_202511364695.6
    本申请提供一种碳/碳复合材料及其制备方法， 制备方法包括：提供碳纤维布；对碳纤维布进行表面改性处理， 得到改性碳布；将第一树脂溶液浸入改性碳布， 干燥， 得到预浸碳布；将多个预浸碳布表面涂布第二树脂溶液后叠层贴合， 得到叠层碳布；对叠层碳布...
    2025-12-03
  • 预制金锡陶瓷封装结构、多层陶瓷封装结构及生产工艺
    预制金锡陶瓷封装结构、多层陶瓷封装结构及生产工艺_金华市芯瓷科技有限公司_202510799797.4
    本发明涉及一种预制金锡陶瓷封装结构、多层陶瓷封装结构及生产工艺， 解决现有技术中存在晶振底座这类封装结构在焊接时焊料片定位困难、金锡焊料消耗较大导致生产成本居高不下的问题。包括陶瓷基座和陶瓷盖板， 所述陶瓷基座上设有金属围坝， 当所述陶瓷基...
    2025-12-03
  • 一种CO传感器用气体扩散层及其制备方法
    一种CO传感器用气体扩散层及其制备方法_上海亿氢科技有限公司_202510977395.9
    本发明涉及一种CO传感器用气体扩散层及其制备方法， 其制备方法包括以下步骤：1)浆料制备：向混料设备内投入纯水、有机溶剂、添加剂， 搅拌混合后， 加入导电粉末， 搅拌均匀， 在混合液中加入疏水剂和造孔剂， 经混料设备搅拌混合， 制成气体扩散...
    2025-12-03
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