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最新专利技术
  • 雪崩光电探测器
    雪崩光电探测器_清华大学_202510823336.6
    本申请涉及一种雪崩光电探测器。所述雪崩光电探测器包括：至少一个雪崩光电探测单元；雪崩光电探测单元包括N型掺杂区、P型掺杂区、第一本征区、第二本征区和第三本征区；N型掺杂区、本征区和P型掺杂区沿第一方向依次设置；第一本征区、第二本征区和第三本...
    2025-11-21
  • 一种高增益的硫属化合物雪崩光电探测器及其制备方法
    一种高增益的硫属化合物雪崩光电探测器及其制备方法_西北工业大学_202510828962.4
    本发明提供了一种高增益的硫属化合物雪崩光电探测器及其制备方法， 解决现有InSe光电探测器存在光响应度与响应速度不能兼顾的问题。本发明所提供的技术解决方案是通过对器件的结构设计， 以及将具有不同掺杂或合金化的硫属化合物二维材料进行堆叠， 形...
    2025-11-21
  • 一种基于石墨烯的光电集成芯片及其制备方法
    一种基于石墨烯的光电集成芯片及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202510640502.9
    一种基于石墨烯的光电集成芯片及其制备方法， 所述方法步骤如下：在衬底上制备光波导；将石墨烯转移至波导上方并进行区域隔离， 形成电光调制器下层有源区和光电探测器沟道区， 并做好电光调制器的下层有源区接触电极和光电探测器的沟道两端接触电极；覆盖...
    2025-11-21
  • 降低键合白边宽度的方法
    降低键合白边宽度的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510779411.3
    本发明提供一种降低键合白边宽度的方法， 对第一晶圆和/或第二晶圆执行晶圆修边处理的步骤；在进行晶圆键合之前， 对待键合的第一晶圆和/或第二晶圆的边缘执行围边沉积处理， 以优化第一晶圆和/或第二晶圆的边缘轮廓；将经过围边沉积处理的第一晶圆和第...
    2025-11-21
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510779483.8
    本发明提供一种半导体器件的制造方法， 在半导体衬底上形成光电二极管区域和栅结构；在栅结构侧壁形成侧墙结构；在半导体衬底中形成源极/漏极区；在半导体衬底上沉积含预定掺杂元素的掺杂介质层；以及对半导体衬底进行热处理， 以使掺杂介质层中的预定掺杂...
    2025-11-21
  • 改善互补金属氧化物半导体图像传感器性能的方法
    改善互补金属氧化物半导体图像传感器性能的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510780306.1
    本申请公开了一种改善互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器性能的方法。该方法包括：在CMOS图像传感器的像素区域进行高能离子注入以形成阱区后；部分去除所述像素区域上存在的至少一层第一氧化层；以及在部分去除所述至少一层第一氧化层之后， 在...
    2025-11-21
  • 背照式图像传感器的制备方法
    背照式图像传感器的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510781895.5
    本申请提供一种背照式图像传感器的制备方法， 将网格型隔离沟槽结构分成两步刻蚀， 并且在刻蚀形成沿Y方向设置的第一深沟槽之后， 利用流动性较强的旋涂碳层填充第一深沟槽， 然后再刻蚀形成沿X方向设置的第二深沟槽。本申请通过两步刻蚀且利用流动性较...
    2025-11-21
  • 改善铝金属残留的方法
    改善铝金属残留的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510810036.4
    本发明公开了一种改善铝金属残留的方法， 包含：步骤一， 晶圆上包含底层金属层及位于底层金属层之上将其覆盖的金属铝；在进行光刻胶的曝光显影及刻蚀后打开金属铝的刻蚀窗口， 随后进行铝刻蚀， 将刻蚀窗口内的金属铝全部刻蚀；金属铝刻蚀结束后去除剩余...
    2025-11-21
  • 改善CIS硅损伤的方法
    改善CIS硅损伤的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510810049.1
    本申请提供一种改善CIS硅损伤的方法， 包括：步骤一， 提供一衬底， 在衬底上形成衬垫层， 在衬底的外围区域形成多个对准标记， 定义包括像素晶体管区在内的各功能区的位置；步骤二， 形成光阻层后， 对位于像素晶体管区的光阻层进行曝光、显影处理...
    2025-11-21
  • 图像传感器的制备方法
    图像传感器的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510815955.0
    本申请公开了一种图像传感器的制备方法， 包括：提供一衬底， 衬底表面依次形成有衬垫氧化层、刻蚀停止层、阻挡层和掩膜层；刻蚀掩膜层形成开口；通过开口刻蚀阻挡层形成第一凹槽；形成保护层覆盖掩膜层及第一凹槽的侧壁及底壁；刻蚀去除水平方向上的保护层...
    2025-11-21
  • 图像传感器制造方法
    图像传感器制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510815959.9
    本发明公开了一种图像传感器制造方法， 采用两次外延层形成工艺形成第一P型外延层及第二P型外延层， 可以分别在第一P型外延层及第二P型外延层先后进行两次N阱离子注入；双层P型外延层结构实现了两次N阱和P阱的离子注入， 可以采用低能量离子注入，...
    2025-11-21
  • 图像传感器及其制备方法、电子设备
    图像传感器及其制备方法、电子设备_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511263404.4
    本申请涉及一种图像传感器及其制备方法、电子设备， 包括：提提供像素阵列；基于灰阶掩膜版形成覆盖像素阵列的第一光阻层；灰阶掩膜版包括中心区， 以及环绕中心区且沿中心区的径向分布的多个外围区；中心区及多个外围区的透光率不同；于第一光阻层顶面形成...
    2025-11-21
  • 一种图像传感器及其制备方法
    一种图像传感器及其制备方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511264454.4
    本申请提供一种图像传感器及其制备方法， 包括：提供衬底， 在衬底上依次形成牺牲层和外延层；形成外延层和牺牲层的支撑柱， 并且支撑柱还延第一方向延伸设置， 第一方向垂直于衬底的厚度方向；刻蚀外延层， 以形成露出部分牺牲层的至少一个释放沟槽；以...
    2025-11-21
  • 成像装置
    成像装置_采钰科技股份有限公司_202411021235.9
    一种成像装置， 包括具有隔离区域的基板及像素阵列。像素阵列包括多个感测像素及多个相位检测自动对焦像素， 其中相位检测自动对焦像素中的每一者包括四个光电转换元件、彩色滤光片层及偏转元件。四个光电转换元件在基板内且通过隔离区域分隔开来。彩色滤光...
    2025-11-21
  • 像元桥面、像元结构及其制备方法、以及非制冷红外芯片
    像元桥面、像元结构及其制备方法、以及非制冷红外芯片_武汉高芯科技有限公司_202510894468.8
    本发明涉及一种像元桥面， 包括层叠设置的第一导电层以及敏感层， 第一导电层包括与敏感层电连接的两个电极， 每个电极包括并联的若干电阻， 敏感层采用VxOy材料。还提供一种像元结构， 包括桥腿、像元桥面以及用于支撑桥腿的第二支撑腿， 像元桥面...
    2025-11-21
  • 一种在晶体表面镀制像素化贵金属电极的方法和辐射探测成像元件
    一种在晶体表面镀制像素化贵金属电极的方法和辐射探测成像元件_奕瑞光芯(上海)科技有限公司_202510913091.6
    本发明属于辐射探测技术领域， 具体涉及一种在晶体表面镀制像素化贵金属电极的方法和辐射探测成像元件。本发明提针对现有工艺中电极机械稳定性差、厚度不均及与光刻工艺兼容性差的问题， 通过对碲镉化物晶片进行切割磨抛、Br‑MeOH 腐蚀、负胶光刻图...
    2025-11-21
  • 一种基于石墨烯的空间相机DSP芯片散热装置
    一种基于石墨烯的空间相机DSP芯片散热装置_浙江大学_202510927908.5
    本发明公开了一种基于石墨烯的空间相机DSP芯片散热装置。包括空间相机外壳和DSP芯片， DSP芯片固定安装于空间相机外壳内部， 还包括接触界面、石墨烯薄膜和金属封装壳体， 所述接触界面、石墨烯薄膜和金属封装壳体均安装在所述空间相机外壳内部，...
    2025-11-21
  • 曲面图像传感器芯片的制造方法
    曲面图像传感器芯片的制造方法_格科微电子(上海)有限公司_202410390452.9
    本发明提供一种曲面图像传感器的制造方法， 通过连接于感光单元阵列之间的金属线经预压处理形成有弯折部， 当多个感光单元阵列形成曲面时， 避免了由于不同视场的感光单元阵列的间距不一致造成的金属线断裂， 可以统一应用于凹面芯片及凸面芯片的制作过程...
    2025-11-21
  • 互补式金属氧化物半导体影像传感器及其制造方法
    互补式金属氧化物半导体影像传感器及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202410460906.5
    本发明提出了一种具有沟槽电容的互补式金属氧化物半导体影像传感器及其制造方法， 其中CMOS影像传感器具有一转移栅位于基底正面上、一光电二极管位于该转移栅一侧的该基底中、一浮动扩散区位于该转移栅另一侧靠近该正面的该基底中、一沟槽电容位于由该背...
    2025-11-21
  • 影像感测器
    影像感测器_采钰科技股份有限公司_202411068869.X
    一种影像感测器， 包含光电转换层、设置在光电转换层上的彩色滤光层、设置在彩色滤光层上的缓冲层、超颖层， 以及覆盖于超颖层上的抗反射层。超颖层包含设置在缓冲层上的衬里层以及在衬里层上的多个顶部微结构， 顶部微结构自衬里层沿远离光电转换层的方向...
    2025-11-21
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