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最新专利技术
  • 元胞结构及其制作方法、碳化硅器件、电子设备、车辆
    元胞结构及其制作方法、碳化硅器件、电子设备、车辆_比亚迪股份有限公司_202510750742.4
    本申请提供一种元胞结构及其制作方法、碳化硅器件、电子设备、车辆。该元胞结构应用于碳化硅器件， 元胞结构包括：基体， 具有沿基体的厚度方向相对的第一表面和第二表面；栅极结构， 设置于基体内；源极结构， 设置于基体内， 沿基体厚度的方向， 源极...
    2025-11-21
  • 多晶硅薄层电阻矩阵及其设计方法
    多晶硅薄层电阻矩阵及其设计方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510779423.6
    本发明公开了一种多晶硅薄层电阻矩阵的设计方法及一种多晶硅薄层电阻矩阵， 设计多晶硅薄层电阻矩阵的结构， 基于多晶硅薄层电阻在矩阵内部的位置， 设置其具有不同的预定关键尺寸， 该不同尺寸用于补偿LSA引入的位置相关RS变化；对该矩阵执行LSA...
    2025-11-21
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510445286.2
    提供形成半导体器件的方法。形成半导体器件的方法包括形成包括阻挡金属的初步背侧(BS)源极/漏极(S/D)触头。在一些实施方式中， 形成所述初步BS S/D触头包括沉积所述阻挡金属， 例如沉积所述阻挡金属作为侧壁间隔物。此外， 所述方法包括在...
    2025-11-21
  • 具有空气隙的内侧墙的制备方法和半导体器件
    具有空气隙的内侧墙的制备方法和半导体器件_中国科学院微电子研究所_202510714282.X
    本申请涉及半导体技术领域， 公开一种具有空气隙的内侧墙的制备方法和半导体器件。其中， 具有空气隙的内侧墙的制备方法包括如下步骤：提供衬底， 并在衬底上形成有源区和包覆部分有源区的伪栅结构。在伪栅结构的两侧形成牺牲侧墙。形成介质层， 介质层至...
    2025-11-21
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510810000.6
    方法包括：在衬底上方形成第一半导体层和第二半导体层；对第一半导体层和第二半导体层实施第一蚀刻工艺以形成第一鳍；横跨第一鳍形成栅极结构；实施第二蚀刻工艺以在第一鳍中形成第一凹槽和第二凹槽；去除第一半导体层；沿第二半导体层和衬底的暴露表面沉积第...
    2025-11-21
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510810006.3
    方法包括在突出鳍的旁边形成浅沟槽隔离区域。突出鳍包括第一半导体纳米结构和第二半导体纳米结构。方法还包括：在浅沟槽隔离区域上形成介电层；在突出鳍上方形成伪栅极堆叠件；以及实施注入工艺以形成保护层。保护层覆盖浅沟槽隔离区域。去除突出鳍中的牺牲层...
    2025-11-21
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510810015.2
    本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。浅沟槽隔离(STI)保护结构形成在纳米结构场效应晶体管(NSFET)器件的STI区上。STI保护结构在随后的选择性蚀刻工艺期间保护STI区， 以去除用于形成NSFET器件的一次性氧化物插入件(DOI...
    2025-11-21
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510830152.2
    本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。形成半导体器件的方法包括在中心区域形成从衬底突出的第一鳍， 在边缘区域形成从衬底突出的第二鳍， 第一鳍和第二鳍均包括鳍基底上的外延堆叠件和外延堆叠件上的硬掩模层。图案化材料沉积在第一鳍和第二鳍附近...
    2025-11-21
  • 集成的超长时间常数时间测量设备和制造过程
    集成的超长时间常数时间测量设备和制造过程_意法半导体(鲁塞)公司_202510866806.7
    本公开的实施例涉及集成的超长时间常数时间测量设备和制造过程。一种集成的超长时间常数时间测量设备包括串联连接的基本电容性元件。每个基本电容性元件由第一导电区域、介电层和第二导电区域的堆叠形成， 介电层具有的厚度适合于允许电荷通过直接隧道效应流...
    2025-11-21
  • 半导体器件和形成该半导体器件的方法
    半导体器件和形成该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510356184.3
    提供了一种半导体器件和形成该半导体器件的方法。一种半导体器件包括：源极/漏极(S/D)区。半导体器件包括背面(BS)接触， BS接触包括在S/D区的下表面上的上表面。此外， 半导体器件包括BS电源轨， 其在BS接触的下表面上并且通过BS接触...
    2025-11-21
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202510714284.9
    本申请涉及半导体技术领域， 公开一种半导体器件及其制备方法。其中， 半导体器件包括衬底、源漏区和接触结构层。源漏区设置于衬底上。接触结构层设置于源漏区的顶表面和侧面， 并伸入衬底与源漏区之间。本申请中， 通过接触结构层设置于源漏区的顶表面和...
    2025-11-21
  • 集成式低反向恢复半导体器件
    集成式低反向恢复半导体器件_无锡锡产微芯半导体有限公司_202511266649.2
    本发明涉及一种集成式低反向恢复半导体器件。其包括：半导体基板， 呈第一导电类型；有源区， 包括若干SGT元胞， 其中， 在有源区内， 至少在一个SGT元胞的一侧集成VDMOS单元， 所述VDMOS单元至少包括一个VDMOS器件， 所述VDM...
    2025-11-21
  • 半导体装置结构及其形成方法
    半导体装置结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202411835556.2
    一种半导体装置结构及其形成方法， 半导体装置结构包括垂直堆叠的多个半导体层、围绕各半导体层的一部分的栅极电极层、设置在栅极电极层与各半导体层之间的栅极介电层、与各半导体层的侧壁接触的第一源极/漏极特征， 其中第一源极/漏极特征包括第一半导体...
    2025-11-21
  • 固态断路器
    固态断路器_深圳平湖实验室_202511269689.2
    本公开提供的固态电路器， 包括相对设置的第一表面和第二表面；阳极， 位于第一表面所在侧；nJFET， 位于第二表面所在侧， nJFET包括n‑沟道层、第一源极和第一漏极， 其中， 第一源极和第一漏极沿第一方向排列， 第一漏极为固态断路器的阴...
    2025-11-21
  • 半导体器件结构及其制备方法
    半导体器件结构及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202510920921.8
    本申请公开了一种半导体器件结构及其制备方法， 其通过在器件区域两侧设置包含两个深沟槽隔离结构和其间掺杂区域的复合隔离结构， 并使掺杂区域与第一阱区具有相同的掺杂类型且在同一制造工艺步骤中形成， 从而在不增加额外光罩数量和制造工艺复杂度的条件...
    2025-11-21
  • 一种SOI器件的制备方法
    一种SOI器件的制备方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511211836.0
    本申请提供了一种SOI器件的制备方法， 属于半导体技术领域。所述方法为：提供第一衬底和第二衬底， 并对第一衬底和第二衬底进行预处理；将经预处理的第一衬底与第二衬底进行键合， 得到键合衬底；在键合衬底的需减薄表面贴附保护膜， 形成待减薄衬底，...
    2025-11-21
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_深圳市华星光电半导体显示技术有限公司_202410430985.5
    本申请提供了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括设置在外围电路区的第一薄膜晶体管和设置在显示区的第二薄膜晶体管， 第一薄膜晶体管具有第一有源层， 第二薄膜晶体管具有第二有源层；其中， 第一有源层的沟道长度小于第二有源层的沟道长度， 使得第...
    2025-11-21
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202411447369.7
    本揭露提供一种电子装置， 其包括基板、栅极驱动元件、第一开关元件、第二开关元件以及多个电子元件。栅极驱动元件设置于基板上。第一开关元件设置于基板上， 且具有第一栅漏电容。第二开关元件设置于基板上， 且具有第二栅漏电容。在第一方向上， 栅极驱...
    2025-11-21
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_北京京东方光电科技有限公司_202410396382.8
    本发明公开了显示面板及显示装置， 显示面板分为显示区和非显示区， 显示区包括：第一子显示区和第二子显示区；第一子显示区具有图像获取区， 第一子显示区的每一行中子像素的数量少于第二子显示区的每一行中子像素的数量；图像获取区包括：公共电极块和补...
    2025-11-21
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_成都辰显光电有限公司_202410406810.0
    本申请公开了一种显示面板及显示装置， 显示面板， 包括：基板；电极信号层， 设于基板一侧；发光二极管， 设于电极信号层背离基板一侧；过渡连接层， 设于发光二极管和电极信号层之间， 发光二极管通过过渡连接层和电极信号层电连接；触控层， 触控层...
    2025-11-21
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