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  • 本发明公开了一种用于交能融合的高速公路边坡光伏并网发电系统,涉及高速公路边坡光伏并网发电技术领域,包括主干电网调度感知模块、反送电特征数据采集模块、冲击强度评估与分类模块、分级功率调控执行模块以及自适应调控反馈模块;反送电特征数据采集模块,...
  • 本发明提供了基于边缘计算的布控球智能电网异常监测方法及设备,涉及电网监测技术领域,包括如下步骤:将布控球部署在电网的多个关键节点,实时采集实时电气数据、实时视频数据,获取电气正常范围数据、历史异常数据;确定电网的实时外观异常数据、实时电气异...
  • 本申请提供一种本质安全型PFC线路输出控制电路、充电设备和系统,通过设置BUCK单元、输出采样单元、参考电压设置单元、电压比较单元和PWM控制单元,BUCK单元与前级PFC电路、输出采样单元、PWM控制单元连接,通过输出采样电流获得输出采样...
  • 本申请涉及微电子、半导体及通信技术领域,揭示了一种高线性混频器芯片,所述高线性混频器芯片包括:耦合器电路结构、高线性混频器芯片结构,所述高线性混频器芯片结构包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、...
  • 本发明公开了一种中波数字广播发射机,具体涉及广播发射机领域,包括底框架,所述底框架的前后端分别设置有前端板和后端板,所述底框架的顶部设置有盖板,所述底框架两侧边的上下两侧位置处均向内凹陷形成凹面槽,所述凹面槽的一侧固定有固定框,上下两个所述...
  • 本发明涉及数据处理技术领域,具体涉及一种无线电测试系统用故障检测方法,包括:在无线电设备通信过程中,根据当前时刻与之前若干时刻的通信频率大小,以及相邻时刻的通信频率差异,确定当前时刻的无线电设备通信稳定性,根据当前时刻与之前若干时刻的陀螺仪...
  • 本发明公开了一种面向卫星通信的量子安全通信方法、电子设备、介质,包括:卫星客户端基于QUIC协议向地面服务端发送握手消息,地面服务端响应握手消息,从而完成握手。卫星客户端基于DTLS协议向地面服务端发送握手消息,地面服务端响应握手消息,使得...
  • 本发明涉及计算机技术领域,提供一种基于全同态加密的声纹验证方法、装置、设备及介质,方法包括第一服务器接收经过公钥加密的密文测试i‑vector特征向量和密文注册i‑vector特征向量,第二服务器接收公私钥对;根据接收的密文测试i‑vect...
  • 本申请涉及一种单片机的数据传输方法,一种单片机的数据传输方法包括向4G通信模块发送拨号指令,当4G通信模块基于接收到的拨号指令而切换至点对点协议数据模式时,基于LwIP协议栈构建点对点协议会话,基于点对点协议会话,执行协商操作;若协商操作协...
  • 本发明提供一种高鲁棒性的数据实时同步方法、系统、存储介质及电子设备,涉及数据同步技术领域,通过引入混合时间戳、分片增量校验和计算、采用基于消息队列的可靠传输机制与幂等处理协议,能够显著降低不同系统间的数据同步延迟,实现近乎实时的信息共享;同...
  • 本发明提供了一种多电荷耦合器件拼接宽幅相机在轨辐射定标方法,包括:获取具有多个电荷耦合器件的宽幅相机过境定标场时得到的拼接遥感图像数据;确定任意一个电荷耦合器件的绝对辐射定标系数作为参考电荷耦合器件,与参考电荷耦合器件的遥感图像数据有重叠区...
  • 本发明公开了智能化农业机械领域内的一种水稻秧盘视觉定位装置,包括两个基座和两个仿生眼机构,仿生眼机构包括仿生眼球、眼眶和仿生肌肉组件,仿生眼球前部设有微型摄像头,仿生肌肉组件包括上柔性绳、下弹性绳、左弹性绳和右柔性绳,上柔性绳一端与仿生眼球...
  • 本发明公开了一种麦克风低噪声模拟前端AFE电路,属于麦克风技术领域。包括麦克风等效模型电路,所述麦克风等效模型电路的输出端连接运算放大器AMP1的正输入端;所述运算放大器AMP1与两个电阻形成负反馈;所述运算放大器AMP1包括运算放大器输入...
  • 本发明公开了一种发声装置和电子设备,涉及电声换能技术领域,其中,发声装置包括壳体、沿第一方向安装于壳体两侧的第一发声单体和第二发声单体,第一发声单体和第二发声单体之间形成有前音腔,壳体开设有与前音腔相连通的出音孔;第一振动系统对应前音腔设置...
  • 本申请公开了一种基于无线适配器的音频输出路径切换方法、无线适配器及音频输出路径切换系统,该音频输出路径切换方法包括:检测与其无线连接的蓝牙设备的连接状态和佩戴状态;当检测到蓝牙设备处于断开连接或未佩戴状态时,无线适配器向主机设备发送第一控制...
  • 一种高电流密度IGBT器件,其包括P型集电区,N型漂移区,P型基区,N型发射区,栅极沟槽,发射极沟槽,绝缘介质层,以及发射极金属。在平行于器件表面的方向上,所述栅极沟槽呈连续的弓字形弯折结构并沿水平方向延伸,所述发射极沟槽位于相邻的两个栅极...
  • 本发明公开了一种半导体芯片的制造方法,涉及芯片制造领域,包括,选择晶圆进行沉积,在晶圆沉积的过程中采集沉积数据,并输入预构建的薄膜沉积优化模型,得到双层结构的晶圆,对双层结构的晶圆进行涂覆后定义引导模板,随后进行表面化学修饰并将PS圆柱嵌入...
  • 本发明公开了一种SiC MOSFET器件及其制备方法,应用于半导体技术领域,该器件中外延硅片上半部分中通过注入自下而上形成有P体区和N型有源区;N型有源区的上表面向下刻蚀有源极沟槽,源极沟槽的下表面伸入外延硅片中未被注入的区域;源极填充于源...
  • 本发明涉及MOS半导体技术领域,且公开了具有高K栅介质层和金属栅电极的金属氧化物半导体场效应晶体管,所述的金属氧化物半导体场效应晶体管由若干个相互并列的MOS元胞组成,单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极、栅极以及栅氧化层,所述栅...
  • 本申请涉及太阳能电池技术领域,提供了一种硅基太阳能电池及其制备方法,制备方法包括:提供硅基太阳能电池前驱体;在硅基太阳能电池前驱体表面上制备透明导电层,且透明导电层含有多条相互平行的线型凹槽;在凹槽底部制备钝化层;在透明导电层表面上制备金属...
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