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最新专利技术
  • 雾化装置
    雾化装置_比亚迪精密制造有限公司_202311820583.8
    本公开涉及一种雾化装置，该雾化装置包括壳体组件、压缩模块以及储存件。壳体组件内部设置有容纳腔，壳体组件包括雾化板和连通部，雾化板与连通部之间形成有雾化腔，雾化板设置有至少一个通孔，雾化腔通过通孔与外界连通，连通部内形成压缩腔、输入通道以及输...
    2025-08-22
  • 雾化装置
    雾化装置_比亚迪精密制造有限公司_202311819935.8
    本公开涉及一种雾化装置，该雾化装置包括进气口、出气口、混合腔以及压缩模块。混合腔与进气口通过气体通道连通，混合腔与出气口连通。压缩模块用于通过压强变化将待雾化介质雾化并输出至混合腔。雾化装置设置为，当对出气口吸气时，压缩模块能够响应吸气动作...
    2025-08-22
  • 一种用于提高益生菌活性并延长产品货架期的益生元组合物及其应用
    一种用于提高益生菌活性并延长产品货架期的益生元组合物及其应用_云浮市金宝罗生物科技有限公司_202311797783.6
    本发明涉及益生菌制品制备及储藏技术领域。本发明提供了一种用于提高益生菌活性的益生元组合物，所述益生元组合物包括低聚半乳糖、低聚果糖、甘露醇、谷胱甘肽、低聚异麦芽糖以及朝鲜蓟提取物。本发明还提供了含有该益生元组合物的冻干保护剂，以及所述益生元...
    2025-08-22
  • 一种含麦角硫因的组合物及其应用
    一种含麦角硫因的组合物及其应用_深圳市源龄之季生物科技有限公司_202311803359.8
    本发明公开了一种含麦角硫因的组合物，按重量计包含：5‑80份的麦角硫因；50‑800份的维生素C；1‑800份的选自以下一种或多种的组分：弹性蛋白、胶原蛋白肽、谷胱甘肽、香菇提取物、烟酰胺、光甘草定、四氢胡椒碱、熊果苷、维生素E、半胱氨酸。...
    2025-08-22
  • 从豆渣中提取的纤维素纳米纤维作为增稠剂的应用
    从豆渣中提取的纤维素纳米纤维作为增稠剂的应用_中国科学技术大学_202311824314.9
    本公开提供了一种从豆渣残渣中提取的纤维素纳米纤维作为增稠剂的应用，尤其是在食品领域作为饮料增稠剂的应用。本公开的豆渣纤维素纳米纤维添加到葡萄汁、椰汁、黄桃汁等需要增稠的液体中，可以实现优异的增稠效果，并且具有环保可持续、安全卫生、操作简单、...
    2025-08-22
  • 从羊栖菜残渣中提取的纤维素纳米纤维作为增稠剂的应用
    从羊栖菜残渣中提取的纤维素纳米纤维作为增稠剂的应用_中国科学技术大学_202311824221.6
    本公开提供了一种从羊栖菜残渣中提取的纤维素纳米纤维作为增稠剂的应用，尤其是在食品领域中作为增稠剂的应用。本公开的羊栖菜基纤维素纳米纤维添加到需要增稠的液体例如苹果汁、牛奶和苏打水等中，可以实现优异的增稠效果，而且具有操作简单、安全环保和稳定...
    2025-08-22
  • 2,6,10-三甲基十三烷在作为点蜂缘蝽绿色诱捕剂成分的应用
    2,6,10-三甲基十三烷在作为点蜂缘蝽绿色诱捕剂成分的应用_南京农业大学_202311805753.5
    本发明公开2,6,10‑三甲基十三烷作为点蜂缘蝽诱捕剂成分的应用。发明人发现2,6,10‑三甲基十三烷对大豆重大害虫点蜂缘蝽有强吸引力，利用该化合物可在田间诱捕控制点蜂缘蝽的数量，达到绿色防控的目的；与信息素组合使用，可明显提高诱捕效率，减...
    2025-08-22
  • 一种用于烯草酮的表面活性剂的制备方法
    一种用于烯草酮的表面活性剂的制备方法_南京自一界科技研发有限公司_202311799722.3
    本发明提供一种用于烯草酮的表面活性剂的制备方法，将原料加热将物料加热保温至50℃，逐一加入进行搅拌，直至完全均一浅黄色透明。所述原料包括十二烷基苯磺酸钙、十二酚聚氧乙烯醚、多苯乙烯基苯酚聚氧乙烯醚和环氧乙烷环氧丙烷高分子嵌段聚合物。本发明与...
    2025-08-22
  • 烯草酮EC表面活性剂及其应用
    烯草酮EC表面活性剂及其应用_南京自一界科技研发有限公司_202311799721.9
    本发明提供烯草酮EC表面活性剂及其应用，包括十二烷基苯磺酸钙、十二酚聚氧乙烯醚、多苯乙烯基苯酚聚氧乙烯醚和环氧乙烷环氧丙烷高分子嵌段聚合物。通过添加合适的表面活性剂产品经过合理配伍，能够保证配制出的制剂产品符合各项要求，所用原材料不含烷基酚...
    2025-08-22
  • 圆柱形的二次电池和电子装置
    圆柱形的二次电池和电子装置_厦门新能安科技有限公司_202380073671.8
    本申请提供了一种圆柱形的二次电池和电子装置，圆柱形的二次电池包括负极极片，负极极片包括负极集流体和位于负极集流体至少一个表面上的负极材料层，负极材料层包括第一负极材料层和第二负极材料层。第一负极材料层位于负极集流体和第二负极材料层之间，第一...
    2025-08-22
  • 薄膜电容器用膜
    薄膜电容器用膜_株式会社可乐丽_202380081884.5
    本发明提供一种含有包含3‑甲基‑1‑丁烯系聚合物的树脂组合物而成的薄膜电容器用膜。
    2025-08-22
  • 缝纫机用压布部件
    缝纫机用压布部件_株式会社铃木制作所_202380082284.0
    本发明提供一种缝纫机用压布部件，其能够防止附件脱落，而且能够容易地进行附件的更换。与缝纫机的压脚杆的下端连结的板状压布部件(1)包括：主体部(2)；一对臂部(5、6)，其沿着送布方向从主体部(2)延伸；以及附件(3)，其拆装自如地嵌入固定于...
    2025-08-22
  • 粘着剂组合物、粘着片、层叠体及包括此层叠体的显示器
    粘着剂组合物、粘着片、层叠体及包括此层叠体的显示器_爱天思株式会社_202380079735.5
    本发明提供一种即使在使用生物来源的材料的情况下，也同时具有粘着力、耐热性、耐湿热白化性、耐逸气性、耐光性、低介电常数、耐金属腐蚀性的粘着剂组合物、使用了此粘着剂组合物的粘着片、层叠体及显示器。所述课题通过含有丙烯酸系聚合物(A)以及硬化剂(...
    2025-08-22
  • 共聚物、其制造方法及包含共聚物的固化体
    共聚物、其制造方法及包含共聚物的固化体_电化株式会社_202380078520.1
    本发明提供一种新型共聚物，其在未固化状态下显示优异的低介电特性，并且于室温显示高的弹性模量。α烯烃‑环状烯烃‑芳香族多烯共聚物，其中，未固化状态的共聚物在40GHz的测定频率下的介电常数小于2.4，介质损耗角正切小于0.0008，于25℃测...
    2025-08-22
  • 宠物咀嚼用品
    宠物咀嚼用品_IMS贸易有限责任公司_202380079597.0
    一种宠物咀嚼制品，其由多个物理接合的挤出物形成，所述挤出物包含第一挤出物和第二挤出物；其中所述第一挤出物是多孔的，并且由含有淀粉的第一挤出组合物形成；其中所述第二挤出物由含有肉的第二挤出组合物形成；并且其中所述第一挤出物含有孔径在0.5至3...
    2025-08-22
  • 一种薄膜及其制备方法、光电器件以及显示装置
    一种薄膜及其制备方法、光电器件以及显示装置_广东聚华印刷显示技术有限公司_202311834283.5
    本申请实施例涉及显示领域，尤其涉及一种薄膜及其制备方法、光电器件以及显示装置；其中，薄膜的材料包括N型半导体材料和过渡金属碳化物。本申请提供的技术方案能够提升薄膜的载流子传输性能。
    2025-08-22
  • 自旋轨道矩磁存储器及其制备方法
    自旋轨道矩磁存储器及其制备方法_中电海康集团有限公司_202311835701.2
    本发明提供一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法，自旋轨道矩磁存储器包括自下而上堆叠的自旋轨道矩提供层和磁隧道结；自旋轨道矩提供层包括自下而上堆叠的第一重金属层、插层和第二重金属层，第一重金属层和第二重金属层的材料均为β相的重金属材料，第一重金...
    2025-08-22
  • 一种存储单元、其制作方法、铁电存储器及电子设备
    一种存储单元、其制作方法、铁电存储器及电子设备_华为技术有限公司_202311831799.4
    本申请提供一种存储单元、其制作方法、铁电存储器及电子设备，用以提升铁电存储器的性能。存储单元包括：第一电极、第二电极和铁电层，铁电层位于第一电极与第二电极之间。铁电层中的氧空位浓度在第一方向上呈梯度分布，第一方向为第一电极指向第二电极的方向...
    2025-08-22
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统
    半导体结构及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202311850918.0
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统，旨在减小相邻两个垂直晶体管之间的漏电。本申请实施例提供的半导体结构中，包括多个沿第二方向间隔设置的半导体柱，栅极结构和隔离结构交替间隔设置在相邻两个半导体柱之间；栅极结构和相邻的半导体...
    2025-08-22
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统
    半导体结构及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202311850819.2
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统，旨在减小相邻两个垂直晶体管之间的漏电。本申请实施例提供的半导体结构中，包括多个沿第二方向间隔设置的半导体柱，栅极结构和隔离结构交替间隔设置在相邻两个半导体柱之间；栅极结构和相邻的半导体...
    2025-08-22
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