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  • 本发明公开了一种结合多分辨率分析和主成分分析的tACS伪迹去除方法、装置、设备及介质,其中方法包括:获取脑电信号;采用采用基于小波变换的多分辨率分析方法对脑电信号进行划分处理,获得不同尺度的小波系数;采用PCA算法对小波系数进行主成分分析,...
  • 本发明公开了一种单层板及柜体,包括面板和若干第一加强筋,所述面板的四周设有两条第一包边和两条第二包边,若干第一加强筋设于面板的底面,且多条第一加强筋与第一包边平行设置。本发明提供的单层板及柜体,通过具有包边的面板和加强筋组装成单层板,并且多...
  • 本公开涉及通信技术领域,具体涉及周期确定方法、通信设备和存储介质,其中,所述周期确定方法包括:确定可用评估阈值;确定所述第一接收机,所述第一接收机与所述可用评估阈值关联;根据所述第一接收机关联的周期确定评估周期,其中,所述评估周期用于确定是...
  • 本发明提供一种多功能器件、芯片、多功能器件控制方法和装置,属于芯片技术领域。多功能器件包括:信号感知单元,用于采集光信号和/或热信号,包括相变器件、与相变器件的第一侧连接的第一电极以及与相变器件的第二侧相连接的第二电极;磁存储单元,用于存储...
  • 本发明属于半导体存储器技术领域,具体为一种基于二维材料的超短沟道非易失闪存器件及其制备方法。本发明通过原子级薄层沟道和栅叠层设计降低特征长度,从而促进器件尺寸微缩;该器件通过能带设计和范德华堆叠高质量界面降低隧穿势垒,实现十纳秒级编程/擦除...
  • 本发明属于半导体存储器技术领域,具体为一种基于二维半导体材料的电荷超注入存储器及其制备方法。本发明通过存储叠层能带设计,在实现闪存的非易失性存储特性;通过横向电场设计以及器件的仿真模拟设计,利用二维半导体材料的原子级薄层特性,显著增强最大横...
  • 本发明属于半导体存储器技术领域,具体为一种基于二维材料闪存器件与CMOS的存储芯片及其制备方法。本发明存储芯片包括由CMOS工艺制备的带有存储器外围电路的衬底以及由二维材料闪存器件构建的闪存阵列;带有存储器外围电路的衬底包括:底层衬底;衬底...
  • 本发明属于半导体存储器技术领域,具体为一种超洁净、可扩展的二维闪存规模化集成方法。本发明通过超洁净界面工程和可扩展的材料堆叠设计,实现规模化的二维闪存阵列集成。本发明具有超洁净的界面特性,可实现原子级平整度的异质界面;具备高度可扩展性,适用...
  • 本发明属于半导体存储器技术领域,具体为一种基于二维材料的超快FN隧穿闪存器件及其制备方法。本发明利用二维材料能带工程与界面工程,有效提高存储器件的编程效率,该存储器在纳秒级的擦写速度下,具备十年非易失存储保持能力,且快速擦写操作循环寿命高达...
  • 本发明属于无线通信技术领域,公开了多RIS辅助的移动用户定位方法及系统,方法包括:构建基站和各个移动用户之间的直接和间接信道状态信息矩阵、任意两个移动用户之间的协同链路信道状态信息矩阵,利用最大似然估计法对移动用户的初始位置进行估计,根据移...
  • 本申请提供了一种主动降噪自动调节方法、装置、耳机及程序产品,方法包括:在确定耳机的主动降噪功能开启的情况下,控制耳机的扬声器发出提示音;获取耳机的反馈麦克风采集的提示音的音频信号;对提示音的音频信号进行频谱分析,得到第一频谱;确定第一频谱与...
  • 本发明公开了一种游戏数据加解密方法及系统,客户端接收服务器发送的与游戏接口对应的缺失数独矩阵的缺失元素,客户端基于缺失元素对游戏接口的游戏接口数据进行加密,得到加密数据,其长度与原始的游戏接口数据的长度一致,客户端将加密数据和缺失元素发送至...
  • 本申请提供了一种基于机械天线的跨域通信系统和方法,应用于通信技术领域,包括信号发送单元和信号接收单元。信号发送单元中,对待发送信号的预调制处理,而后增强待发送信号强度,并将待发送信号转换为电磁波发射。接收单元中,接收电磁信号,减少电磁信号噪...
  • 本说明书提供了一种数据压缩方法及相关设备。该方法包括:从数据库存储的待压缩数据中抽取出部分数据作为数据样本;对所述数据样本进行数据特征提取,确定出与所述数据样本相匹配的目标数据特征;从多种压缩算法中确定出与所述目标数据特征相匹配的目标压缩算...
  • 本发明涉及电力系统调频领域,提供一种一次调频能力分析方法、装置、设备、介质及程序,方法包括:获取电力系统各调频资源对应的一次调频模型,以及获取系统的最大允许频差;其中,一次调频模型是基于在先构建的电力系统仿真模型获取的;根据最大允许频差,调...
  • 本发明涉及一种基于光学参量谐振腔选模的高阶横模压缩态制备装置,属于量子态光场产生技术领域。激光源输出的基频光和泵浦光经模式转换模块产生高阶横模光场,然后入射至光学参量谐振腔内与非线性晶体发生参量下转换。通过将光学参量谐振腔的腔长锁定在与高阶...
  • 本发明涉及电池隔膜技术领域,提出了一种抗穿刺电池隔膜及其制备方法,一种抗穿刺电池隔膜包括基膜和涂层,涂层的原料包括以下重量份的组分:聚甲基丙烯酸甲酯3~10份、线性水合硅酸铝80~120份、分散剂1~3份、增稠剂0.5~1.5份、粘结剂4~...
  • 本发明涉及电池技术领域,具体地,涉及一种电池极片激光清洗方法,在极耳槽位上进行保护层涂敷,保护层为包括粉体类材料和胶粘剂类材料的复合材料层,可防止激光清洗对极片箔材造成损坏,且由于保护层为粉体类材料和胶粘剂类材料复合而成,粉体类材料具有一定...
  • 本发明涉及电缆技术领域,且公开了一种舰船用水密控制电缆,包括内区与外区,外区内部包含内区,内区由导体、绝缘、第一绕包、分屏区组成,绝缘包裹于导体外圈,第一绕包包裹于绝缘外圈,分屏区包裹于第一绕包外圈;外区由填充、第二绕包、第一护套、铠装、第...
  • 本申请涉及智能驾驶技术领域,特别涉及一种基于稀疏实例引导的高效多模态融合检测方法及装置,包括:将目标场景中的至少一个点云体素特征转换为至少一个点云鸟瞰特征,将至少一个图像透视特征转换为至少一个图像鸟瞰特征;对至少一个点云鸟瞰特征中的关键位置...
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