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一种双槽结构的晶圆表面清洗设备
本发明涉及半导体晶圆清洗技术领域,且公开了一种双槽结构的晶圆表面清洗设备,包括底板,所述底板顶部固定连接有池体,所述池体内部开设有漂洗槽和冲洗槽,所述池体顶部设置有主体板,所述主体板上设置有控料机构,所述控料机构包括套筒,所述套筒上通过螺纹...
晶圆边缘扫描方法、系统及存储介质
本公开提供了一种晶圆边缘扫描方法、系统及存储介质。首先获取晶圆边缘的目标参考轮廓,为后续区域划分与扫描控制提供基准依据。之后根据目标参考轮廓确定晶圆边缘不同位置的几何特征值,然后根据几何特征值将扫描路径划分为第一区域和第二区域。最后生成对应...
一种功率半导体器件的无尘封装系统及方法
本发明涉及半导体器件封装技术领域,尤其为一种功率半导体器件的无尘封装系统及方法,包括内置电机的工作台、与外部支架连接的外置连接件和激光头,工作台上端转动连接有转料盘,转料盘上端中间固定连接有控制环,转料盘正中心安装有与内置电机主轴连接的动力...
基板处理装置
本发明提供一种基板处理装置。在基板保持部,气体供给部在基板的下表面与基部的基面之间送出气体,形成趋向径向外方的气流。分隔板在基部的基面上与基板的外周缘相比配置在径向外侧,包围基板的周围。分隔板的内周缘与基板的外周缘在径向上彼此分离并且相对置...
一种整流桥堆二极管装配辅助工具
本发明涉及辅助装配技术领域,尤其是涉及一种整流桥堆二极管装配辅助工具,一方面在装载台中设置料带导出槽,在通过裁切机构裁切加工后从二极管分离的料带提供一个导向下料的作用,以避免其产生凌乱或者卷绕状,确保二极管裁切装配加工的顺畅进行;本方案还在...
一种晶圆检测系统
本发明公开一种晶圆检测系统,包括EFEM工位、2D工位和3D工位,在所述EFEM工位、所述2D工位和所述3D工位两两之间通过运行定位控制程序的机械手臂实现晶圆搬运;所述EFEM工位用于将晶圆从上料盒区域装载至所述2D工位,所述2D工位用于检...
基板处理装置及基板处理方法
本发明涉及基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置构成为能够进行向基板的上表面供给漂洗液的漂洗处理及使漂洗处理后的基板干燥的干燥处理。基板处理装置包括:对表示基板的上表面的状态的物理量进行检测的状态检测装置;和对基板的上表面是否是干燥的进行...
生产系统和制造方法
本公开涉及生产系统和制造方法。一种生产系统,所述生产系统被配置为对基板执行多个处理,所述生产系统包括:第一处理室,在所述第一处理室中对基板执行第一处理;第二处理室,在所述第二处理室中对基板执行第二处理,所述第二处理室被提供在所述第一处理室的...
基板处理装置
本发明提供一种可抑制从对基板进行处理的处理室排出到基板处理装置外的气体中包含微粒的基板处理装置。实施方式的基板处理装置包括:处理室(50),构成对基板(W)进行处理的空间;旋转保持部(10),对基板(W)进行保持并使其旋转;处理液供给部(2...
处理液调整装置、基板处理装置及处理液调整方法
本发明提供一种处理液调整装置、基板处理装置及处理液调整方法,其中,可在短时间内获得溶解有二氧化硅的所期望的温度的磷酸溶液。实施方式为一种处理液调整装置,其与基板的处理装置连接,所述处理液调整装置具有:新液供给控制部,使处理液供给部向调整箱内...
基板处理装置及基板处理方法
本发明提供一种抑制供给至基板的下表面的处理液的温度降低的基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置(1)包括:旋转保持部(10);下表面喷出喷嘴(32);下表面供给管(33);加热部(35);流量调整部(38);以及控制装置(40),控制装置...
一种半导体工艺设备和一种半导体工艺设备的控制方法
本发明实施例提供了一种半导体工艺设备和一种半导体工艺设备的控制方法,包括:工艺腔室,与工艺腔室连通的压力检测模块,和控制模块;压力检测模块,用于在工艺任务开始前检测大气压力;控制模块,用于获取工艺腔室中的工件进行工艺任务的预设工艺配方,包括...
一种陪片管理方法及系统
本申请提供一种陪片管理方法及系统,包括:获取生产线内的陪片安存数量以及当前陪片数量;在当前陪片数量小于陪片安存数量时,生成陪片需求信息(包括陪片属性和待运输陪片数量);基于陪片需求信息,生成陪片运输指令,以指示物料运输系统采用陪片属性对应的...
工艺腔室、半导体工艺设备及半导体器件的制备方法
本申请提供了一种工艺腔室、半导体工艺设备及半导体器件的制备方法,该工艺腔室包括第一工艺腔室、第二工艺腔室和多个顶针机构;第二工艺腔室的侧壁与第一工艺腔室的底壁的部分合围形成顶部具有传输口的筒状结构;第一工艺腔室和第二工艺腔室对晶片执行不同的...
进气装置及热处理设备
本公开提供一种进气装置及热处理设备。进气装置设置在热处理设备的反应腔的进气侧,进气装置包括进气端口和气体导引部分。进气端口连接气体源以将气体输送到反应腔中实施热处理。气体导引部分与进气端口连通,气体导引部分被定位在反应腔内,并且包括沿第一方...
刻蚀机台挡控片更换方法、挡控片更换的控制方法及设备
本申请提供一种刻蚀机台挡控片更换方法、挡控片更换的控制方法及设备,将机台内的挡控片划分为多组挡控片,记录机台内每组挡控片中各个挡控片的使用次数,至少一组控片组中存在使用次数达到最大上限的挡控片时,刻蚀机台接收对应数量的新的控片组,并利用新的...
晶圆测试系统及晶圆测试方法
本申请提供一种晶圆测试系统及晶圆测试方法,涉及晶圆测试技术领域,用于解决晶圆测试过程中存在晶圆被污染及破损的风险从而影响晶圆测试准确度的技术问题,该晶圆测试系统包括:入料仓,入料仓用于接收待测试晶圆;至少两个测试台,测试台用于对晶圆进行测试...
一种半导体处理设备中的基片支撑座温度控制方法和系统
一种半导体处理设备中的基片支撑座温度控制方法和系统,电阻测量模块在线测量加热电阻的当前阻值,阻值核验模块根据加热电阻的当前阻值和初始阻值计算加热电阻的阻值变化率,变化率小于或等于阈值时,将当前阻值作为加热电阻的更新阻值保存至阻值更新模块,温...
步进式激光退火设备及步进式激光退火方法
本发明提供步进式激光退火设备及步进式激光退火方法,激光单元用于提供对晶圆进行退火的激光光源;空间光调制器用于根据晶圆的退火区域调制激光光源的光斑形貌,以根据空间光调制器调制后的光斑形貌对晶圆进行退火。空间光调制器进行光斑形貌的调制输出,使得...
一种晶片清洗工艺
本发明涉及一种晶片清洗工艺,属于晶片清洗技术领域,通过晶片清洗系统操作,包括如下步骤;步骤1、来料输送;通过第一输送机将晶片输送至清洗机进料侧;步骤2、清洗机上料;通过第一机械手将第一输送机上的晶片输送至清洗机的上料位置,再通过清洗机自带的...
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