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最新专利技术
  • 一种半导体封装结构及其制备方法
    一种半导体封装结构及其制备方法_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202512058819.4
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体封装结构及其制备方法，包括：主动散热模块，包括层叠的测温层和散热层；测温层内集成有多个测温热电偶；散热层包括第一线路层、第二线路层、以及位于第一线路层和第二线路层之间的多个水平间隔排列的P型半导体导...
    2026-04-10
  • 一种适用于高功率密度氮化镓功率器件的集成微通道散热结构及其制备方法
    一种适用于高功率密度氮化镓功率器件的集成微通道散热结构及其制备方法_常州大学_202511991187.0
    本发明涉及功率器件热管理技术领域，尤其涉及一种适用于高功率密度氮化镓功率器件的集成微通道散热结构及其制备方法，所述散热结构由下至上依次为金属密封层、硅衬底和氮化镓基器件层；所述硅衬底的底壁上开设有交错狭缝阵列布局的微流道，所述微流道正对所述...
    2026-04-10
  • 一种多芯片集成并含有液冷散热装置的封装结构
    一种多芯片集成并含有液冷散热装置的封装结构_上海芯旺微电子技术股份有限公司_202511719637.0
    本发明公开了一种多芯片集成并含有液冷散热装置的封装结构，属于电子设备的封装及热管理技术领域。包括：多颗芯片、转接板和载板；多颗芯片分别设置在转接板的正面上，转接板的背面设置在载板上；转接板内部制作有液冷通道、进液口和出液口，进液口和出液口分...
    2026-04-10
  • 一种预封装芯片散热模块
    一种预封装芯片散热模块_江西德尔诚半导体有限公司_202511680147.4
    本发明涉及芯片封装技术领域，提供一种预封装芯片散热模块，包括：预制外壳，其上开有容许芯片置入的芯片封装槽；所述预制外壳的表面一侧设有一贯通两侧横截面的通道，所述预制外壳上从所述通道边缘向内依次安装有细丝电极和环形电极，所述细丝电极和所述环形...
    2026-04-10
  • 一种钻石玻璃复合衬底及其制备方法
    一种钻石玻璃复合衬底及其制备方法_北京芯基科技有限公司_202511991162.0
    本发明公开了一种钻石玻璃复合衬底及其制备方法，涉及半导体封装领域。该复合衬底以金刚石颗粒为骨料、玻璃相为填缝粘接剂，金刚石颗粒表面包覆有硅基过渡层，硅与金刚石形成硅碳键紧密结合，改善界面润湿性并降低热阻。金刚石颗粒采用0.5～500微米多粒...
    2026-04-10
  • 半导体封装件及其制法
    半导体封装件及其制法_华泰电子股份有限公司_202411336356.2
    本发明之半导体封装件包含：基板，具有顶面与底面；芯片，设置在该基板的该顶面上；导热材料，设置在该芯片与该基板之间，用以将该芯片附着在该基板上；复数焊线，各该焊线的一端连接到该芯片而另一端连接到该基板的该顶面；封胶体，形成在该基板的该顶面上并...
    2026-04-10
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_合肥玖福半导体技术有限公司_202511954303.1
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，属于半导体领域。该装置包括通过固定组件可以固定位置的上嵌板和下嵌板，通过上嵌板和下嵌板限制芯片的位置，同时在上嵌板和下嵌板表面均固定若干连接杆，连接杆端部设置与散热柱适配的固定环，且上嵌板和下嵌板同侧...
    2026-04-10
  • 一种组合式散热器
    一种组合式散热器_上海安勤智行汽车电子有限公司_202511937862.1
    本发明涉及散热器技术领域，公开了一种组合式散热器，通过采用若干散热单元与若干安装单元一一对应设置的设计，实现了散热单元的灵活组合与高度调节功能；这种设计允许用户根据实际散热需求，自由装配散热单元，形成不同尺寸和/或形状的整体结构，从而能够精...
    2026-04-10
  • 同心圆结构铜热沉
    同心圆结构铜热沉_上海交通大学_202411355578.9
    一种同心圆结构铜热沉，包括：设置于芯片的待热沉表面的中心主圆以及若干位于其外部不同半径的同心设置的外部圆环，其中：各个外部圆环之间及其与中心主圆之间通过半径方向的连接杆相连。本发明满足先进大功率芯片工作过程对散热以及维持可靠性的需求，在芯片...
    2026-04-10
  • 芯片封装结构、电子设备及制备方法
    芯片封装结构、电子设备及制备方法_甬江实验室_202511670728.X
    本申请提供了一种芯片封装结构、电子设备及制备方法，涉及半导体器件封装技术领域，该芯片封装结构包括第一电路板，第一电路板包括相对的第一表面和第二表面。第二电路板设置于第一表面，且与第一电路板电连接。功率芯片嵌入到第二电路板中。第一热界面材料层...
    2026-04-10
  • 包括外壳的半导体模块
    包括外壳的半导体模块_英飞凌科技股份有限公司_202511343096.6
    本文公开了一种包括外壳的半导体模块。一种半导体模块包括：基板，基板包括电介质绝缘层和布置在电介质绝缘层上的至少第一金属化层；以及外壳，外壳包括侧壁，侧壁限定外壳的内部体积，其中，外壳被布置成使得基板布置在由侧壁限定的内部体积内，其中，金属化...
    2026-04-10
  • 一体成型的芯片微通道散热装置加工工艺
    一体成型的芯片微通道散热装置加工工艺_昆山江鸿精密电子有限公司_202512037326.2
    本发明涉及芯片散热技术领域，尤其涉及一种一体成型的芯片微通道散热装置加工工艺。其包括粉末预处理、混合、模具成形、压制成形、烧结及后处理等模块，通过在金刚石微粉表面沉积过渡金属层，结合精密模压与真空烧结，实现微通道结构的一体化近净成形。本发明...
    2026-04-10
  • 一种叠层式芯片微通道散热装置的加工工艺
    一种叠层式芯片微通道散热装置的加工工艺_昆山江鸿精密电子有限公司_202512037322.4
    本发明涉及芯片微通道技术领域，尤其涉及一种叠层式芯片微通道散热装置的加工工艺。包括以下步骤：提供芯片本体并在其上表面固定连接导热过渡层，提供若干金属薄板，材质为高导热铝合金或铜合金，在每片金属薄板上通过激光切割、电火花线切割或光化学蚀刻工艺...
    2026-04-10
  • 电熔丝的制备方法、电熔丝及半导体集成结构
    电熔丝的制备方法、电熔丝及半导体集成结构_芯联集成电路制造股份有限公司_202511994584.3
    本申请实施例涉及一种电熔丝的制备方法、电熔丝及半导体集成结构，通过在半导体材料层内形成第一屏蔽栅沟槽结构；执行刻蚀工艺，以形成若干接触孔，并且借助第一屏蔽栅沟槽结构中的隔离介质层的第一区域形成容纳孔；容纳孔的开口面积大于接触孔的开口面积，从...
    2026-04-10
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411450500.5
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中半导体元件包含一第一晶圆以及一第二晶圆。第一晶圆包含一第一基底以及一第一电感层。第一电感层包含一第一金属线以及一第一互连结构，其中第一金属线设置于第一基底上，且第一互连结构与第一金属线电连接。第二晶...
    2026-04-10
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202511395919.X
    半导体装置包括：位线，其在第一方向上延伸；第一栅电极，其在第二方向上在位线上延伸；第一栅极绝缘图案，其包括覆盖第一栅电极在第一方向上的相对侧壁中的每一个和第一栅电极在第二方向上的端部的第一部分和接触第一部分并在第二方向上延伸的第二部分；沟道...
    2026-04-10
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202511045546.3
    本发明提供了一种半导体器件以及一种用于制造半导体器件的方法。该半导体器件包括基板、在基板的上表面上的第一布线图案和在基板的上表面上的第二布线图案。第一布线图案包括第一晶体和在水平方向上与第一晶体相邻的第二晶体。第一晶体和第二晶体中的每个的晶...
    2026-04-10
  • 半导体装置和半导体装置的制造方法
    半导体装置和半导体装置的制造方法_三星电子株式会社_202510838603.7
    提供半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置，包括：基体绝缘层，包括第一区域和第二区域；无源元件，包括在基体绝缘层的第一区域上的第一导电区域和第二导电区域；以及晶体管，在基体绝缘层的第二区域上。无源元件的第一导电区域的一部分和第二导...
    2026-04-10
  • 一种半导体功率器件及其制备方法
    一种半导体功率器件及其制备方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511950736.X
    本申请属于半导体制造技术领域，提供一种半导体功率器件及其制备方法，半导体功率器件包括彼此键合连接的功率元件和保护元件，功率元件包括第一主体结构、第一电极、第二电极、第一键合层、第一键合焊盘和第二键合焊盘，保护元件包括第二主体结构、第二键合层...
    2026-04-10
  • 萧特基二极管及其制作方法
    萧特基二极管及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411450450.0
    本发明公开一种萧特基二极管及其制作方法，其中制作萧特基二极管的方法，其主要先形成一鳍状结构于一基底上，然后形成一外延层于该鳍状结构内，形成一第一接触插塞于该外延层上，再形成一第二接触插塞于该外延层旁的该鳍状结构上。其中该第一接触插塞包含欧姆...
    2026-04-10
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