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一种SOI材料的制备方法与SOI晶圆
本发明属于半导体加工制造技术领域,本发明提供了一种SOI材料的制备方法与SOI晶圆,该制备方法包括在第一衬底上依次制备形成氮化铝层、氧化铝层和顶层硅,得到第一键合体;提供设置有埋氧层的支撑衬底作为第二键合体,对第一键合体与第二键合体实施键合...
一种键合晶圆的修边方法及一种晶圆
本申请提供一种键合晶圆的修边方法及一种晶圆,涉及晶圆制备技术领域,可以降低晶圆修边过程中的碎边和破片风险。该修边方法包括:依次对第i片晶圆处理形成N片晶圆堆叠,对第i片晶圆处理包括:对第i片晶圆的正面边缘区域修边,修边后的第i片晶圆呈凸台状...
一种高纯度低缺陷半导体晶圆的制备方法及配方
本发明公开了一种高纯度低缺陷半导体晶圆的制备方法及配方,涉及半导体晶圆制备技术领域,包括起始多晶硅原料、稀土复合氧化物添加剂和痕量功能性掺杂剂;所述稀土复合氧化物添加剂为Yb2O3与Er2O3的混合物,其质量比为1 : 1~3 : 1,添加...
热氧化方法和热氧化装置
本申请提供了一种热氧化方法和热氧化装置。该方法用于提高碳化硅晶片的片内均匀性,热氧化方法包括:提供多个待热氧化晶片和多个第一预备晶片,待热氧化晶片的材料为碳化硅;将多个待热氧化晶片和多个第一预备晶片放置于晶舟,并且将待热氧化晶片与第一预备晶...
一种自对准多重图形化方法
本发明提供一种自对准多重图形化方法,在芯轴层的侧壁形成侧墙层,在待刻蚀材料层的表面形成保护层并露出部分侧墙层的第二侧面及芯轴层的顶部;去除部分芯轴层以露出部分侧墙层的第一侧面;对显露的侧墙层进行圆滑化处理;去除芯轴层与保护层;以侧墙层为掩膜...
在基材上形成图案化光阻层的制备方法
本申请提供一种在基材上形成图案化光阻层的制备方法以及在基层中形成多个开口的制备方法。该制备方法包括提供一基材;在该基材上形成一光阻层,其中该光阻层包括一种负膨胀系数材料;对该光阻层进行图案化以形成一第一实际图案,且该第一实际图案具有一第一关...
基于表面等离子体光刻的刻蚀增强方法
本公开提供了一种基于表面等离子体光刻的刻蚀增强方法,包括:在基底上依次形成层叠的光刻胶膜层和金属增强层;对光刻胶膜层进行表面等离子体光刻后,去除金属增强层,显影后在光刻胶膜层中形成光刻图形;对形成有光刻图形的光刻胶膜层进行泛曝光并硬掩模化;...
一种RTP热退火腔体温场的监控方法
本发明涉及一种RTP热退火腔体温场的监控方法,其特征是:包括以下步骤:S100、提供一硅衬底;S200、将硅衬底置于RTP设备腔体内,在含氧氛围中进行热氧化处理,使得硅衬底表面生长二氧化硅氧化层;S300、测量硅衬底表面多个预定位置的氧化层...
一种晶圆搬运装置及晶圆检测方法
本申请提供了一种晶圆搬运装置及晶圆检测方法,属于半导体技术领域,该方法由晶圆搬运装置执行,晶圆搬运装置包括机械臂以及设置在机械臂末端的晶圆承载机构,晶圆承载机构在对各个规格的晶圆进行搬运时,晶圆的至少部分边缘被承载在目标承载区域上,该方法包...
一种用于宏观目检机台的缺陷检测方法
本发明公开一种用于宏观目检机台的缺陷检测方法,包括以下步骤:1)围绕目标检测区域拍摄多张局部图像,获得一组覆盖目标区域且相互有重叠的局部图像;2)将步骤1)中采集的一组局部图像融合成一张完整的、覆盖整个目标区域的拼接图;3)对步骤2)所得的...
半导体设备的制造方法以及半导体设备
本公开的实施例涉及半导体设备的制造方法以及半导体设备。提供了一种能够提高过电流检测的精度的半导体设备的制造方法。该半导体设备的制造方法包括半导体晶片测试工艺,该半导体晶片测试工艺包括:第一测试工艺,用于确定由于在制造半导体晶片时的制造变化引...
电池片栅线焊接焊点检测方法
本发明提供了一种电池片栅线焊接焊点检测方法。电池片栅线焊接焊点检测方法包括:对待测电池串进行进料及定位;通过多维度检测模块采集待测电池串的多维度数据;通过数据处理模块对多维度数据进行处理和融合,提取综合特征向量;根据综合特征向量,识别和判定...
一种基于光谱成像的刻蚀终点检测方法及检测系统
本申请提供一种基于光谱成像的刻蚀终点检测方法及检测系统,涉及半导体检测技术领域;刻蚀终点检测方法包括,将特征光照射至数字微镜器件的表面;控制数字微镜器件上的多个微镜按预设的二进制图案进行状态切换,将空间分布信息转换为随时间变化的时域测量序列...
半导体测试结构及电阻率测量方法
本申请公开了一种半导体测试结构及电阻率测量方法,属于半导体技术领域。半导体测试结构包括:半导体结构,包括:基底;垫层,位于基底的第一侧;钨形核层,位于垫层远离基底的一侧,钨形核层的电阻率低于垫层的电阻率;检测单元,与半导体结构连接,且配置为...
芯片取样路径的生成方法、装置、设备及可读存储介质
本申请适用于半导体技术领域,提供了芯片取样路径的生成方法、装置、设备及可读存储介质,该方法包括:获取多个芯片所在的芯片区域的目标参数,目标参数包括划分层数M,以及每层的划分区域个数N;根据目标参数,对芯片区域进行划分,得到M×N个目标区域;...
基片贴装头及半导体设备
本申请公开了一种基片贴装头及半导体设备。该基片贴装头包括:吸附单元;驱动单元;恒力缓冲单元,位于驱动单元和吸附单元之间,包括固定轴和移动轴,固定轴与移动轴之间可沿第一方向产生相对运动,恒力缓冲单元在相对运动过程中提供沿第一方向的恒力,以向基...
基底保持器以及用于固定和键合基底的方法
本发明涉及一种用于接纳基底(13)的基底保持器(1, 1', 1'', 1''', 1'''', 1'''')以及相应的方法,所述基底保持器具有用于固定基底(13)的固定元件(6, 6', 6''),其中,固定元件(6, 6', 6'')可...
基底保持器以及用于固定和键合基底的方法
本发明涉及一种用于接纳基底(13)的基底保持器(1, 1', 1'', 1''', 1'''', 1'''')以及相应的方法,所述基底保持器具有用于固定基底(13)的固定元件(6, 6', 6''),其中,固定元件(6, 6', 6'')可...
基底保持器以及用于固定和键合基底的方法
本发明涉及一种用于接纳基底(13)的基底保持器(1, 1', 1'', 1''', 1'''', 1'''')以及相应的方法,所述基底保持器具有用于固定基底(13)的固定元件(6, 6', 6''),其中,固定元件(6, 6', 6'')可...
基底保持器以及用于固定和键合基底的方法
本发明涉及一种用于接纳基底(13)的基底保持器(1, 1', 1'', 1''', 1'''', 1'''')以及相应的方法,所述基底保持器具有用于固定基底(13)的固定元件(6, 6', 6''),其中,固定元件(6, 6', 6'')可...
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