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最新专利技术
  • 用于自动挤奶装置的控制器、计算机实现的方法、计算机程序和非易失性数据载体
    用于自动挤奶装置的控制器、计算机实现的方法、计算机程序和非易失性数据载体_利拉伐控股有限公司_202480051440.1
    控制器控制乳畜自愿前往的自动挤奶装置，使得仅在针对动物满足许可条件(MP(3), MP(4))时才允许对该动物进行挤奶。许可条件(MP(3), MP(4))指定了在动物的先前挤奶轮次之后，允许对其进行重复挤奶的最早时间点。控制器基于在至少一...
    2026-03-16
  • 用于提供模块化生长塔的系统和方法
    用于提供模块化生长塔的系统和方法_塔瓦奇科技有限公司_202480051478.9
    本公开呈现了模块化生长塔系统以及相关方法。一种这样的系统包括模块化生长塔组件，该模块化生长塔组件具有多个本体框架、多个升降框架以及在纵向方向上延伸并且在竖直方向上堆叠的多个行；用于支撑作物材料的多辆推车，用于在行之间竖直平移推车的一个或多个...
    2026-03-16
  • 晶圆级模组集成方法
    晶圆级模组集成方法_上海曜感科技有限公司_202511864547.0
    本发明公开了一种晶圆级模组集成方法，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆内部形成有多颗第一裸芯粒，所述第一裸芯粒表面分为键合区和互连区；提供第二裸芯粒，所述第二裸芯粒表面分为键合区和互连区；在第一裸芯粒的键合区和/或第二裸芯粒的键合区形成键合体...
    2026-03-16
  • 半导体器件
    半导体器件_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511726696.0
    本申请提供了一种半导体器件，包括：基板，设有金属互连结构；第一封装结构，设置于所述基板上，包括第一封装体以及自所述第一封装体相对的两侧引出的第一引脚，所述第一引脚连接所述金属互连结构；第二封装结构，设于所述基板上，并与所述第一封装结构在第一...
    2026-03-16
  • 三维集成结构及其制备方法
    三维集成结构及其制备方法_复旦大学_202511865137.8
    本申请涉及一种三维集成结构及其制备方法。该三维集成结构包括中介层、导电填充层、至少四个芯片、缓冲隔离层、第一重布线层、第二重布线层、至少两个正面深槽、至少两个反面深槽与至少两个通孔，中介层为玻璃，反面深槽与正面深槽位置一一对应，位置相对的正...
    2026-03-16
  • 三维集成结构及其制备方法
    三维集成结构及其制备方法_复旦大学_202511865134.4
    本申请涉及一种三维集成结构及其制备方法。该三维集成结构包括中介层、绝缘层、导电填充层、至少四个芯片、缓冲隔离层、第一重布线层、第二重布线层、至少两个正面深槽、至少两个反面深槽以及至少两个通孔，反面深槽与正面深槽位置一一对应，位置相对的正面深...
    2026-03-16
  • 多视觉键合对准方法、系统、计算机设备及介质
    多视觉键合对准方法、系统、计算机设备及介质_东莞触点智能装备有限公司_202610143477.8
    本发明涉及一种多视觉键合对准方法、系统、计算机设备及介质，涉及半导体制造技术领域。方法包括：确定第一载台的基准位置及其上标记图像区域的第三标记图形的图像，然后控制第一载台移动，确定第二载台的位置，使得两载台上对应的晶圆片位置对准，并透过第二...
    2026-03-16
  • 一种用于芯片三维封装的等离子体激活键合方法与系统
    一种用于芯片三维封装的等离子体激活键合方法与系统_浙江迪吉芯半导体有限公司_202511806503.2
    本发明公开的一种用于芯片三维封装的等离子体激活键合方法与系统，包括芯片预处理、等离子体多阶段激活、精准键合及键合后处理；先通过多步清洗去除芯片键合面杂质，再依次经惰性气体等离子体刻蚀激活和反应性气体等离子体改性激活，随后在可控环境下精准键合...
    2026-03-16
  • 金刚石晶圆键合设备及键合方法
    金刚石晶圆键合设备及键合方法_深圳技术大学_202511582452.X
    本申请实施例提供一种金刚石晶圆键合设备及键合方法，在该金刚石晶圆键合设备的壳体容置腔内设置有键合装置、清洁装置以及沉积装置，其中，键合装置用于键合第一金刚石晶圆以及第二金刚石晶圆，清洁装置通过目标粒子轰击第一金刚石晶圆以及第二金刚石晶圆，以...
    2026-03-16
  • BGA器件金属盖板一体化拆取封装装置
    BGA器件金属盖板一体化拆取封装装置_重庆赛宝工业技术研究院有限公司_202511834725.5
    本发明涉及半导体领域，具体公开了BGA器件金属盖板一体化拆取封装装置，包括装置主体，其特征在于，所述装置主体上集成设有防静电模块、精准预加热模块、柔性砂线去胶模块及器件定位模块；所述防静电模块包括设于装置主体表面的防静电手腕接口，以及环绕器...
    2026-03-16
  • 一种榫卯力学特性启发的可重构多形态集成架构及自适应兼容转接方法
    一种榫卯力学特性启发的可重构多形态集成架构及自适应兼容转接方法_周子健_202511855657.0
    本发明公开了一种榫卯力学特性启发的可重构多形态集成架构及自适应兼容转接方法，属于半导体集成电路技术领域。针对半导体集成领域EUV工艺依赖、异质集成应力‑损耗矛盾、架构固化等技术瓶颈，本发明将古建筑榫卯“凹凸嵌合定位+力分散缓冲”力学原理微尺...
    2026-03-16
  • 一种电子元器件封装检测一体机
    一种电子元器件封装检测一体机_泰州市大洋数控设备有限公司_202610155043.X
    本发明涉及半导体生产设备技术领域，具体的说是一种电子元器件封装检测一体机，包括编带机体、扩张结构、抵挡结构、驱动结构、检测结构、收集结构、第一输送装置、三维调节装置、第二输送装置、放卷辊和取放装置；抵挡结构的设置便于快速将卷收筒固定在放卷辊...
    2026-03-16
  • 一种TMV嵌埋封装叠构及其制造方法
    一种TMV嵌埋封装叠构及其制造方法_苏州亿麦矽半导体技术有限公司_202511605998.2
    本发明公开了一种TMV嵌埋封装叠构及其制造方法，属于半导体封装技术领域。所述方法包括：在基板上形成铜柱并贴装芯片；进行塑封及研磨以暴露铜柱；形成第一次布线层；在塑封体中制作TMV并对其进行电镀；随后进行铜柱电镀、形成重布线层与阻焊层，最终植...
    2026-03-16
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202511026712.5
    一种半导体封装件，包括：半导体芯片；第一接合层，其包括沿着垂直方向顺序地堆叠在半导体芯片上的第一内接合层和第一外接合层；位于衬底的接合区域上并被容纳在第一内接合层中的第一内接合焊盘以及位于衬底的对准键区域上并被容纳在第一内接合层中的第一内对...
    2026-03-16
  • 定位微电子装置的接合垫的技术及相关微电子装置、方法和系统
    定位微电子装置的接合垫的技术及相关微电子装置、方法和系统_美光科技公司_202511875077.8
    本申请涉及定位微电子装置的接合垫的技术及相关微电子装置、方法和系统。微电子装置可包含接近于所述微电子装置的第一侧定位且沿着所述第一侧分布的第一接合垫。其它接合垫可接近于所述微电子装置的垂直于所述第一侧的另一侧定位且沿着所述另一侧分布。所述第...
    2026-03-16
  • 一种射频模组、通信设备及其制备方法
    一种射频模组、通信设备及其制备方法_集智通(上海)科技有限公司_202511814557.3
    本申请涉及射频通信技术领域，公开了一种射频模组、通信设备及其制备方法，该射频模组包括：射频芯片，射频芯片的第一表面上设有第一器件；射频基板，射频基板的第二表面上设有第二器件；第一表面与第二表面相对设置，第一器件与射频基板键合连接，第一器件和...
    2026-03-16
  • 一种三维系统芯片的制造方法
    一种三维系统芯片的制造方法_上海曜感科技有限公司_202511864580.3
    本发明公开了一种三维系统芯片的制造方法，包括：提供第一晶圆，第一晶圆内包括第一芯粒；提供第二芯粒；制作互连转接线，所述互连转接线将同一个第一芯粒内的电极和/或不同第一芯粒之间的电极进行互连；在第一晶圆和第二芯粒上形成键合层，键合层暴露电极或...
    2026-03-16
  • 半导体封装的制备方法和半导体装置
    半导体封装的制备方法和半导体装置_天芯互联科技有限公司_202511739706.4
    本发明公开了一种半导体封装的制备方法和半导体装置，半导体封装的制备方法包括提供载板，所述载板上包括金属焊接区和非金属阻焊区，水溶膜预涂敷在所述非金属阻焊区内；在所述载板上印刷胶体；在所述载板上贴装器件；使用还原气体进行回流焊将器件焊接在载板...
    2026-03-16
  • 一种可减少空洞的IGBT模块的生产方法、生产设备及IGBT模块
    一种可减少空洞的IGBT模块的生产方法、生产设备及IGBT模块_广东巨风半导体有限公司_202511629615.5
    本发明提供了一种可减少空洞的IGBT模块的生产方法，所述IGBT模块包括铜底板和两个DBC板，所述DBC板为长方体，所述铜底板的沿长度方向的两端向上翘起，两个所述DBC板通过焊锡焊在铜底板的在长度方向的中间位置的两侧，在所述铜底板上对应DB...
    2026-03-16
  • 一种强化界面结合强度的多芯片超细镀钯铜线键合工艺
    一种强化界面结合强度的多芯片超细镀钯铜线键合工艺_南通鑫晶电子科技有限公司_202511569084.5
    本发明公开了应用于半导体封装技术领域的一种强化界面结合强度的多芯片超细镀钯铜线键合工艺，本发明通过在进行第二焊点的操作时，预先超声波加热镀钯铜线，然后再进行端头本体的伸出操作，伸出的端头本体推动熔融的镀钯铜线下降与第二键合位置结合，由于端头...
    2026-03-16
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