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最新专利技术
  • 一种电子仓三维扎线工艺
    一种电子仓三维扎线工艺_陕西航天时代导航设备有限公司_202511876159.4
    本申请公开了一种电子仓三维扎线工艺，包括扎线工装和扎线方法，所述扎线工装包括矩形方框、钉板、扎线图板及工艺表；所述矩形方框的外形适配电子仓内腔结构，且其每个面上分别安装有钉板，所述钉板纵向中线两侧设置有若干定位柱，并使所述定位柱之间构成线束...
    2026-03-16
  • MMIC芯片的制备方法、芯片、电子设备及制备装置
    MMIC芯片的制备方法、芯片、电子设备及制备装置_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511589732.3
    本发明提供一种MMIC芯片的制备方法、芯片、电子设备及制备装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：在晶圆的正面制备MMIC功能电路；根据晶圆的目标厚度，在晶圆的背面进行减薄操作；在减薄后的晶圆的背面制备谐振抑制电路；对制备有MMIC功能电路和...
    2026-03-16
  • 半导体器件及半导体封装方法
    半导体器件及半导体封装方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511727024.1
    本申请提供了一种半导体器件及半导体封装方法，其中，半导体器件包括：半导体元件；封装体，具有相对设置的第一侧和第二侧，其中，所述半导体元件被封装于所述封装体内，并邻近所述第一侧设置，所述封装体的所述第二侧具有印字；以及保护层，覆盖所述印字，所...
    2026-03-16
  • 一种外置栅极电阻的功率半导体器件
    一种外置栅极电阻的功率半导体器件_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511873516.1
    本发明公开了一种外置栅极电阻的功率半导体器件，涉及半导体器件领域，所述外置栅极电阻的功率半导体器件包括半导体基板以及设置于半导体基板正面的栅极总线、第一栅极连接区以及第二栅极连接区，其中，所述第二栅极连接区与栅极总线电连接；提供外置栅极电阻...
    2026-03-16
  • 一种半导体器件及半导体器件的制造方法
    一种半导体器件及半导体器件的制造方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511727021.8
    本发明公开了半导体器件及半导体器件的制造方法，包括：半导体基板，半导体基板中形成有电容结构和布线层，其中，电容结构和布线层之间形成有空腔，电容结构和布线层通过空腔隔离；即本申请中，在半导体器件的电容结构和布线层之间形成有空腔，可以有效隔离电...
    2026-03-16
  • 一种集成动态热管理与电磁兼容的电源管理模块封装方法
    一种集成动态热管理与电磁兼容的电源管理模块封装方法_浙江迪吉芯半导体有限公司_202511806197.2
    本发明公开的一种集成动态热管理与电磁兼容的电源管理模块封装方法，通过制备集成接地平面、功率传输线路及嵌入式滤波结构的封装基板，在基板上固定电源管理芯片、含微通道散热组件与温度传感组件的动态热管理单元及电磁兼容辅助元件，经键合引线或倒装焊实现...
    2026-03-16
  • 功率模块
    功率模块_中国第一汽车股份有限公司_202511781500.8
    本发明公开了一种功率模块，涉及功率模块技术领域，功率模块包括：功率回路，功率回路包括首尾依次相连的多个导电段，第一导电段和第三导电段沿第一方向相对且间隔开，第二导电段和第四导电段沿第二方向相对且间隔开，第一导电段和第三导电段均连接在第二导电...
    2026-03-16
  • 互补金属氧化物半导体器件和修复电路
    互补金属氧化物半导体器件和修复电路_中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))_202511538414.4
    本申请涉及一种互补金属氧化物半导体器件和修复电路。该器件包括：衬底以及设置在衬底的第一面上的加热电极，加热电极用于在连通加热电源的情况下对CMOS器件进行加热；形成于衬底的第二面上的绝缘层；形成于绝缘层上的自修复功能层；自修复功能层用于在C...
    2026-03-16
  • 一种适用于分立式功率器件的冷却系统
    一种适用于分立式功率器件的冷却系统_合肥工业大学_202511550450.2
    本发明公开了一种适用于分立式功率器件的冷却系统，包括绝缘虹吸热管和分立式功率器件，设置所述绝缘虹吸热管包括绝缘虹吸热管蒸发段、绝缘虹吸热管冷凝段和绝缘虹吸热管绝缘连接器，将分立式功率器件焊接在绝缘虹吸热管蒸发段的表面，绝缘虹吸热管绝缘连接器...
    2026-03-16
  • 基于微纳分级结构与机器学习的临界热流密度预测方法
    基于微纳分级结构与机器学习的临界热流密度预测方法_安徽易新能科技有限公司_202511771664.2
    本发明属于电子设备热管理技术领域，尤其是一种基于微纳分级结构与机器学习的临界热流密度预测方法，S1、提供具有微纳分级结构表面的散热结构本体，用于与冷却工质进行两相换热；S2、通过多模态监测模块实时采集所述微纳分级结构表面的温度数据和视觉图像...
    2026-03-16
  • 基于金刚石衬底的半导体异质集成芯片结构及其制备方法
    基于金刚石衬底的半导体异质集成芯片结构及其制备方法_西安电子科技大学广州研究院_202511650038.8
    本发明公开了基于金刚石衬底的半导体异质集成芯片结构及其制备方法，该结构包括自下而上依次设置的金刚石衬底、接触电极、金属互连线、片间隔离介质、倒置的Si基器件、倒置的GaAs基器件、倒置的GaN基器件、器件隔离区域与源极背通孔连接层，倒置的S...
    2026-03-16
  • 封装构造及其基板
    封装构造及其基板_颀邦科技股份有限公司_202411256484.6
    一种封装构造包含基板、芯片及散热片，该基板具有载体、线路层及防焊层，该线路层设置于该载体，该线路层包含多个线路，该防焊层覆盖该线路层，该防焊层具有第一开口、遮蔽部及至少一个第二开口，该遮蔽部位于该第一开口与该第二开口之间，该第一开口显露出各...
    2026-03-16
  • 一种功率器件封装装置
    一种功率器件封装装置_广东力宏微电子有限公司_202512029164.8
    本发明提供一种功率器件封装装置，涉及功率器件技术领域，包括功率器件体和功率器件封装盖，所述功率器件封装盖固定安装在功率器件体的侧端部，所述功率器件体上设有便于功率器件体内部结构进行定点散热的散热机构，所述散热机构包括电路板、固定衬板、安装基...
    2026-03-16
  • 一种具有高效综合散热性能的氧化镓大功率器件及其制作方法
    一种具有高效综合散热性能的氧化镓大功率器件及其制作方法_福州大学_202511780515.2
    本发明提出了一种具有高效综合散热性能的氧化镓大功率器件及其制作方法。本发明通过进行衬底减薄，减小热量流过衬底时的热阻，同时结构更紧凑，减小了封装体积。并使用双面封装结构，芯片阳极和阴极使用焊料同时与基板连接，提供了器件上下两侧的高导热路径，...
    2026-03-16
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511512732.3
    一种封装结构及其形成方法，封装结构包含封装基板、半导体模组、复合热界面材料(TIM)层、封装盖基板以及反应性界面层，其中半导体模组位于封装基板上，复合热界面材料层包含在聚合物基质中的液态金属、且位于半导体模组上，封装盖位于复合热界面材料层上...
    2026-03-16
  • 功率模块
    功率模块_珠海格力电子元器件有限公司_202511800543.6
    本发明提出一种功率模块，功率模块包括封装体，设置有相对的第一面与第二面；第一散热板，设置于封装体的第一面；第二散热板，设置于封装体的第二面；按预定电气连接关系设置的若干功率芯片，功率芯片包括上桥臂芯片与下桥臂芯片；上桥臂芯片倒装设置于第一散...
    2026-03-16
  • 一种散热基板的制备方法及制备得到的散热基板
    一种散热基板的制备方法及制备得到的散热基板_腾辉电子(苏州)有限公司_202511771259.0
    本申请涉及一种散热基板的制备方法及制备得到的散热基板。其中使用的片状氮化硼是片状薄片结构，片状氮化硼粉体与环氧树脂、固化剂和引发剂进行混合后，在烘烤过程中，通过加热使得树脂粘度降低、布朗运动使氮化硼旋转、界面能最小化驱动氮化硼选择朝向同一方...
    2026-03-16
  • 高导电及散热芯片及其制造方法
    高导电及散热芯片及其制造方法_华立捷科技股份有限公司_202411180374.6
    本申请提供一种高导电及散热芯片及其制造方法。高导电及散热芯片的制造方法包括：提供具有第一表面与相对的第二表面的基板，在基板上开设至少具有一弧形的沟槽，并且于至少一的沟槽内填入散热材料。如此能提升基板的散热的效果，保护基板结构及延长基板的使用...
    2026-03-16
  • 制造半导体装置的方法以及半导体装置
    制造半导体装置的方法以及半导体装置_南亚科技股份有限公司_202511863569.5
    一种制造半导体装置的方法，包括：在基板上方设置位元线；在位元线上方和侧方设置第一绝缘层；在第一绝缘层上方和侧方设置定向自组装(DSA)材料层；在位元线、第一绝缘层和定向自组装材料层上方以及在定向自组装材料层侧方设置第二绝缘层；执行相分离操作...
    2026-03-16
  • 半导体装置结构及其形成方法
    半导体装置结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511580407.0
    一种半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包含设置在基板上方的互连结构、设置在互连结构上方的第一介电层、以及设置在第一介电层上的第二介电层。第二介电层包括具有大于约20的k值及小于约5eV的带隙的介电材料。半导体装置结构还包含设置在第二...
    2026-03-16
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