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最新专利技术
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511271706.6
    一种半导体器件可以包括：位线，在第一水平方向上延伸；多个垂直沟道图案，在位线上并在第一水平方向上彼此分隔开；两条字线，在所述多个垂直沟道图案中的相邻的垂直沟道图案之间在第二水平方向上延伸，第二水平方向与第一水平方向相交；多个接触插塞，接触所...
    2026-03-20
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510183272.8
    在本发明的一实施方式中，提供一种半导体存储装置，其能够降低制造成本。实施方式的半导体存储装置包含逐层交替地积层多个配线层(34)与多个绝缘层(35)而成的积层体、穿过积层体的存储器柱、及截断积层体的第1部件。多个绝缘层包含第1绝缘层。多个配...
    2026-03-20
  • 半导体结构及形成方法
    半导体结构及形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411238388.9
    本发明提供一种半导体结构及形成方法，其中半导体结构包括：衬底，衬底包括第一区；位于第一区上的若干分立排布的字线结构；位于字线结构一侧的选择管栅；位于衬底上且覆盖字线结构和选择管栅的第一介质层，第一介质层内具有空气柱，空气柱位于相邻字线结构之...
    2026-03-20
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411260971.X
    本申请公开了一种半导体器件及其制造方法、电子设备，该方法包括：在衬底的存储区上形成间隔设置的第一存储单元和第二存储单元，所述第一存储单元的第一字线栅和所述第二存储单元的第二字线栅之间具有导电接触区；在所述导电接触区上形成辅助扩散层；在所述辅...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202411205300.3
    本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供包括衬底、位于衬底上基于隔离沟槽分立设置的多个栅绝缘层和位于栅绝缘层上的浮栅层的基底；基底包括逻辑区和存储区；在隔离沟槽内形成浅沟槽隔离结构，至少位于存储区的浅沟槽隔离结构的顶面低于...
    2026-03-20
  • 多次可编程存储器及其制造方法、写入方法和擦除方法
    多次可编程存储器及其制造方法、写入方法和擦除方法_上海集成电路研发中心有限公司_202411201982.0
    本发明提供一种多次可编程存储器及其制造方法、写入方法和擦除方法，多次可编程存储器包括擦除栅氧化层和擦除栅，擦除栅氧化层覆盖第二浮栅远离第一浮栅的侧壁并延伸覆盖部分NMOS器件区的浮栅氧化层，擦除栅位于擦除栅氧化层上，且擦除栅与第二浮栅之间通...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其形成方法、电子设备
    半导体结构及其形成方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202610154983.7
    本公开关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、电子设备，形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成沿垂直于衬底的表面的方向依次交替分布的第一半导体层和第二半导体层，第二半导体层包括层叠分布的第一锗硅层和第二锗硅层，第一锗硅层中的锗离子...
    2026-03-20
  • 存储器装置与其制造方法
    存储器装置与其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511868192.2
    形成存储器装置的方法，包含：蚀刻基板以形成自基板延伸的突出部分；在基板上方及突出部分的相对侧上形成第一隔离结构；形成切割突出部分及第一隔离结构的第一、第二及第三字元线沟槽；在第一、第二及第三字元线沟槽中相应地形成牺牲层；移除牺牲层的第一部分...
    2026-03-20
  • 半导体存储器装置及其制造方法
    半导体存储器装置及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511835061.4
    半导体存储器装置的制造方法包括以下步骤。在基板上形成容器层间介电层。在容器层间介电层上方形成中间氮化物层。在中间氮化物层上方形成容器氧化物层。将硼、碳、锗和砷中的至少一个离子植入容器氧化物层区域，转化为植入氧化物层。在植入氧化物层上方形成硬...
    2026-03-20
  • 一种半导体存储器的制备方法
    一种半导体存储器的制备方法_福建省晋华集成电路有限公司_202511424714.X
    本发明提供了一种半导体存储器的制备方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，每一下电极顶部的侧壁上形成有第一支撑层，所述第一支撑层增大了相邻下电极顶部之间绝缘隔离材料的厚度，降低了相邻下电极发生短路的风险，并提高了半导体存储器的效能及可靠度。
    2026-03-20
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202511282098.9
    提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：第一基底，包括单元阵列区域和在平面图中围绕单元阵列区域的第一划线区域；存储器单元阵列，在单元阵列区域上；坝结构，在第一划线区域上，坝结构在平面图中围绕存储器单元阵列，并且坝结构包括面对存...
    2026-03-20
  • 半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法
    半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法_三星电子株式会社_202511161949.4
    提供了半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：有源图案，在第一方向和第二方向上布置，以形成行和列，有源图案包括彼此间隔开的第一垂直半导体图案和第二垂直半导体图案；位线，在第二方向上延伸，并连接到所述列中的每个...
    2026-03-20
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202511040452.7
    本公开的实施例涉及一种包括高集成存储单元的半导体器件以及制造该半导体器件的方法，该半导体器件可以包括：垂直堆叠的多个纳米片；第一导线，其共同耦接到纳米片的第一边缘，该第一导线垂直定向；多个数据储存元件，每个数据储存元件耦接到纳米片的第二边缘...
    2026-03-20
  • 半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的电子系统
    半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的电子系统_三星电子株式会社_202510966123.9
    提供了半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的电子系统。所述半导体存储器装置包括：基底；模制结构，包括虚设图案、多个模制绝缘层以及多个栅电极，虚设图案在基底的部分区域上，所述多个模制绝缘层以及所述多个栅电极在虚设图案之上在基底上在第一方向上...
    2026-03-20
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510921683.2
    本申请涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件可包括高集成度的存储单元，制造半导体器件的方法可包括：在衬底上形成第一模堆叠和第一键合层；在牺牲衬底上形成第二模堆叠和第二键合层；翻转牺牲衬底并键合第一键合层和第二键合层；去除牺牲衬底；以及在第一...
    2026-03-20
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202510843375.2
    一种半导体存储器件，包括：背栅电极，在衬底上，其包括第一导电图案；第一栅电极，在背栅电极上，其包括第二导电图案；以及在背栅电极和第一栅电极之间的第一半导体图案，其中第一导电图案和第二导电图案包括彼此不同的各自的材料和/或具有彼此不同的各自的...
    2026-03-20
  • 接触结构、包括接触结构的半导体装置及半导体装置的制造方法
    接触结构、包括接触结构的半导体装置及半导体装置的制造方法_南亚科技股份有限公司_202510289912.3
    本申请提供一种接触结构、一种包含接触结构的半导体装置，以及一种半导体装置的制造方法。该接触结构包含一本体部，以及自该本体部向下延伸的一延伸部，且该延伸部包括一沟槽。将该沟槽凹陷进入该延伸部的一底面，将该沟槽朝该本体部凹陷，并暴露出该本体部。
    2026-03-20
  • 具有凹陷导电插塞和凹陷通道层的存储器元件及其制备方法
    具有凹陷导电插塞和凹陷通道层的存储器元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510268637.7
    本公开提供一种具有凹陷导电插塞和凹陷通道层的存储器元件及其制备方法。存储器元件，包括一电容器，设置在一半导体基底上；以及一导电插塞，位在该电容器上方。该导电插塞具有一第一个凹陷上表面。该存储器元件亦包括一通道层，设置在该导电插塞上方。该通道...
    2026-03-20
  • 包含漏电防止层的半导体装置及其制造方法
    包含漏电防止层的半导体装置及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510268628.8
    提供一种包含漏电防止层的半导体装置及其制造方法。半导体装置包含一基底、一位元线和一字元线。该基底包含一主动区。该字元线嵌入该基底内且沿着一第一方向延伸。该位元线设置于该基底上且沿着与该第一方向不同的一第二方向延伸。该主动区包含具有一第一掺质...
    2026-03-20
  • 存储器装置及其制造方法
    存储器装置及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202510126418.5
    本发明提供一种存储器装置及其制造方法，所述方法包括提供基板，基板的阵列区具有中心区及围绕中心区的边界区，且基板包含通过隔离结构分隔的第一主动区及第二主动区。所述方法包含依序形成位线接触件及位线结构于基板的第一主动区上方，顺应地形成介电衬层于...
    2026-03-20
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