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最新专利技术
  • 藉助于通道内编码进行存储器装置的增强型数据保护的方法及设备
    藉助于通道内编码进行存储器装置的增强型数据保护的方法及设备_慧荣科技股份有限公司_202510282185.8
    本发明提供藉助于通道内编码进行存储器装置的增强型数据保护的方法及设备，存储器装置包含存储器控制器和非挥发性(NV)存储器并经历回流制程将存储器装置安装至印刷电路板上。该方法可包含：在电子装置的系统层次初始化期间，利用存储器控制器开始对NV存...
    2026-05-11
  • 存储器、存储器模块及半导体系统及其操作方法
    存储器、存储器模块及半导体系统及其操作方法_爱思开海力士有限公司_202510234534.9
    本公开涉及存储器、存储器模块及半导体系统及其操作方法。一种半导体系统可以包括：命令地址总线；数据总线；管理总线；存储器模块，其包括多个存储器并耦接到命令地址总线、数据总线和管理总线；存储器控制器，其被配置为通过命令地址总线和数据总线控制存储...
    2026-05-11
  • SRAM器件测试结构及其测试方法
    SRAM器件测试结构及其测试方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511818194.0
    本发明公开了一种SRAM器件测试结构及其测试方法，属于半导体技术领域，该SRAM器件测试结构，包括衬底和有源区；至少一个轻掺杂漏区，形成在有源区中；多晶硅，被布置在有源区的顶面上，通过多晶硅露出至少部分有源区，用于形成轻掺杂漏区；侧墙，位于...
    2026-05-11
  • 一种ROM自动化测试电路及其测试方法
    一种ROM自动化测试电路及其测试方法_西安微电子技术研究所_202511755057.7
    本申请公开一种ROM自动化测试电路及其测试方法，属于集成电路设计技术领域。包括ROM控制器、MISR模块、接口模块以及TAP控制器；ROM控制器与接口模块交互；MISR模块，用于通过位运算压缩算法对从ROM中读取的存储数据进行压缩以得到特征...
    2026-05-11
  • NAND FLASH的上电自检方法、系统和装置
    NAND FLASH的上电自检方法、系统和装置_联和存储科技(江苏)有限公司_202511611246.7
    本发明公开一种NAND FLASH的上电自检方法、系统和装置，方法包括：检测NAND FLASH是否上电；在NAND FLASH上电时，对存储芯片的首次轮询延迟进行检测得到目标延迟，其中，NAND FLASH包括存储芯片；将目标延迟发送至上...
    2026-05-11
  • eFlash参数的修调方法
    eFlash参数的修调方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511429846.1
    本发明提供了一种eFlash参数的修调方法，包括：对eFlash的参考单元晶体管进行擦写操作；对参考单元选择测试模式；固定第一恒流源和/或第二恒流源，以确定动态负载的压降；将动态负载电压固定为量测参考单元电流时的理论偏置电压与动态负载的压降...
    2026-05-11
  • 一种基于拓扑排序的储存芯片老化预测方法、设备及介质
    一种基于拓扑排序的储存芯片老化预测方法、设备及介质_深圳科摩思智能科技有限公司_202511783945.X
    本发明公开了一种基于拓扑排序的储存芯片老化预测方法、设备及介质，涉及芯片老化测试技术领域，包括，基于预定义的储存芯片内部依赖关系构建初始静态拓扑图；采集储存芯片性能监测数据，并进行时序关联性识别，生成动态依赖边；将动态依赖边与初始静态拓扑图...
    2026-05-11
  • 对输出的影子逻辑、用于无输入数据的存储器的全速测试(存储器旁路)架构
    对输出的影子逻辑、用于无输入数据的存储器的全速测试(存储器旁路)架构_意法半导体国际公司_202511203560.1
    本公开涉及对输出的影子逻辑、用于无输入数据的存储器的全速测试(存储器旁路)架构。本文公开了一种用于测试输出影子逻辑的具有旁路模式的自定时存储器电路。该电路适用于各种存储器类型，包括ROM、HistoRAM和TCAM。在正常操作中，存储器阵列...
    2026-05-11
  • SRAM存储器的故障定位方法、装置、设备、介质及产品
    SRAM存储器的故障定位方法、装置、设备、介质及产品_上海集成电路研发中心有限公司_202411229831.6
    本申请提供一种SRAM存储器的故障定位方法、装置、设备、介质及产品。该方法包括：通过确定原始数据的工作模式得到预处理数据，通过预设拟合算法对预处理数据进行拟合，根据拟合结果进一步确定目标拟合曲线，之后根据工作模式确定目标拟合曲线对应的噪声容...
    2026-05-11
  • 一种电阻校准电路、存储器和电子设备
    一种电阻校准电路、存储器和电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202610154880.0
    本公开涉及半导体技术领域，针对于ZQ锁存命令的发送时机不当导致的阻值校准码锁定错误的问题，提供了一种电阻校准电路、存储器和电子设备，电阻校准电路包括：主校准电路，配置为在ZQ校准过程中，对阻值校准码进行调整；状态机，配置为产生校准状态信号；...
    2026-05-11
  • 数据接收电路、偏移校准电路、数据接收系统以及存储装置
    数据接收电路、偏移校准电路、数据接收系统以及存储装置_长鑫科技集团股份有限公司_202411260963.5
    本公开实施例涉及半导体领域，提供了一种数据接收电路，包括：数据接收模块，数据反相模块，反馈均衡模块以及数据判决模块，反馈均衡模块与数据接收模块单独设置，且反馈均衡模块被配置为，基于使能信号和反馈信号执行判决反馈均衡，其中，反馈信号基于先前接...
    2026-05-11
  • 一种特殊环状非线性反馈移位寄存器的构造方法
    一种特殊环状非线性反馈移位寄存器的构造方法_中国电子科技集团公司第三十研究所_202511576965.X
    本发明提出了一种特殊环状非线性反馈移位寄存器的构造方法，包括：选取一个m+1级Fibonacci NFSR1；选取一个m+2级Fibonacci NFSR2；Fibonacci NFSR1与Fibonacci NFSR2环状连接，得到一个2...
    2026-05-11
  • 移位寄存单元、移位寄存器以及显示装置
    移位寄存单元、移位寄存器以及显示装置_上海和辉光电股份有限公司_202411224002.9
    本发明公开了移位寄存单元、移位寄存器以及显示装置，其中，第一晶体管切换输入电压信号和第五节点之间的电路；第二晶体管切换负电压信号和第四节点之间的电路；第三晶体管切换第四节点和第二节点之间的电路；第四晶体管切换正电压信号和第二节点之间的电路；...
    2026-05-11
  • 移位寄存单元、移位寄存器以及显示装置
    移位寄存单元、移位寄存器以及显示装置_上海和辉光电股份有限公司_202411206173.9
    本发明公开了移位寄存单元、移位寄存器以及显示装置，其中，第一晶体管切换输入电压信号和第三节点的导通关系，第二晶体管切换工作电压信号和第三节点的导通关系，第三晶体管切换工作电压信号和第四节点的导通关系，第四晶体管切换第四节点和第二节点的导通关...
    2026-05-11
  • efuse存储器及其操作方法
    efuse存储器及其操作方法_上海华力集成电路制造有限公司_202411216062.6
    本发明公开了一种efuse存储器，efuse单元包括：主熔丝、备份熔丝、主选择控制管和备份选择控制管。主备份熔丝的第一端相连并作为位线端口。主选择控制管的栅极作为主字线端口。备份选择控制管的栅极作为备份字线端口。主选择控制管连接在主熔丝的第...
    2026-05-11
  • efuse存储器
    efuse存储器_上海华力集成电路制造有限公司_202411215927.7
    本发明公开了一种efuse存储器，efuse单元结构包括：由MOS晶体管组成的控制管和熔丝结构。MOS晶体管形成于第一有源区中。熔丝结构形成于和第一有源区平行的第二有源区中。熔丝结构包括第一和第二熔丝连接区和位于第一和第二熔丝连接区之间的有...
    2026-05-11
  • 具有串行编码器和解码器电路的多平面非易失性存储器
    具有串行编码器和解码器电路的多平面非易失性存储器_桑迪士克科技股份有限公司_202510532023.5
    本公开涉及具有串行编码器和解码器电路的多平面非易失性存储器。一种装置包括控制电路，该控制电路被配置为连接到非易失性存储器阵列的多个平面。该控制电路被配置为：将多个并行信号转换为多个串行信号，向用于该多个平面中的每个平面的相应控制电路传送该多...
    2026-05-11
  • 闪存装置及其编程方法
    闪存装置及其编程方法_华邦电子股份有限公司_202411440165.0
    本发明提供一种闪存装置及其编程方法。闪存装置包括存储器阵列以及存储器控制电路。存储器阵列具有多个位群组。存储器控制电路经配置以依序对位群组进行编程操作。在位群组中的目标位群组未通过编程验证的情况下，存储器控制电路对目标位群组执行一或多次编程...
    2026-05-11
  • 存储器编程方法、存储器控制设备及存储器
    存储器编程方法、存储器控制设备及存储器_兆易创新科技集团股份有限公司_202411259642.3
    本公开提供一种存储器编程方法、存储器控制装置及存储器，属于数据存储技术领域。该方法包括：确定存储器中目标单元块的状态参数；根据目标单元块的状态参数确定编程调整参数；响应于编程指令，对目标单元块中的至少一页进行编程，得到编程结束时的当前编程完...
    2026-05-11
  • 一种存储单元及其编程方法、计算机可读存储介质
    一种存储单元及其编程方法、计算机可读存储介质_西安格易安创集成电路有限公司_202411259562.8
    本申请公开了一种存储单元及其编程方法、计算机可读存储介质，其中，该存储单元的编程方法包括：确定待编程存储单元的数量；根据待编程存储单元的数量确定对应的电压增量和/或时间增量；其中，电压增量与待编程存储单元的数量呈正相关，时间增量与待编程存储...
    2026-05-11
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