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最新专利技术
  • 具有有源区离子注入结构的多沟道GaN HEMT器件及制备方法
    具有有源区离子注入结构的多沟道GaN HEMT器件及制备方法_西安电子科技大学_202411101904.3
    本发明公开了一种具有有源区离子注入结构的多沟道GaN HEMT器件及制备方法，包括：依次设置于衬底层上的GaN缓冲层、第一GaN沟道层、第一AlN插入层、第一AlGaN势垒层、第二GaN沟道层、第二AlN插入层、第二AlGaN势垒层、第三G...
    2026-03-01
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610070340.4
    本申请提供了一种半导体器件的制造方法，属于半导体技术领域，所述制备方法包括：提供衬底，衬底内形成有沟槽，衬底表面、沟槽侧壁及底壁依次形成有第一氧化层和第二氧化层，沟槽内填充有屏蔽栅材料层，第二氧化层及屏蔽栅材料层上覆盖有掩模材料层；对掩模材...
    2026-03-01
  • 硅基高迁移率、宽带隙锡基氧化物薄膜及其制备方法和晶体管
    硅基高迁移率、宽带隙锡基氧化物薄膜及其制备方法和晶体管_中国科学技术大学_202511735109.4
    本发明公开了一种硅基高迁移率、宽带隙锡基氧化物薄膜及其制备方法和晶体管，属于低功耗电子器件技术领域。本发明提供的锡基氧化物薄膜的制备方法包括步骤：首先在临时生长衬底上依次制备牺牲层和单晶锡基氧化物薄膜，得到氧化物异质结构；然后制备支撑层，利...
    2026-03-01
  • 沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
    沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511658473.5
    本发明提供一种沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法。该方法包括：在半导体衬底上形成硬掩模层；对硬掩模层进行图案化以形成限定沟槽区域的开口；通过该开口，对半导体衬底进行倾斜离子注入以形成源极区；然后，以该硬掩模层为掩模，刻蚀形成沟槽；最...
    2026-03-01
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511523600.0
    在其中将形成源极/漏极接触件的凹槽的形成之前，在半导体器件的晶体管(例如，纳米结构晶体管和/或另一类型的晶体管)的源极/漏极区域上形成金属硅化物层。这使得源极/漏极区域的表面上的金属硅化物层的覆盖能够独立于源极/漏极接触件的覆盖(其由其中形...
    2026-03-01
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511522690.1
    提供了半导体器件及其形成方法。示例性方法包括：在衬底上方形成鳍，鳍的第一部分包括与多个第一牺牲层交错的多个第一沟道层，并且鳍的第二部分包括与多个第二牺牲层交错的多个第二沟道层；形成延伸穿过鳍的沟槽；以不同的蚀刻速率使多个第一牺牲层和多个第二...
    2026-03-01
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511522688.4
    提供了用于形成半导体结构的方法。该方法包括：在垂直方向上在衬底上交替堆叠沟道层和牺牲层以形成半导体堆叠件，图案化半导体堆叠件以形成从衬底突出的鳍形结构，在鳍形结构中形成源极/漏极沟槽，使鳍形结构中的牺牲层横向凹进以形成第一凹槽，以及扩大第一...
    2026-03-01
  • 一种环栅晶体管的制造方法
    一种环栅晶体管的制造方法_北京知识产权运营管理有限公司_202511440537.4
    本发明公开了一种环栅晶体管的制造方法，涉及半导体技术领域，用于防止栅堆叠结构对应内侧墙的顶部和底部的部分出现尖端，避免栅堆叠结构与源漏区之间的异常放电，提高环栅晶体管的工作性能。环栅晶体管的制造方法包括：在半导体基底上形成鳍状结构。鳍状结构...
    2026-03-01
  • LDMOS及其形成方法
    LDMOS及其形成方法_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202411112787.0
    一种LDMOS及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底内具有漂移区；在所述漂移区上形成栅极结构；以预设的注入角度对所述栅极结构一侧的漂移区进行离子注入处理以形成体区。在所述衬底中漂移区上形成栅极结构之后，在栅极结构一侧的漂移区进行...
    2026-03-01
  • 全包围栅极晶体管及其形成方法
    全包围栅极晶体管及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411107743.9
    本公开实施例提供一种全包围栅极晶体管及其形成方法，所述方法包括：提供包括衬底、凸立于衬底的分立的鳍部以及位于鳍部上的隔离牺牲结构，位于隔离牺牲结构上的沟道叠层的基底；在鳍部之间形成沟槽隔离层和伪鳍部，沟槽隔离层覆盖隔离牺牲结构的侧壁和伪鳍部...
    2026-03-01
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511522682.7
    提供了半导体结构。半导体结构包括设置在衬底之上的沟道构件、包裹沟道构件的栅极结构、与栅极结构相邻的内部间隔件以及邻接沟道构件的源极/漏极部件。内部间隔件中的一个包括中间介电部分和覆盖中间介电部分的表面的屏蔽介电部分。屏蔽介电部分的介电常数大...
    2026-03-01
  • 一种RC-IGBT器件以及制备方法
    一种RC-IGBT器件以及制备方法_深圳市尚鼎芯科技股份有限公司_202511851014.9
    本发明实施例提供一种RC‑IGBT器件及制备方法，该器件包括N‑drift区(1)、P+collector区(2)和FS结构(3)，FS结构(3)连接于N‑drift区(1)之下、以及连接于P+collector区(2)之上；FS结构(3)...
    2026-03-01
  • 一种横向绝缘栅双极晶体管及其制作方法
    一种横向绝缘栅双极晶体管及其制作方法_西安龙威半导体有限公司_202511743736.2
    本发明涉及一种横向绝缘栅双极晶体管及其制作方法，横向绝缘栅双极晶体管包括：衬底、外延层、基区、沟道衬底接触、源区、埋氧型沟槽、漏区、栅氧化层、栅极、源极和漏极；其中，外延层位于衬底上；基区、埋氧型沟槽和漏区均从外延层的表面延伸至外延层内部，...
    2026-03-01
  • 一种HBT器件
    一种HBT器件_厦门市三安集成电路有限公司_202511912488.X
    本申请提供一种HBT器件，包括：集电极结构；所述集电极结构包括次集电极层、设于所述次集电极层上方的集电极层、以及集电极接触金属；所述集电极接触金属与所述次集电极层接触，所述集电极接触金属与所述次集电极层之间的接触面至少包括相互连接的第一接触...
    2026-03-01
  • 晶体管结构制备方法、装置、设备及介质
    晶体管结构制备方法、装置、设备及介质_上海积塔半导体有限公司_202511493052.1
    本公开涉及一种晶体管结构制备方法、装置、设备及介质，方法包括：获取晶体管结构的工艺节点参数及对应的栅氧化层厚度调节模型；根据晶体管结构的目标β值及栅氧化层厚度与晶体管电流放大倍数β值的关联关系，确定晶体管结构的目标栅氧化层厚度；根据目标栅氧...
    2026-03-01
  • 抗中子单粒子烧毁的氧化镓肖特基二极管及其制备方法
    抗中子单粒子烧毁的氧化镓肖特基二极管及其制备方法_中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))_202511571158.9
    本申请涉及半导体功率器件技术领域，公开了一种抗中子单粒子烧毁的氧化镓肖特基二极管及其制备方法，该二极管包括氧化镓衬底、位于氧化镓衬底上的N型漂移层、位于N型漂移层上的阳极肖特基接触以及阴极欧姆接触、复合终端结构；复合终端结构设置于N型漂移层...
    2026-03-01
  • 氢处理优化β-Ga2O3肖特基二极管界面的方法
    氢处理优化β-Ga2O3肖特基二极管界面的方法_中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))_202511584645.9
    本申请涉及半导体功率器件技术领域，公开了一种氢处理优化β‑Ga22O33肖特基二极管界面的方法，包括 : 提供一β‑Ga22O33肖特基二极管，β‑Ga22O33肖特基二极管包括β‑Ga22O33半导体衬底、位于β‑Ga22O33半导体衬底...
    2026-03-01
  • 电容结构及其形成方法
    电容结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202610045354.0
    本发明提供一种电容结构及其形成方法，所述方法包括：形成第一金属极板；在所述第一金属极板上形成第一氮化钛层，所述第一氮化钛层的热膨胀系数小于所述第一金属极板的热膨胀系数；在所述第一氮化钛层上形成介质叠层，所述介质叠层中所有层均为含氮材料层，且...
    2026-03-01
  • 三维电容器及其制造方法、存储器及电子设备
    三维电容器及其制造方法、存储器及电子设备_张江国家实验室_202511756242.8
    本发明提供一种高k值和低漏电流的三维电容器及其制造方法、存储器及电子设备。三维电容器包括：圆柱状的第一电极；第二电极；以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的介质层，所述介质层的晶体结构被配置为表现出铁电特性，且在由所述第一电极、所述第二...
    2026-03-01
  • 三电极硅电容器结构及其制备方法、电子设备
    三电极硅电容器结构及其制备方法、电子设备_北京晨晶电子有限公司_202511585426.2
    本发明提供一种三电极硅电容器结构及其制备方法、电子设备，属于半导体技术领域，三电极硅电容器结构，包括：硅衬底，硅衬底的正面形成有沟槽网络；叠层电容结构，设置于沟槽网络内以及硅衬底的正面，叠层电容结构包括至少一层由底电极、介质层和顶电极构成的...
    2026-03-01
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