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最新专利技术
  • 测试结构及其测试方法
    测试结构及其测试方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411077286.3
    本发明提供一种测试结构及其测试方法，测试结构包括一个或多个测试单元，测试单元包括：基底，基底包括衬底，以及位于衬底上的鳍部；栅极结构，横跨鳍部，栅极结构作为驱动电压输入端；源漏掺杂层，位于鳍部的其中一端的位置处的源漏掺杂层作为第一源漏掺杂层...
    2026-02-15
  • 一种半导体测试结构及半导体测试方法
    一种半导体测试结构及半导体测试方法_武汉楚兴技术有限公司_202411067630.0
    本发明提供了一种半导体测试结构及半导体测试方法，涉及半导体技术领域。通过对第一连接通孔和第一测试电极施加第一测试电压，同时第一网格导电线接入第一参考电压时，即能够完成第一测试引线和第一网格导电线之间的第一绝缘层的介电隔离性能测试。由于第一网...
    2026-02-15
  • 一种基于HTCC的垂直传输互连结构及多芯片组件
    一种基于HTCC的垂直传输互连结构及多芯片组件_深圳振华富电子有限公司_202511795314.X
    本申请提供了一种基于HTCC的垂直传输互连结构及多芯片组件，垂直传输互连结构包括叠层体，叠层体包括多个层叠设置的多个陶瓷介质层；沿陶瓷介质层的层叠方向，叠层体的顶部设有基体微带线，基体微带线的部分结构露出于叠层体之外构成第一传输端；叠层体的...
    2026-02-15
  • 面向3D VC的强化换热毛细结构及3DVC
    面向3D VC的强化换热毛细结构及3DVC_清华大学_202511519441.7
    本发明公开了一种面向3D VC的强化换热毛细结构及3D VC，属于高热流密度电子器件冷却领域。在该结构中，梯度孔径多孔结构的孔径沿梯度孔径多孔结构厚度一侧至另一侧呈梯度增大，梯度孔径多孔结构的一侧与3D VC的金属外壳内壁相接，梯度孔径多孔...
    2026-02-15
  • 一种高效节能三极管
    一种高效节能三极管_安徽富信半导体科技有限公司_202511582929.4
    本发明公开了一种高效节能三极管，属于三极管相关技术领域，包括散热壳体与引脚，引脚与散热壳体的内部固定并向外延伸，所述引脚通过剪切装置剪切处理，散热壳体的内部卡接有导热机构，且散热壳体的外部两侧还固定安装有用于导热机构固定的卡接件，散热壳体的...
    2026-02-15
  • 一种矩阵测温型IGBT模块的水冷散热器垂直限位装置
    一种矩阵测温型IGBT模块的水冷散热器垂直限位装置_南方电网科学研究院有限责任公司_202511616882.9
    公开了矩阵测温型IGBT模块的水冷散热器垂直限位装置及系统，装置中，散热器本体底板上设有呈m×n矩阵式分布的多个测温孔，所述测温孔贯穿底板，多个温度传感器分别插入所述测温孔中使温度传感器的感温端与上方IGBT模块的基板底部接触；传感器固定机...
    2026-02-15
  • 一种功率器件多芯片原位主动散热结构及制备方法
    一种功率器件多芯片原位主动散热结构及制备方法_华中科技大学_202511718644.9
    本发明属于功率半导体器件封装集成技术领域，尤其涉及一种功率器件多芯片原位主动散热结构及制备方法，散热结构包括：中心基板；若干半导体组，间隔嵌设在中心基板内；热端基板，固定连接在中心基板一侧；若干冷端基板，固定连接在中心基板另一侧，冷端基板与...
    2026-02-15
  • 一种功率器件主动散热电路一体化集成结构
    一种功率器件主动散热电路一体化集成结构_华中科技大学_202511716247.8
    本发明公开一种功率器件主动散热电路一体化集成结构，包括热电制冷器、导电金属柱、含通孔结构的三维陶瓷基板、功率芯片、键合引线和功率端子。热电制冷器包含热端陶瓷基板、冷端陶瓷基板及交替排列的P型与N型半导体；三维陶瓷基板与热电制冷器冷端基板为一...
    2026-02-15
  • 一种功率器件散热结构的制备方法及功率器件散热结构
    一种功率器件散热结构的制备方法及功率器件散热结构_华中科技大学_202511716259.0
    本发明属于功率半导体器件封装集成技术领域，尤其涉及一种功率器件散热结构的制备方法及功率器件散热结构，本发明通过在功率器件表面依次沉积绝缘层与金属层，实现绝缘防护与高效散热的一体化集成，无需依赖外部散热器，有效缩短热传输路径，显著降低界面热阻...
    2026-02-15
  • 基于金刚石-铜复合式微流道冷却封装结构
    基于金刚石-铜复合式微流道冷却封装结构_成都汉芯国科集成技术有限公司_202610036477.8
    本发明涉及半导体封装冷却技术领域，具体公开基于金刚石‑铜复合式微流道冷却封装结构，包括封装壳体及底部通过弹性密封圈浮动搭接的金刚石‑铜热传导板；热传导板上表面一体成型有若干换热立柱，各换热立柱插设于封装壳体的容纳沉孔内形成微流道环状间隙；封...
    2026-02-15
  • 一种MOS管散热封装结构
    一种MOS管散热封装结构_上海安勤智行汽车电子有限公司_202511828858.1
    本申请公开了一种MOS管散热封装结构，其特征在于，包括PCB板以及贴合设置于所述PCB板表层的MOS管芯片，所述PCB板的表层对应所述MOS管芯片的区域设有散热焊盘；所述散热焊盘由多个间隔设置的长条状焊盘组成，相邻两个长条状焊盘之间形成间隔...
    2026-02-15
  • 一种毛细力驱动两相热虹吸散热器及其工作方法
    一种毛细力驱动两相热虹吸散热器及其工作方法_杭州氢杰新能源有限公司_202511827014.5
    本发明公开了一种毛细力驱动两相热虹吸散热器及其工作方法，属于芯片散热领域，包括毛细力驱动式散热器主体和自适应升降式冷凝器，毛细力驱动式散热器主体包括毛细板以及密封设置于毛细板一侧的蒸发腔和储液室，蒸发腔经蒸汽软管与自适应升降式冷凝器的输入端...
    2026-02-15
  • 一种嵌入式功率模块及其制造方法
    一种嵌入式功率模块及其制造方法_派恩杰半导体(浙江)有限公司_202511775552.4
    本发明公开了一种嵌入式功率模块及其制造方法，属于集成电路技术领域，该嵌入式功率模块的制造方法，包括提供电路板，在所述电路板的正面封装芯片；使用3D打印工艺或者牺牲层在所述电路板的背面制备铜镀层，以及所述铜镀层中的散热微通道，所述散热微通道的...
    2026-02-15
  • 半导体封装件和制造半导体封装件的方法
    半导体封装件和制造半导体封装件的方法_三星半导体(中国)研究开发有限公司_202511680080.4
    提供了半导体封装件和制造半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：基底；半导体芯片，在基底上；热界面层，设置在半导体芯片上；多层金属结构，设置在热界面层上。多层金属结构包括第一部分和两个第二部分，第一部分在第一方向上与半导体芯片叠置，并且所...
    2026-02-15
  • 一种微通道热管耦合冷板均温装置
    一种微通道热管耦合冷板均温装置_北京理工大学_202511653994.1
    本发明涉及电子设备散热技术领域，公开一种微通道热管耦合冷板均温装置，包括导热壳体、微通道区、热管区和冷却工质循环系统；导热壳体的底面与热源接触；微通道区包括若干微通道，若干微通道间隔开设在导热壳体内腔中；热管区包括冷凝区和若干蒸汽腔，若干蒸...
    2026-02-15
  • 一种系统级封装产品的芯片散热结构、系统级封装产品及封装方法
    一种系统级封装产品的芯片散热结构、系统级封装产品及封装方法_郑州兴航科技有限公司_202511637055.8
    本发明属于半导体集成电路封装技术领域，涉及一种系统级封装产品的芯片散热结构、系统级封装产品及封装方法。该散热结构包括倒装芯片和塑封在倒装芯片外部的散热盖；在倒装芯片的底部周围胶粘有两个L型的AD胶，散热盖的底部放置在AD胶上，用于固定散热盖...
    2026-02-15
  • 带有扩压喷射散热器的干冰微粒流体冷却芯片系统
    带有扩压喷射散热器的干冰微粒流体冷却芯片系统_天津商业大学_202511606480.0
    本发明提供了带有扩压喷射散热器的干冰微粒流体冷却芯片系统，包括低压级压缩机、高压级压缩机、气体冷却器、回热器、中间冷却器、第一膨胀阀、第二膨胀阀及扩压喷射散热器；扩压喷射散热器的底板覆盖于芯片上面；低压级压缩机、气体冷却器、回热器、第一膨胀...
    2026-02-15
  • 用于大功率半导体器件的三维堆叠散热结构及制备方法
    用于大功率半导体器件的三维堆叠散热结构及制备方法_上海酷蓝电子科技有限公司_202511598995.0
    本发明公开了一种用于大功率半导体器件的三维堆叠散热结构及制备方法，其中结构包括大功率器件、PCB组件、陶瓷基板组件和热接口层，所述大功率器件通过第一SMT焊接层焊接在PCB组件上，所述PCB组件进一步包括散热过孔阵列、背部焊盘和阻焊层，所述...
    2026-02-15
  • 高热流器件的高效散热结构及其制造方法
    高热流器件的高效散热结构及其制造方法_电子科技大学_202511512831.1
    本发明公开了一种高热流器件的高效散热结构及其制造方法，属于电子设备散热技术领域。该结构包括微射流孔阵列和具有复合仿生微结构的靶面，靶面由仿叶脉多级分形微流道和位于其分支间的错列仿蜂巢微柱阵列构成。微射流孔阵列采用主、副射流孔多级布局，分别精...
    2026-02-15
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511649391.4
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法，所述制备方法包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域，衬底上依次形成有硬掩膜层以及非晶硅层；在第一区域和第二区域的非晶硅层上形成光刻胶层，执行光刻工艺，去除第一区域的光刻胶层并在第二区域的非晶硅层上形...
    2026-02-15
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