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最新专利技术
  • 高纯锗探测器单晶表面处理方法
    高纯锗探测器单晶表面处理方法_安徽光智科技有限公司_202511786044.6
    一种高纯锗探测器单晶表面处理方法包括步骤：对圆柱形的高纯锗探测器单晶的轴向相反的两端面采用SiO22和水配制的加工液研磨和抛光；尺寸测量以计算出体积；纯水超声清洗，甲醇超声清洗，之后氮气吹干；放入缓冲槽的缓冲液中，缓冲液由体积比1 : (6...
    2026-03-21
  • 一种双层多孔碳包覆碳化硅及其制备方法与碳化硅晶体的生长方法
    一种双层多孔碳包覆碳化硅及其制备方法与碳化硅晶体的生长方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202511692574.4
    本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，尤其涉及一种双层多孔碳包覆碳化硅及其制备方法与碳化硅晶体的生长方法。与现有技术相比，本发明通过双层多孔碳包覆结构对碳化硅原料的升华过程形成精准调控，碳层在高温下的逐步分解与碳化硅核的升华速率形成动态匹配，在...
    2026-03-21
  • 一种带实时温场监测的碳化硅长晶炉恒温装置
    一种带实时温场监测的碳化硅长晶炉恒温装置_郑州榕芯电子科技有限公司_202511689200.7
    本发明涉及碳化硅长晶炉测温技术领域，且公开了一种带实时温场监测的碳化硅长晶炉恒温装置，包括载板，所述载板的上表面固定连接有控制箱，所述载板的上表面固定连接有筒体，所述筒体的内部放置有坩埚。本发明中，测温机构通过泵体精准控制气体输出量，可驱动...
    2026-03-21
  • 一种金属卤化物非线性光学晶体及其制备方法
    一种金属卤化物非线性光学晶体及其制备方法_哈尔滨工业大学_202511690284.6
    一种金属卤化物非线性光学晶体及其制备方法，它涉及非线性光学晶体及合成制备。本发明是要解决现有的方法合成混合阴离子的金属卤化物困难的技术问题。本发明的金属卤化物非线性光学晶体的化学式为Rb22CdCl22I22，非线性光学晶体的结构不具有对称...
    2026-03-21
  • 一种卤乙磺酸盐二阶非线性光学晶体及其制备与应用
    一种卤乙磺酸盐二阶非线性光学晶体及其制备与应用_同济大学_202511599191.2
    本发明涉及一种2‑卤素乙烷磺酸盐二阶非线性光学晶体及其制备与应用，该晶体材料的化学式为Na[SO33(CH22)22X](H22O)，其中，X＝Cl或Br，该晶态材料属于单斜晶系，空间群为Pc，晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝91.86～92...
    2026-03-21
  • 一种2-羟基乙烷磺酸锂二阶非线性光学晶体及其制备与应用
    一种2-羟基乙烷磺酸锂二阶非线性光学晶体及其制备与应用_同济大学_202511598872.7
    本发明涉及一种2‑羟基乙烷磺酸锂二阶非线性光学晶体及其制备与应用，该晶体材料的化学式为Li[SO33(CH22)22OH]，分子量为132.06，属于单斜晶系，其空间群为Cc，晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝92.04～92.24°，Z＝4，...
    2026-03-21
  • 单晶硅电阻率的调控方法、系统和程序产品
    单晶硅电阻率的调控方法、系统和程序产品_双良硅材料(包头)有限公司_202511898957.7
    本发明公开了一种单晶硅电阻率的调控方法、系统和程序产品。方法中，获得当前段单晶硅棒头部的电阻率实测值、尾部的电阻率实测值、以及各电阻率实测值对应测量时刻对应测量点位的温度值；根据单个电阻率实测值及其对应的温度值确定对应的电阻率补偿值，将所述...
    2026-03-21
  • 一种单晶硅棒及其收尾方法
    一种单晶硅棒及其收尾方法_上海新昇半导体科技有限公司_202511658720.1
    本申请提供一种单晶硅棒及其收尾方法，包括：等径结构；收尾结构，所述收尾结构连接于所述等径结构远离其生长起始端的一端，所述收尾结构的径向尺寸沿单晶硅棒的生长方向呈先减小、后增大、再减小的变化趋势；其中，在所述增大的阶段中，所述收尾结构的径向尺...
    2026-03-21
  • 金刚石超晶格结构的制备方法及金刚石超晶格结构
    金刚石超晶格结构的制备方法及金刚石超晶格结构_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511761381.X
    本发明提供一种金刚石超晶格结构的制备方法及金刚石超晶格结构，涉及半导体材料制备技术领域。该方法包括：在第一反应条件下，在单晶金刚石衬底上生成本征金刚石层；其中，所述第一反应条件为向所述单晶金刚石衬底所处的反应腔室内通入氢气和第一浓度的碳源气...
    2026-03-21
  • 一种制备大尺寸多晶硒化锌的装置及生长方法
    一种制备大尺寸多晶硒化锌的装置及生长方法_安徽光智科技有限公司_202511942739.9
    本发明公开了红外材料技术领域的一种制备大尺寸多晶硒化锌的装置及生长方法，包括化学气相沉积炉组件、石墨塔组件和收尘组件，本发明通过优化沉积工艺参数，并结合多坩埚连续供料机制，成功制备出直径和厚度均达标的高品质硒化锌晶体，满足下游高端器件对材料...
    2026-03-21
  • 一种多晶硅的制备方法
    一种多晶硅的制备方法_广州增芯科技有限公司_202511680348.4
    本发明提供了一种多晶硅的制备方法，沿第一方向，若干个晶圆卡槽内放置的多片晶圆依次包括若干片第一挡控晶圆、若干片第一监控晶圆、若干片第一产品晶圆、若干片第二监控晶圆、若干片第二产品晶圆、若干片第三监控晶圆以及若干片第二挡控晶圆，且第一产品晶圆...
    2026-03-21
  • 一种基于硼磷氮共掺技术外延生长的高导电性N型金刚石及其制备方法
    一种基于硼磷氮共掺技术外延生长的高导电性N型金刚石及其制备方法_浙江大学_202511348551.1
    本发明公开了一种基于硼磷氮共掺技术外延生长的高导电性N型金刚石及其制备方法，涉及一种新型N型金刚石的生长方法。本发明通过使用氨气、硼烷和磷烷作为掺杂气体源，采用微波等离子体化学气相沉积MPCVD方法在金刚石衬底上制备金刚石，利用硼磷氮共掺技...
    2026-03-21
  • 一种多元氧化物薄膜及其制备方法和应用
    一种多元氧化物薄膜及其制备方法和应用_合肥致真精密设备有限公司_202610030527.1
    本发明属于半导体材料制备技术领域，涉及一种多元氧化物薄膜及其制备方法和应用。针对现有技术中多元氧化物薄膜难以大面积均匀制备的技术问题。本申请提供了一种多元氧化物薄膜的制备方法，采用分子束外延共蒸发制备，包括以下步骤：将衬底放置在分子束外延共...
    2026-03-21
  • 一种低压硅外延生长方法及半导体结构
    一种低压硅外延生长方法及半导体结构_上海新微技术研发中心有限公司_202511678385.1
    本发明公开一种低压硅外延生长方法及半导体结构，包括以下步骤：S1：在硅基底上生长一层保护层；S2：刻蚀保护层直至硅基底的表面形成生长窗口；S3：对硅基底进行外延工艺处理，在生长窗口内生长单晶硅，在保护层表面生长多晶硅；外延生长工艺的压力为5...
    2026-03-21
  • 一种柔性单晶纳米结构阵列薄膜及其制备方法和应用
    一种柔性单晶纳米结构阵列薄膜及其制备方法和应用_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511358292.0
    本发明涉及一种柔性单晶纳米结构阵列薄膜及其制备方法和应用，属于单晶纳米材料技术领域，本发明柔性单晶纳米结构阵列薄膜包括从下到上依次设置的氟晶云母单晶衬底、单晶种子层和单晶纳米结构阵列，且单晶种子层、单晶纳米结构阵列与氟晶云母单晶衬底具有外延...
    2026-03-21
  • 一种半导体衬底的外延生长装置及外延生长方法
    一种半导体衬底的外延生长装置及外延生长方法_山东大学_202511655436.9
    本发明公开了一种半导体衬底的外延生长装置及外延生长方法，属于微电子和半导体制造技术领域。本发明提供的外延生长装置包括由上至下一体设置的第一反应腔、隔板和第二反应腔；隔板上设置竖直贯通的圆孔；还包括传输轴，以及由连接杆、第一圆盘、第二圆盘和托...
    2026-03-21
  • 半导体外延生长组件、外延生长装置以及外延生长工艺
    半导体外延生长组件、外延生长装置以及外延生长工艺_北京天科合达半导体股份有限公司_202512014272.8
    一种半导体外延生长组件、外延生长装置以及外延生长工艺，其中半导体外延生长组件包括：晶片托；下半月结构，具有组装面，组装面内嵌有晶片托；组装面朝向外延生长的工艺气体，组装面与外延生长的工艺气体的气流方向呈预设角度以使晶片托所承托的晶片倾斜。将...
    2026-03-21
  • 一种激光诱导定位外延系统
    一种激光诱导定位外延系统_中国科学院半导体研究所_202511513421.9
    本发明公开了一种激光诱导定位外延系统，包括壳体、承载架、掩膜和激光发生器，所述壳体具有周转腔和反应腔；所述激光发生器通过所述透视窗口向所述掩膜发射激光并使激光穿过所述掩膜照射在所述衬底上。本发明通过掩膜和激光的精确控制，可以实现只在衬底的特...
    2026-03-21
  • InGaAs/InP异质材料外延生长方法
    InGaAs/InP异质材料外延生长方法_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202511655808.8
    本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种InGaAs/InP异质材料外延生长方法，该方法包括：打开磷烷源和三甲基铟源，以在预设衬底上生长第一InP外延层；关闭三甲基铟源，并开始计时，若计时时长达到第一预设时长，则关闭磷烷源；打开砷烷源、三甲基...
    2026-03-21
  • 一种高压气相合成的单晶氧化钴/碳复合材料及其制备方法与应用
    一种高压气相合成的单晶氧化钴/碳复合材料及其制备方法与应用_河南省科学院物理研究所_202511702385.0
    本发明属于电化学储能材料与新能源材料制备领域，公开了一种高压气相合成的单晶氧化钴/碳复合材料及其制备方法与应用。步骤为：(1)将钴盐溶解于有机溶剂中，得到前驱体溶液；(2)向前驱体溶液中加入干冰并密封，在惰性气体氛围下进行高压气相反应，得到...
    2026-03-21
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