Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
最新专利技术
  • 本发明涉及包括振动传感器的洗衣机。通过仅使用振动传感器,可以基于桶在与滚筒的转速对应的基频处的振动的幅度与桶在基频的谐波频率处的振动的幅度之间的差,确定重量平衡器是否损坏,并在重量平衡器的损坏恶化之前采取主动措施。
  • 一种用于使印花织物或染色织物的颜色显现的连续式汽蒸机(100)包括:适于容纳蒸汽的封闭的处理室(150);连续的至少一个输送器件,输送器件被布置在封闭的处理室(150)内部并且适于对被称为杆状件(30)的多个筒形支撑件进行安装,支撑件适于对...
  • 本申请公开了一种多层管状套管(10),包括:在相对的第一和第二内端部(26a,26b)之间围绕中心轴线(18)延伸的编织管状内壁(14b);以及在相对的第一和第二外端部(24a,24b)之间围绕中心轴线延伸的编织管状外壁(14a)。第一内端...
  • 本发明涉及一种织物,所述织物包含第一组经纱,特别是包括短纤维,以及第二组经纱,特别是包括合成长丝。所述第二组经纱的纱线支数低于第一组经纱的纱线支数,其特征在于,第一组经纱的经纱密度与第二组经纱的经纱密度之比小于2/1。
  • 本发明涉及一种具有一个锡林(4)和一个回转盖板(17)的梳理机(100),回转盖板具有围绕锡林(4)的圆周的部分区域环绕的盖板条(20),其中,盖板条(20)在两侧借助于传动带(24)以彼此间隔开的方式被引导并且利用盖板条的滑动元件或销(2...
  • 本发明提供一种III族氮化物半导体外延晶片,其在添加有高浓度杂质的III族氮化物半导体上形成有表面非常平坦的III族氮化物半导体膜。III族氮化物半导体外延晶片具备显示n型的传导性且载流子浓度为102020cm‑3‑3以上的III族氮化物半...
  • 本发明揭示一种消除了双晶缺陷的单晶金刚石衬底及其制备方法,更具体地,该消除了双晶缺陷的单晶金刚石衬底在包含R面(R‑plane)蓝宝石衬底的基底层的上表面配置包含铱(Ir)金属层的缓冲层而控制衬底缺陷并包括以(111)方向取向的单晶金刚石层...
  • 本发明涉及一种氢气生产组件,包括:氢气生产装置、包含水性电解质溶液的容器、用于储存生产的氢气的储存容器、将水性电解质溶液从容器提供到氢气生产装置的输入端以及用于将生产的氢气从氢气生产装置转移到储存容器的输出端。本发明进一步涉及通过氢气生产组...
  • 本发明公开一种对循环回用酸液作前处理去除草酸根的方法及其装置,该方法为向酸性废液加投草酸和/或可溶性草酸盐,使反应液出现新草酸盐沉淀物,然后进行固液分离,得到新草酸盐滤渣和酸性滤液;其特征在于,还包括以下步骤:(1)对所述酸性滤液直接或调配...
  • 除其他外,本发明涉及一种用于电化学沉积含颗粒的镍或含颗粒的镍合金层的分散电解质。所述分散电解质包含:2至200 g/L的镍离子;总计1至200 g/L的至少一种颗粒,所述颗粒选自无机压电颗粒、导电陶瓷颗粒及其组合;阴离子和/或非离子分散剂;...
  • 本发明提供含钌薄膜的制造方法及由此制造的含钌薄膜,本发明的含钌薄膜的制造方法通过利用钌化合物和特定的反应气体,从而能够以简单的工序容易地制造高纯度的薄膜。
  • 本申请涉及一种利用两种硅前驱体化合物的硅薄膜制备方法,具体而言,涉及一种在低温下通过原子层沉积法(Atomic Layer Deposition,ALD)制备具有优异的薄膜特性且能够调整基于前驱体的形貌(morphology)的硅薄膜的方法...
  • 描述了在真空处理系统中支撑基板的基板支撑件。所述基板支撑件包括基板支撑主体,其具有用于支撑基板的前侧和与前侧相对的后侧,前侧有至少一个凹槽,有至少一个开口从后侧通往凹槽,有至少一个升举销,其轴的尺寸小于开口,且其头部的尺寸小于凹槽,升举销可...
  • 本发明提供一种电子零件用层叠配线膜及用于形成被覆层的溅镀靶材,所述电子零件用层叠配线膜使用了能够进行干式蚀刻、且在确保与作为导电层的Al层叠时的密接性的同时具有即使经过加热工序也可维持低电阻值的耐热性、以及作为使用时的耐环境性之一的耐湿性的...
  • 本发明涉及用于在金属运行基材上沉积由金属或金属合金形成的涂层的声波蒸气喷射涂覆机,该声波蒸气喷射涂覆机包括:‑ 再分配室;‑ 蒸气出口管道,该蒸气出口管道连接至所述再分配室并且能够沿着主喷射方向喷涂金属合金蒸气,蒸气出口管道由各部件形成;‑...
  • 掩模可以包含:第一层,其包含第一面和位于上述第一面的相反侧的第二面,形成有贯通第一层的至少1个第一开口;第二层,其包含与第一面对置的第三面和位于上述第三面的相反侧的第四面,在俯视时在与第一开口重叠的位置形成有贯通所述第二层的第二开口;以及第...
  • 用于加热真空炉(8, 9, 30)的壁(17)的方法及装置,所述壁(17)具有导电表面(20),其中,在真空炉(8, 9, 30)中在所述壁(17)与阳极(18)之间在压力低于1mbar的气体中产生等离子体。通过将壁(17)的表面(20)相...
  • 本发明的课题是提供抑制了制造时的LME的焊接接头。本发明的焊接接头具备多个钢板和点焊部,多个钢板中的一块以上为镀覆钢板,此外,多个钢板中的一块以上为具有规定的化学成分的高强度钢板,在高强度钢板的第1区域(非热影响部)中,表面粗糙度Ra为3....
  • 本发明的课题在于提供具有高耐LME性的钢板和镀覆钢板。本发明的钢板的抗拉强度为780MPa以上,并具有规定的化学成分,钢板的表面粗糙度以Ra计为3.0μm以下,在从钢板表面起的厚度方向上,通过GDS测得的C浓度为0.02%以下的深度为3μm...
  • 本发明提供拉丝加工性优异的线材。在本实施方式的线材中,在线材中与轴向垂直的圆形截面中,将距离线材的表面0.5mm深度位置处的真实层间距的平均值设为LaveS(nm)、将真实层间距的最大值设为LmaxS(nm)时,LmaxS/LaveS为1....
技术分类