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最新专利技术
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510446418.3
    本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。本公开的实施例提供了一种半导体器件结构及其形成方法。该结构包括：第一半导体层；第二半导体层，设置在第一半导体层之上；栅极电介质层，设置在第一半导体层和第二半导体层之间；以及电介质材料的第一区域和第二区域...
    2026-02-19
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411047869.1
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：沟道凸起部，位于器件区的基底上；隔离层，位于基底上，隔离层包括第一隔离层和位于第一隔离层上的第二隔离层，器件区的第一隔离层覆盖沟道凸起部的部分侧壁，且第一隔离层的致密度高于第二隔离层的致密度，因而...
    2026-02-19
  • 一种具有p-GaN电容的GaN单片集成驱动电路
    一种具有p-GaN电容的GaN单片集成驱动电路_西安电子科技大学_202511531857.0
    本发明公开了一种具有p‑GaN电容的GaN单片集成驱动电路，其基本单元由电容耦合逻辑电路(CFET)构成，CFET逻辑电路中的电容C称为自举电容，包括增强型GaN HEMT器件M11、增强型GaN HEMT器件M12、增强型GaN HEMT...
    2026-02-19
  • 位错SMT工艺方法
    位错SMT工艺方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511587273.5
    本发明公开了一种位错SMT工艺方法，包括：步骤一、提供包括PMOS和NMOS形成区域的半导体衬底且形成有栅极结构和嵌入式锗硅外延层。步骤二、形成包括依次叠加的第一氧化层和第二氮化层的位错SMT层。步骤三、进行SMT退火进行拉应力转移并使NM...
    2026-02-19
  • 用于金属栅极填料的化学镀方法
    用于金属栅极填料的化学镀方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511548997.9
    本申请涉及用于金属栅极填料的化学镀方法。在用于纳米片FinFET器件的栅极替换工艺中，实施例采用电化学工艺来将金属栅极电极沉积在栅极开口中。可以使用促进剂和抑制剂来针对金属栅极电极的填充材料实现自下而上的沉积。
    2026-02-19
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511466218.0
    在实施例中，方法包括：在半导体衬底上方形成多层堆叠件，该多层堆叠件包括交替的半导体纳米结构和伪纳米结构；形成下部源极/漏极区域，其中半导体纳米结构的下部半导体纳米结构在下部源极/漏极区域之间延伸；在下部源极/漏极区域上方形成上部源极/漏极区...
    2026-02-19
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511466211.9
    在实施例中，方法包括：形成包括交替的半导体纳米结构和伪纳米结构的多层堆叠件；形成下部源极/漏极区域，其中，半导体纳米结构的下部半导体纳米结构在下部源极/漏极区域之间延伸；在下部源极/漏极区域上方形成上部源极/漏极区域，其中，半导体纳米结构的...
    2026-02-19
  • 半导体器件及其制备方法，电子设备
    半导体器件及其制备方法，电子设备_北京超弦存储器研究院_202411045905.0
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，电子设备，本申请半导体器件包括由至少一个存储单元组成的存储单元阵列；每个存储单元包括第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管包括第一半导体层，第一栅电极和第二导电层，在第一栅电极与第二导电层之间设置有第一高...
    2026-02-19
  • 系统封装模组及电子设备
    系统封装模组及电子设备_华为技术有限公司_202411055737.3
    本申请涉及系统封装模组及电子设备。系统封装模组包括基板、第一器件、第二器件、封装模组及封装层。第一器件与第二器件间隔位于基板的同侧，第一器件的远离基板的表面与基板的间距大于第二器件的远离基板的表面与基板的间距。封装模组包括RDL、导电件、第...
    2026-02-19
  • 防雷电连接器用TVS芯片集成化阵列器件及制备方法
    防雷电连接器用TVS芯片集成化阵列器件及制备方法_辽宁省轻工科学研究院有限公司_202610018187.0
    本发明属于电连接器防护技术领域，具体涉及防雷电连接器用TVS芯片集成化阵列器件及制备方法，包括由上至下依次设置的上端陶瓷平板、导入电极、TVS芯片、导出电极和下端陶瓷平板；上端陶瓷平板上的内孔的内壁设置有内孔端电极；下端陶瓷平板的下端设置有...
    2026-02-19
  • 衬底电位管理电路
    衬底电位管理电路_上海新微半导体有限公司_202511618640.3
    本发明提供一种衬底电位管理电路，应用于双向开关器件中，包括：第一二极管，阳极连接双向开关器件的衬底，阴极连接双向开关器件的漏极；第二二极管，阳极连接双向开关器件的衬底，阴极连接双向开关器件的源极；第三二极管，阳极连接双向开关器件的衬底，阴极...
    2026-02-19
  • 一种二极管分离型IGBT器件的压接结构及压接方法
    一种二极管分离型IGBT器件的压接结构及压接方法_国网智能电网研究院有限公司_202411039964.7
    本发明提供了一种二极管分离型IGBT器件的压接结构及压接方法，包括：多个依次串联压接的二极管分离型IGBT器件、多个散热器以及多组母排；每个所述二极管分离型IGBT器件包括一个IGBT和一个单独压接的二极管，所述IGBT和二极管之间通过一组...
    2026-02-19
  • 伪栅形成方法及半导体器件的形成方法
    伪栅形成方法及半导体器件的形成方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610019644.8
    本申请公开了伪栅形成方法及半导体器件的形成方法，该伪栅形成方法包括：提供一衬底，衬底内形成有隔离结构，隔离结构上形成有用于构成伪栅的层叠结构；将隔离结构表面的位于层叠结构侧壁下的部分蚀刻掉，形成凹槽；在衬底上形成覆盖层叠结构侧壁的伪栅侧墙，...
    2026-02-19
  • 用于在衬底上沉积金属碳化物的方法和系统
    用于在衬底上沉积金属碳化物的方法和系统_ASMIP私人控股有限公司_202511039892.0
    提供了用于在衬底上沉积金属碳化物的方法和系统。该方法可以包括：在反应室中提供衬底，在反应室中提供包含具有第一金属的金属烷基的第一前体，在反应室中提供包含卤代烃的第二前体，以及在反应室中提供包含与第一金属不同的第二金属的第三前体。可以在衬底上...
    2026-02-19
  • 高介电金属氧化物的形成方法
    高介电金属氧化物的形成方法_宇川精密材料科技股份有限公司_202411398878.5
    本发明提供了一种高介电金属氧化物的形成方法，利用掺杂少量以硅烷基胺(Trisilyl amine, TSA, 化学式：N(SiH33)33)为主的前驱物制作二氧化硅，掺杂于以有机金属化合物为前驱物的高介电金属氧化物中，用以形成高效能的高介电...
    2026-02-19
  • FDSOI NMOS源漏结构及其制造方法
    FDSOI NMOS源漏结构及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511577188.0
    本发明公开了一种FDSOI NMOS源漏结构及其制造方法，所述FDSOI NMOS源漏结构制造方法，包括以下步骤：S1，采用现有技术制造FDSOI NMOS栅结构；S2，形成第一侧墙并修整其形貌，仅保留栅结构两侧的预设厚度的第一侧墙；S3,...
    2026-02-19
  • FDSOI NMOS源漏结构及其制造方法
    FDSOI NMOS源漏结构及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511577180.4
    本发明公开了一种FDSOI NMOS源漏结构制造方法，包括：S1，采用现有技术制造FDSOI NMOS栅结构；S2，形成第一侧墙并修整其形貌，仅保留栅结构两侧的预设厚度的第一侧墙；S3，形成第二侧墙并修整其形貌，使其相邻第一侧墙位置的厚度与...
    2026-02-19
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_苏州华太电子技术股份有限公司_202511563117.5
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括集电层、第一掺杂层、第二掺杂层、发射区、栅极与保护结构；发射区位于第二掺杂层内；栅极位于第二掺杂层背离集电层的一侧，栅极至少贯通第二掺杂层与部分第一掺杂层，栅极沿元胞宽度方向的两侧均设置...
    2026-02-19
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_苏州华太电子技术股份有限公司_202511559292.7
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底、有源层、沟槽栅极、源极与保护结构，有源层设置于衬底沿厚度方向的一侧，有源层包括外延层、阱区与源区，沟槽栅极由外延层背离衬底的表面朝向衬底方向延伸形成，沟槽栅极至少贯通阱区；源极设置...
    2026-02-19
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510844608.0
    本发明涉及半导体技术领域，公开一种半导体器件及其制备方法。半导体器件，包括：衬底层；位于衬底层上的外延层，外延层包括终端区和包围终端区的划片道区；位于划片道区中且延伸至部分终端区中的掺杂区，掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区；第一掺杂区和第二...
    2026-02-19
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