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最新专利技术
  • 一种大丝束聚酰亚胺纤维及其制备方法和应用
    一种大丝束聚酰亚胺纤维及其制备方法和应用_江苏先诺新材料科技有限公司_202511957689.1
    本发明涉及一种溶剂循环型大丝束聚酰亚胺纤维及其制备工艺与应用。所述纤维为连续长丝，束丝线密度10000D‑800000D，单丝线密度0.6D‑18D，单丝线密度离散度CV≤9%，物理机械性能优异(拉伸强度6cN/dtex‑42cN/dtex...
    2026-04-25
  • 分子筛-聚丙烯共混纺丝高强纤维的制备工艺
    分子筛-聚丙烯共混纺丝高强纤维的制备工艺_浙江严牌技术有限公司_202610015373.9
    本发明涉及高强纤维技术领域，具体为分子筛‑聚丙烯共混纺丝高强纤维的制备工艺，包括以下步骤：S1.将聚丙烯、改性分子筛和改性母粒混合均匀，利用双螺杆挤出机造粒，挤出条状物料，水冷切粒；S2.将混料加入纺丝机料斗，采用两段热牵伸工艺，再以250...
    2026-04-25
  • 一种酷布用的高强度丙纶短纤维及其制备方法
    一种酷布用的高强度丙纶短纤维及其制备方法_湖北博韬合纤股份有限公司_202511634524.0
    本发明公开一种酷布用的高强度丙纶短纤维及其制备方法，涉及到聚合物人造长丝及类似物技术领域。一种酷布用的高强度丙纶短纤维，由包含以下质量份的原料制备而成：聚丙烯树脂100份、成核剂0.1‑1份、无机填料0.2‑0.8份、加工助剂0.5‑2份、...
    2026-04-25
  • 一种橘瓣形纤维海岛型喷丝组件及纺丝方法
    一种橘瓣形纤维海岛型喷丝组件及纺丝方法_浦江德工精密机械有限公司_202511968119.2
    本发明公开了一种橘瓣形纤维海岛型喷丝组件及纺丝方法，属于纺织设备技术领域，其对海岛型喷丝组件中的分配板的凸台进行了改进；所述的凸台与喷丝板的上表面紧密接触，凸台的内部设有若干与第二分配孔连通的出料孔，凸台的周向设有若干过料槽，出料孔和过料槽...
    2026-04-25
  • 一种生物基弹性纤维双组分复合丝喷丝装置及方法
    一种生物基弹性纤维双组分复合丝喷丝装置及方法_江苏世成纺织科技有限公司_202511880986.0
    本发明涉及纺纱的技术领域，公开了一种生物基弹性纤维双组分复合丝喷丝装置及方法，包括：装置壳体；至少两个生物基弹性聚合物料桶，设于所述装置壳体顶部，用于储存不同的生物基弹性聚合物；齿轮泵机，设于所述装置壳体侧部，用于输送聚合物熔体；挤出熔融毛...
    2026-04-25
  • 一种涤锦复合丝生产工艺
    一种涤锦复合丝生产工艺_江苏华亚化纤有限公司_202511705160.0
    本发明涉及一种涤锦复合丝生产工艺，它包括S1、有光PET切片和锦纶切片分别经过干燥系统得到干切片；S2、有光PET干切片和锦纶干切片分别经过螺杆挤压机挤压熔融形成熔体A和熔体B；S3、熔体A和熔体B分别经过各自熔体计量泵，最后进入同一个复合...
    2026-04-25
  • 一种全消光异孔合股仿棉纤维的制备方法
    一种全消光异孔合股仿棉纤维的制备方法_新凤鸣集团湖州中石科技有限公司_202511759605.3
    本发明提供了一种全消光异孔合股仿棉纤维的制备方法，具体步骤为消光母粒的制备、消光母粒熔体与聚酯熔体混合、全消光聚酯熔体纺丝成形以及全消光异孔合股仿棉POY纤维的卷绕拉伸成型，通过在同一喷丝板上集成不同孔数的喷丝板，实现了纤维截面的多样化和性...
    2026-04-25
  • 一种聚酯短纤维-微球复合医用填充材料及其制备方法与应用
    一种聚酯短纤维-微球复合医用填充材料及其制备方法与应用_北京菩瑞提生物科技有限公司_202511573530.X
    本公开提供了一种包含聚酯类短纤维与聚酯微球的复合组合物及其作为医美填充材料的应用。本公开还提供一种制备聚酯类短纤维的方法。本公开利用聚酯类短纤维与微球复合后良好的生物相容性、生物可降解性以及独特的线状结构，提供一种全新的医美填充材料解决方案...
    2026-04-25
  • 一种晶体生长的温度控制方法及相关装置
    一种晶体生长的温度控制方法及相关装置_保定景欣智能科技有限公司_202512036135.4
    本申请公开了一种晶体生长的温度控制方法及相关装置，首先获取晶体生长过程中的图像数据，然后从图像数据中提取得到光圈图像，之后在光圈图像中，按照固定角度获取多个位置下分别对应的多个光圈厚度，然后基于光圈厚度超过预设阈值的数量与多个光圈厚度对应的...
    2026-04-25
  • 一种去除氧化镓熔体内气泡的方法
    一种去除氧化镓熔体内气泡的方法_北京镓创科技有限公司_202511800910.2
    本发明申请属于半导体材料制备技术领域，特别涉及一种去除氧化镓熔体内气泡的方法。该方法包括原料预处理步骤、分段烧结步骤和坩埚动态旋转控制等工艺环节的调控，通过对成形压力、烧结条件和温度、熔体动态搅拌、保温时间等关键参数的精准控制，可将氧化镓熔...
    2026-04-25
  • 一种大尺寸单晶GaN晶圆与单晶金刚石的键合结构及方法
    一种大尺寸单晶GaN晶圆与单晶金刚石的键合结构及方法_广州南沙地大滨海研究院_202511443801.X
    本发明提供了一种大尺寸单晶GaN晶圆与单晶金刚石的键合结构及方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：对多块单晶金刚石和单晶GaN晶圆进行清洗处理以去除表面污染物；在单晶GaN晶圆表面刻蚀出多个呈阵列排布的微孔槽，每个微孔槽与一块单晶金刚石的...
    2026-04-25
  • 一种双拉条粗丝硼扩散炉
    一种双拉条粗丝硼扩散炉_阿尔美(苏州)科技有限公司_202511993152.0
    一种双拉条粗丝硼扩散炉，包括炉体，还包括沿着炉体的长度方向螺旋延伸的炉丝、具有多个绝缘件的绝缘组件、包覆于炉丝表面的保温棉，每个绝缘件分别夹设于相邻炉丝之间，设置于绝缘组件和保温棉之间的双拉条固定组件，双拉条固定组件包括穿过多个绝缘组件的横...
    2026-04-25
  • 一种复合改性无水硫酸钙晶须及其制备方法和应用
    一种复合改性无水硫酸钙晶须及其制备方法和应用_武汉工程大学_202511898565.0
    本发明提供了一种复合改性无水硫酸钙晶须及其制备方法和应用，复合改性无水硫酸钙晶须的制备方法，包括以下步骤：将无水硫酸钙晶须与含第一改性剂的溶液混合进行第一反应，过滤，洗涤后得到第一改性晶须；第一改性剂包括海藻酸和/或海藻酸盐；将第一改性晶须...
    2026-04-25
  • 一种有机半导体纵向异质结单晶阵列及其制备方法
    一种有机半导体纵向异质结单晶阵列及其制备方法_中国科学技术大学苏州高等研究院_202610018580.X
    本发明提供了一种有机半导体纵向异质结单晶阵列及其制备方法，所述的制备方法包括：提供第一硅柱模版、第二硅柱模版与基底；所述第一硅柱模版与所述第二硅柱模版上分别设置有第一硅柱阵列与第二硅柱阵列，所述第一硅柱模版、第二硅柱模版与基底还分别设置有第...
    2026-04-25
  • 一种手性有机-无机杂化压电晶体材料及其制备方法
    一种手性有机-无机杂化压电晶体材料及其制备方法_青岛大学_202511644121.4
    本发明属于功能杂化材料技术领域，涉及一种手性有机‑无机杂化压电晶体及其制备方法，将R‑2‑甲基哌嗪或S‑2‑甲基哌嗪与三碘化锑、氢碘酸、次磷酸和去离子水加入高压反应釜中混合均匀，然后放入145–170℃烘箱中反应20–30 h，冷却至室温，...
    2026-04-25
  • 一种有机无机化合物晶体(H11C4N2)CdI3、其制备方法及应用
    一种有机无机化合物晶体(H11C4N2)CdI3、其制备方法及应用_福建师范大学_202310577105.2
    本发明公开一种有机无机化合物晶体(H1111C44N22)CdI33、其制备方法及应用。所述有机无机化合物晶体为杂化晶体，化学式为(H1111C44N22)CdI33，属于单斜晶系，空间群为CcCc，晶胞参数为aa=14.36~14.38 ...
    2026-04-25
  • 一种液相生长设备水平传动装置
    一种液相生长设备水平传动装置_北京智创芯源科技有限公司_202511652994.X
    本发明公开了一种液相生长设备水平传动装置，涉及碲镉汞材料生长设备技术领域，包括第一隔离件、第二隔离件，第二隔离件的隔离侧壁设有连通孔；金属罩朝向第二隔离件的一侧与隔离侧壁密闭连接，金属罩内腔通过连通孔与第一隔离件内腔连通；外磁铁结构包括多个...
    2026-04-25
  • 一种大尺寸超薄单晶Bi2O2Se薄膜的制备方法及其应用
    一种大尺寸超薄单晶Bi2O2Se薄膜的制备方法及其应用_电子科技大学_202511854027.1
    本发明提供一种大尺寸超薄单晶Bi22O22Se薄膜的制备方法及其应用，属于Bi22O22Se薄膜制备技术领域。该方法先采用氧等离子体对衬底进行亲水处理，让衬底对氧的亲和性更强，然后利用射频溅射在衬底表面生长Bi22O33薄膜时，更倾向于在衬...
    2026-04-25
  • 一种基于导流增强的氨热法氮化镓晶体生长炉
    一种基于导流增强的氨热法氮化镓晶体生长炉_山东省科学院能源研究所_202511744141.9
    本发明涉及一种基于导流增强的氨热法氮化镓晶体生长炉，包括高压釜壳体、加热系统、设置在高压釜壳体上部的晶体生长区和下部的原料溶解区，所述晶体生长区内设置有籽晶，所述原料溶解区内设置有氮化镓原料，所述晶体生长区与原料溶解区之间通过一个顶部为圆滑...
    2026-04-25
  • 一种高纯多晶碳化硅衬底的制备方法
    一种高纯多晶碳化硅衬底的制备方法_广东精瓷新材料有限公司_202511637267.6
    本发明涉及一种高纯多晶碳化硅衬底的制备方法，包括保护气球磨、流化床造粒、等静压、排胶、SPS烧结、机加工步骤，其中通过脱气水以及粉料的保护气球磨，可以有效避免粉料与氧气接触产生的氧化；在流化床造粒过程中，通过流动氮气不断吹过纳米粉表面，可以...
    2026-04-25
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