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最新专利技术
  • 氮化镓基半导体器件及二维电子气的调节方法
    氮化镓基半导体器件及二维电子气的调节方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511541007.9
    本发明公开了一种氮化镓基半导体器件及二维电子气的调节方法。氮化镓基半导体器件包括：具有异质结的半导体功能层，以及与异质结匹配的源漏栅结构或源漏结构；氮化镓基半导体器件还包括二维电子气调节层；二维电子气调节层为SixxGe1‑x1‑x混合层，...
    2026-02-12
  • 一种氮化镓器件以及方法
    一种氮化镓器件以及方法_英诺赛科(苏州)半导体有限公司_202511516532.5
    本申请涉及半导体技术领域，提供一种氮化镓器件以及方法，其中氮化镓器件包括：二维电子气层组，用于形成二维电子气；第一氮化镓层，设置于二维电子气层组上；渐变层组，设置于第一氮化镓层上；栅极金属层，设置于渐变层组上。通过渐变层组在金属层与第一氮化...
    2026-02-12
  • 一种二维晶体管及其制备方法
    一种二维晶体管及其制备方法_湖南大学_202511504387.9
    本发明公开了一种二维晶体管及其制备方法，所述底部偏置栅极设有两个，且间隔设置于所述绝缘衬底的上表面，所述底部偏置栅极的上表面完全被所述介电层覆盖，所述介电层的上表面被所述二维半导体材料完全覆盖，所述二维半导体材料的上表面设有间隔设置的所述漏...
    2026-02-12
  • 一种新型氮化镓HEMT器件
    一种新型氮化镓HEMT器件_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511442225.7
    本发明涉及一种新型氮化镓HEMT器件，其中新型氮化镓HEMT器件包括半导体层、位于半导体层上方的第一栅极金属层；设置在半导体层、第一栅极金属层之间的栅极机构，栅极机构包括沿第一方向延伸的第一场板、第二场板、第三场板，第一场板位于半导体层的上...
    2026-02-12
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202510317562.7
    提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：沟道层；设置在沟道层上的阻挡层；设置在阻挡层上的栅电极；源电极和漏电极，连接到沟道层并且在栅电极的相应侧上；下场分布图案，在栅电极和漏电极之间彼此间隔开；以及上场分布图案，在下场分布图案上与下...
    2026-02-12
  • 半导体结构的制造方法及半导体结构
    半导体结构的制造方法及半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511938940.X
    本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法及半导体结构，该方法包括：提供包括具有栅极沟槽的衬底和底部栅极部的基底；其中，栅极沟槽具有底面和侧面；底部栅极部形成于栅极沟槽内靠近底面的区域；栅极沟槽的部分侧面暴露；利用侧向外延工艺，基于栅极沟槽...
    2026-02-12
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202511813298.2
    本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，包括：提供半导体衬底，在其一侧形成外延层；在外延层内形成多个间隔设置的第一沟槽；基于第一注入角度，于第一沟槽底部的外延层中形成第一屏蔽区，其导电类型与外延层相反，且其底部与外延层底部间隔设置；基于第二注...
    2026-02-12
  • 半导体结构制备方法、半导体器件
    半导体结构制备方法、半导体器件_上海积塔半导体有限公司_202511679012.6
    本申请涉及一种半导体结构制备方法、半导体器件，包括：提供衬底，衬底包括沿第一方向间隔排列的元件区，以及位于相邻元件区之间的电阻区；于电阻区形成沿背离衬底方向依次排列的介质叠层、保护层以及具有预设高宽比的多晶硅层；于保护层、介质叠层及多晶硅层...
    2026-02-12
  • 一种氮化镓器件及其制备方法
    一种氮化镓器件及其制备方法_中科华清(泉州)精细陶瓷研究院有限公司_202511644932.4
    本发明公开了一种氮化镓器件及其制备方法，涉及半导体材料技术领域。包括选用半绝缘碳化硅衬底，表面粗糙度Ra<0.3nm，通过过渡层培生方法生成过渡层；生成氮化铝层和厚缓冲层，最后生成未掺杂GaN层；生成Al GaN势垒层，再通过GaN帽层制备...
    2026-02-12
  • 一种一体化结构SiC MOSFET栅极的制备工艺
    一种一体化结构SiC MOSFET栅极的制备工艺_山东大学_202511634532.5
    本发明公开了一种一体化结构SiC MOSFET栅极的制备工艺，采用金属颗粒与有机胶黏液均匀混合，形成悬浊液；通过旋涂技术将悬浊液涂覆于SiC MOSFET的SiO22介电层上表面，形成完全覆盖的薄膜基底；基于单向化学气相沉积工艺，促使薄膜基...
    2026-02-12
  • 薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板
    薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板_昆山国显光电有限公司_202511587399.2
    本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板，制备方法包括在衬底上制备有源层、栅极绝缘层以及栅极，有源层包括沟道区以及分别位于沟道区两侧的源极区、漏极区；对源极区和漏极区进行低剂量离子注入；其中，低剂量离子注入的剂量优选范围为...
    2026-02-12
  • 一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法
    一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法_安建科技(深圳)有限公司_202511565866.1
    一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，本发明提供的技术方案通过工艺优化擦用填充层在改善极间隔离氧化层空洞结构的同时不改变栅氧的膜层质量而降低其可靠性及电容性能，并且可以利用氮化硅其临界击穿电场强度高于二氧...
    2026-02-12
  • 半导体器件的制备方法及半导体器件
    半导体器件的制备方法及半导体器件_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511534710.7
    本发明提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，该方法：提供衬底并在衬底的顶面形成垫氧层；在衬底上形成STI；沉积氮化硅掩膜，并涂覆光刻胶层，将边缘区域的光刻胶层去除后，使用硅离子对边缘区域部分厚度的氮化硅掩膜进行改性处理；在氮化硅掩膜上光...
    2026-02-12
  • 制造半导体器件的方法以及半导体器件
    制造半导体器件的方法以及半导体器件_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511534696.0
    本发明提供一种制造半导体器件的方法以及半导体器件，该方法包括：提供待处理器件，所述待处理器件包括器件区域和边缘区域；选择性在所述待处理器件的所述边缘区域顶面形成目标氧化层；在所述器件区域内需要形成接触孔的位置形成金属接触层；在所述待处理器件...
    2026-02-12
  • 减少非器件边缘区域的高迁移率场效应晶体管及制备方法
    减少非器件边缘区域的高迁移率场效应晶体管及制备方法_山东大学_202511444265.5
    本发明属于微电子技术领域，具体涉及减少非器件边缘区域的高迁移率场效应晶体管及制备方法。将高迁移率半导体材料转移到基底上，得到高迁移率半导体材料/基底；将高迁移率半导体材料/基底在掩模版定义沟道的修饰下，蒸镀金属电极；采用等离子体增强化学气相...
    2026-02-12
  • 一种高迁移率半导体材料场效应晶体管及其制备方法
    一种高迁移率半导体材料场效应晶体管及其制备方法_山东大学_202511439364.4
    本发明涉及场效应晶体管，公开了一种高迁移率半导体材料场效应晶体管及其制备方法，制备方法包括如下步骤：(1)超声清洗表面覆盖有栅介质层的基底，并用氮气枪吹干残留溶液；(2)将高迁移率半导体材料定位转移至步骤(1)获得的栅介质层上；(3)采用掩...
    2026-02-12
  • P型栅氮化镓功率器件及其制备方法
    P型栅氮化镓功率器件及其制备方法_南方科技大学_202511381013.2
    本申请公开了一种P型栅氮化镓功率器件及其制备方法，所述制备方法包括：提供半导体器件的基底，基底至少包括势垒层；在势垒层上形成第一介质层，第一介质层上设有第一开窗；在第一开窗内生长P型层；在P型层上形成栅极。P型层在形成的过程中，通过势垒层上...
    2026-02-12
  • 一种场效应晶体管的制造方法、场效应晶体管及版图结构
    一种场效应晶体管的制造方法、场效应晶体管及版图结构_重庆平伟实业股份有限公司_202511363777.9
    本申请提供一种场效应晶体管的制造方法、场效应晶体管及版图结构，该晶体管将屏蔽栅和栅极分开放置，使得屏蔽栅均匀接触源极金属，以便及时响应状态变换，避免器件在局部击穿；且在屏蔽栅顶端对氧化层进行减薄，在反向恢复时减小反向恢复电荷的注入。本发明通...
    2026-02-12
  • 超结半导体结构及其制备方法
    超结半导体结构及其制备方法_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510672365.7
    本发明提供一种超结半导体结构及其制备方法。超结半导体结构包括：衬底层；位于衬底层上层叠设置的漂移层和电流扩展层，漂移层中具有若干个间隔设置的掺杂柱，衬底层上包括元胞区和包围元胞区的终端区；位于元胞区的掺杂柱自漂移层靠近衬底层的一侧表面延伸至...
    2026-02-12
  • FinFET器件及其外延源漏极的制备方法
    FinFET器件及其外延源漏极的制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202411098222.1
    本发明提供一种FinFET器件及其外延源漏极的制备方法，采用由沉积步骤及刻蚀步骤构成的循环执行若干次至所需厚度，每个循环中的沉积步骤先选择性外延沉积预设厚度的磷掺杂的第二硅外延层，然后在该循环的刻蚀步骤中对该循环沉积的预设厚度的磷掺杂的第二...
    2026-02-12
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