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最新专利技术
  • 存储器沟道结构
    存储器沟道结构_美光科技公司_202510974346.X
    本文中描述的实施例涉及各种存储器沟道结构、集成组合件及存储器装置。在一些实施例中，半导体装置包含层堆叠及穿透到所述层堆叠中的支柱结构，所述层堆叠包含与导电层交替的电介质层。所述支柱结构包含半导电层、电介质填充物；及位于所述半导电层与所述电介...
    2026-04-29
  • 一种用于eSTM闪存器件的选择栅形成方法
    一种用于eSTM闪存器件的选择栅形成方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511416282.8
    本申请公开了一种用于eSTM闪存器件的选择栅形成方法，包括：提供一衬底，在衬底上沉积第一刻蚀膜层；在第一刻蚀膜层中定义出第一沟槽图形；基于第一刻蚀膜层，进行多次刻蚀工艺，以在衬底中形成十字交叉的第一沟槽；对第一沟槽进行氧化物填充工艺，得到十...
    2026-04-29
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510208767.1
    实施方式的半导体存储装置具备：第1芯片，包含具有第1区域及第2区域的衬底；及第2芯片，在Z方向上与第1芯片相接，经由设置在与第1芯片的边界区域的多个连接垫与第1芯片电连接；第2芯片包含：存储胞阵列，设置在第1区域，具有源极线、在比源极线更下...
    2026-04-29
  • 存储器装置的制造方法
    存储器装置的制造方法_南亚科技股份有限公司_202511729537.6
    存储器装置的制造方法包括：形成过量填充位元线结构之间的第一沟槽的着陆垫材料层；在着陆垫材料层上方形成遮罩层；对遮罩层执行平坦化工艺，其中遮罩层包括第一凸块；通过对遮罩层执行图案化工艺来形成图案化遮罩层；通过图案化遮罩层蚀刻着陆垫材料层以在各...
    2026-04-29
  • 形成半导体结构的方法
    形成半导体结构的方法_南亚科技股份有限公司_202511729109.3
    本发明提供了一种方法，包括在基板的阵列区中的介电堆叠和硬遮罩层中形成沟槽，其中阵列区中的硬遮罩层的顶表面低于周边区中的硬遮罩层的顶表面。在硬遮罩层上和沟槽中依序形成底部电极层和保护氧化层。在阵列区中的保护氧化层上形成硬遮罩，以消除阵列区与周...
    2026-04-29
  • 具有3.5F2结构的布局的DRAM元件
    具有3.5F2结构的布局的DRAM元件_股份公司太成环境研究所_202510974653.8
    一种具有3.5F2结构的布局的DRAM元件，包括：基板；多个位线，位于基板上，隔着规定的间隔在第一水平方向上彼此平行配置；多个字线，位于位线上，隔着规定的间隔在与第一水平方向实质垂直的第二水平方向上彼此平行配置；多个沟道图案，以蜂窝结构配置...
    2026-04-29
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202510933887.8
    提供了一种半导体存储器装置。该装置包括：在N个层中的第一字线，第一字线从第一堆叠区域朝向第一阶梯区域延伸；在N个层中的第二字线，第二字线从第二堆叠区域朝向第二阶梯区域延伸；第一存储器单元，提供在第一堆叠区域中；第二存储器单元，提供在第二堆叠...
    2026-04-29
  • 存储器件
    存储器件_三星电子株式会社_202510741080.4
    一种存储器件，包括：局部位线结构，在平行于衬底的表面并且彼此相交的第一方向和第二方向上布置，并且跨过多个垂直层级延伸；第一沟道结构和第二沟道结构，在多个层级中的每个层级上在第一方向上延伸，并且分别接触局部位线结构中的每个的侧壁并具有第一杂质...
    2026-04-29
  • 半导体元件
    半导体元件_南亚科技股份有限公司_202510154622.8
    本公开提供一种半导体元件。半导体元件包括一半导体基底，具有一主动区；以及一字元线，延伸穿过该主动区。该主动区包括设置在该字元线的相对侧上的一第一源极/漏极区以及一第二源极/漏极区。该半导体元件还包括一位元线接触件以及一位元线，设置在该第一源...
    2026-04-29
  • 使用多层遮罩的半导体元件的制备方法
    使用多层遮罩的半导体元件的制备方法_南亚科技股份有限公司_202510041864.6
    本公开提供一种使用多层遮罩的半导体元件的制备方法。该制备方法包括形成一绝缘层在一基底上；形成一多层遮罩在该绝缘层上；使用该多层遮罩蚀刻该绝缘层；以及形成多个下电极在该绝缘层中。
    2026-04-29
  • 存储器、存储器的制作方法、半导体器件及电子设备
    存储器、存储器的制作方法、半导体器件及电子设备_华为技术有限公司_202410949553.5
    本申请提供了一种存储器、存储器的制作方法、半导体器件及电子设备。其中，存储器包括：衬底；设于衬底上的多层晶体管，每层晶体管均包括多个晶体管，每个晶体管均包括第一栅极、第二栅极、源极和漏极，源极和漏极相对设置，第一栅极和第二栅极均位于源极和漏...
    2026-04-29
  • 一种柔性透明超大尺寸PCB分段分半作业多功能贴装设备
    一种柔性透明超大尺寸PCB分段分半作业多功能贴装设备_深圳市华高自动化设备有限公司_202511551015.1
    本发明公开了一种柔性透明超大尺寸PCB分段分半作业多功能贴装设备，属于PCB分段分半作业多功能贴装设备技术领域，设置有贴装支架和贴装支架上表面组装的驱动底座；包括：移动架一，滑动连接于所述驱动底座的上表面，且移动架一的上表面滑动连接有移动架...
    2026-04-29
  • 一种SMT贴片用压合装置
    一种SMT贴片用压合装置_湖南日进智能科技有限公司_202511526706.6
    本发明公开了一种SMT贴片用压合装置，本发明涉及压合技术领域，压合装置的内部安装有用于夹持SMT贴片的压合夹持架，且压合夹持架上安装有用于对SMT贴片进行压合操作的压合平台，压合装置的内部安装有压合控制箱，且压合控制仓的内部开设有用于控制压...
    2026-04-29
  • 一种电路板与夹具拆装设备及其夹具循环使用系统
    一种电路板与夹具拆装设备及其夹具循环使用系统_深圳市迪尔泰科技有限公司_202511898584.3
    本发明属于电路板加工设备技术领域，涉及一种电路板与夹具拆装设备及其夹具循环使用系统；电路板与夹具拆装设备包括工作台，工作台的一侧设置有电路板来料输送轨道及拆装机械手、另一侧设置有拆装输送轨道、夹具放置架、夹具升降装置及放置在拆装输送轨道或/...
    2026-04-29
  • 一种软包电池FPC软板组装成型装置
    一种软包电池FPC软板组装成型装置_苏州上良自动化设备有限公司_202511271860.3
    本发明公开了一种软包电池FPC软板组装成型装置，具体涉及电池生产技术领域，该装置，包括装置本体，所述装置本体的顶部安装有载物架，所述装置本体的内部设置有可输送 FPC 软板的输送装置，所述载物架的外部设有入料口，所述载物架的外部还设有出料口...
    2026-04-29
  • 一种具有超低磁噪声的纳米晶合金磁屏蔽器件及制备方法
    一种具有超低磁噪声的纳米晶合金磁屏蔽器件及制备方法_杭州极弱磁场国家重大科技基础设施研究院_202511915221.6
    本公开涉及低磁噪声磁屏蔽技术领域，公开了一种具有超低磁噪声的纳米晶合金磁屏蔽器件及制备方法，包括：由Finemet型非晶合金带材经退火晶化处理得到的纳米晶合金带材；设置于纳米晶合金带材的无磁性保护膜，保护膜通过绝缘粘接剂与纳米晶合金带材贴合...
    2026-04-29
  • 一种基于吸波杂化聚合物纤维布基的电磁净化贴片
    一种基于吸波杂化聚合物纤维布基的电磁净化贴片_中国电子科技集团公司第十四研究所_202511549956.1
    本发明公开了一种基于吸波杂化聚合物纤维布基的电磁净化贴片，包括基布及其上面紧密贴合的涂布层，所述基布由导电吸波杂化聚合物纤维编织而成，所述导电吸波杂化聚合物纤维采用导电高分子树脂与吸波填充剂填充的高分子树脂经纺丝制成；所述涂布层由含吸波剂硅...
    2026-04-29
  • 一种吸波材料及其制备方法
    一种吸波材料及其制备方法_南通大学_202511480020.8
    本发明公开一种吸波材料及其制备方法，所述的吸波材料为多层结构，内层以PAN基碳质纤维为基底，中间层与外层复合磁性纳米颗粒，纳米颗粒均匀分散于基底内部或表面，磁性纳米颗粒为Fe/Co/Ni或Fe/Co纳米颗粒。所述的制备方法，包括以下步骤：以...
    2026-04-29
  • 一种电磁屏蔽膜及线路板
    一种电磁屏蔽膜及线路板_广州方邦电子股份有限公司_202511329253.8
    本发明公开一种电磁屏蔽膜及线路板，该电磁屏蔽膜包括绝缘层和屏蔽层；绝缘层包括第一保护层、显色层和第二保护层；第二保护层设于屏蔽层的一侧表面，显色层设于第二保护层上远离屏蔽层的一侧表面，第一保护层设于显色层上远离第二保护层的一侧表面；显色层的...
    2026-04-29
  • 基于多策略融合的数据中心水冷系统智能节能控制方法
    基于多策略融合的数据中心水冷系统智能节能控制方法_广州尚航信息科技股份有限公司_202511924898.6
    本发明公开了基于多策略融合的数据中心水冷系统智能节能控制方法，涉及数据中心技术领域，该方法包括：S1，采集水冷系统的实时运行数据，并基于拓扑分析方法计算水冷系统的当前状态的系统稳定性评估值与设备操作指令；S2，基于系统稳定性评估值与设备操作...
    2026-04-29
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