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最新专利技术
  • 谐振器及射频模组
    谐振器及射频模组_锐石创芯(重庆)科技股份有限公司_202511428122.5
    本发明提出了一种谐振器及射频模组，谐振器包括包括第一汇流条、第二汇流条、多个第一电极指、多个第二电极指、多个第一假指以及多个第二假指，第一电极指、第二电极指、第一假指以及第二假指的关系设置为沿第一方向，多个第一电极指与多个第一假指的间距以及...
    2026-05-11
  • 一种弹性波器件及其制作方法和滤波器装置
    一种弹性波器件及其制作方法和滤波器装置_三安日本科技株式会社_202511133845.2
    本申请公开了一种弹性波器件，包括有图案的支撑基板；形成于所述支撑基板之上的绝缘层；形成于绝缘层之上的压电基板；绝缘层包括氧化硅薄膜，氧化硅薄膜中的氢浓度不高于0.05原子百分比。还提出了其制作方法，包括在支撑基板上制作绝缘层，绝缘层包括氧化...
    2026-05-11
  • 音叉谐振器及其制作方法
    音叉谐振器及其制作方法_北京晨晶电子有限公司_202511365621.4
    本发明涉及谐振器领域，提供一种音叉谐振器及其制作方法。音叉谐振器包括基座，基座上形成有一对振动臂；配重部，形成于振动臂背离基座的一端，在配重部的至少一个主面上形成有由若干调整块构成的频率调整区域；沿振动臂的延伸方向，除远离振动臂的调整块外，...
    2026-05-11
  • 音叉谐振器及其制作方法
    音叉谐振器及其制作方法_北京晨晶电子有限公司_202511365613.X
    本发明涉及谐振器领域，提供一种音叉谐振器及其制作方法。音叉谐振器包括基座，基座上形成有一对振动臂；配重部，形成于振动臂背离基座的一端，在配重部的至少一个主面上形成有调整块，由配重部的表面向远离配重部的表面的方向，调整块上形成有至少两层阶梯结...
    2026-05-11
  • 一种复合引出端结构的石英晶振晶片及其制备方法
    一种复合引出端结构的石英晶振晶片及其制备方法_北京晨晶电子有限公司_202511365600.2
    本发明提供一种复合引出端结构的石英晶振晶片及其制备方法，属于压电晶体器件技术领域，复合引出端结构的石英晶振晶片包括：晶片本体，晶片本体包括主要谐振区；两组电极结构，两组电极结构沿晶片本体的厚度方向分别位于晶片本体的两侧，电极结构包括电极、电...
    2026-05-11
  • 一种寄生抑制的石英晶振晶片及其制备方法
    一种寄生抑制的石英晶振晶片及其制备方法_北京晨晶电子有限公司_202511365566.9
    本发明提供一种寄生抑制的石英晶振晶片及其制备方法，属于压电晶体器件技术领域，寄生抑制的石英晶振晶片包括：晶片本体，晶片本体包括主要谐振区；电极结构，电极结构位于主要谐振区，电极结构包括两个电极，两个电极沿晶片本体的厚度方向分别位于晶片本体的...
    2026-05-11
  • 一种热隔离的石英晶振晶片及其制备方法
    一种热隔离的石英晶振晶片及其制备方法_北京晨晶电子有限公司_202511365559.9
    本发明提供一种热隔离的石英晶振晶片及其制备方法，属于压电晶体器件技术领域，热隔离的石英晶振晶片包括：晶片本体，晶片本体包括谐振区；两组电极结构，两组电极结构沿晶片本体的厚度方向分别位于晶片本体两侧，电极结构包括电极和电极引出端，电极位于谐振...
    2026-05-11
  • 一种具有多边缘谐振结构的薄膜体声波谐振器结构及制作方法
    一种具有多边缘谐振结构的薄膜体声波谐振器结构及制作方法_东南大学_202511569989.2
    本发明公开了一种具有多边缘谐振结构的FBAR结构及制作方法。FBAR结构包括核心谐振结构以及边缘结构，边缘结构包括在核心谐振结构的边缘沿与谐振区域厚度方向相垂直方向交替分布的第一边缘谐振结构、第二边缘谐振结构。第一边缘谐振结构、第二边缘谐振...
    2026-05-11
  • 一种压电振动基板
    一种压电振动基板_北京晨晶电子有限公司_202511365614.4
    本发明提供一种压电振动基板，所述压电振动基板包括框体、振动片和连接件，振动片包括基部和振动臂，基部的一端与振动臂相连，连接件包括断裂部，框体、断裂部和基部沿振动臂的延伸方向依次相连，断裂部在外力作用时可断开以使基部与框体分离，断裂部通过湿法...
    2026-05-11
  • 一种具有双面测试电极的压电振动基板
    一种具有双面测试电极的压电振动基板_北京晨晶电子有限公司_202511365581.3
    本发明提供一种具有双面测试电极的压电振动基板，所述具有双面测试电极的压电振动基板包括框部、振动片、激励电极、安装电极和测试电极，振动片包括基端部和一对振动臂，振动臂沿振动片的长度方向延伸，基端部的一端与框部连接，基端部的另一端与振动臂连接，...
    2026-05-11
  • 一种压电振动器件及其制备方法
    一种压电振动器件及其制备方法_北京晨晶电子有限公司_202511365524.5
    本发明提供一种压电振动器件及其制备方法，属于压电晶体器件技术领域，压电振动器件包括：盖板、底板和功能层，所述功能层位于所述盖板和所述底板之间；所述功能层和所述盖板的键合面上，所述功能层的键合环与所述盖板的键合环相互键合，所述功能层和所述底板...
    2026-05-11
  • 弹性波器件及模块
    弹性波器件及模块_泉州市三安集成电路有限公司_202511563798.5
    本发明涉及一种弹性波器件，其包括支撑衬底、压电层以及IDT电极; IDT电极形成于压电层的主表面上，用于激发波长为λ的弹性波；压电层层叠于支撑衬底之上；其中，支撑衬底的材料为金属，且金属材料需满足关系式：其中为材料密度，E为材料杨氏模量，为...
    2026-05-11
  • 多工器及射频前端模组
    多工器及射频前端模组_锐石创芯(重庆)科技股份有限公司_202511419944.7
    本申请公开了多工器及射频前端模组，涉及射频滤波技术领域。所述多工器包括天线端口、多个第一滤波器、第一匹配电路及第二滤波器；各所述第一滤波器均连接至第一公共节点；所述第一匹配电路串联连接在所述第一公共节点与所述天线端口之间；第二滤波器连接于所...
    2026-05-11
  • 一种射频匹配系统及方法
    一种射频匹配系统及方法_神思电子技术股份有限公司_202511584054.1
    本发明属于通信技术领域，提供了一种射频匹配系统及方法。包括LC滤波电路、串并联匹配电容和并联匹配电阻；所述串并联匹配电容包括串联电容和并联电容，所述串联电容和所述并联电容均采用一个独立定值电容与多个可调电容的组合而成；所述可调电容的包括第一...
    2026-05-11
  • 滤波器装置及高频前端电路
    滤波器装置及高频前端电路_株式会社村田制作所_202510966683.4
    提高包含多个谐振电路的滤波器装置的滤波器特性。滤波器装置(100)具备电介质基板(110)、配置于电介质基板(110)的外表面的端子(T1、T2)、谐振电路(RC1、RC2)和接地电极(PG1、PG2)。谐振电路(RC1)与端子(T1)连接...
    2026-05-11
  • 谐振器及其制备方法、芯片封装结构及射频前端模组
    谐振器及其制备方法、芯片封装结构及射频前端模组_锐石创芯(重庆)科技股份有限公司_202511428095.1
    本申请公开了一种谐振器及其制备方法、芯片封装结构及射频前端模组，涉及射频滤波技术领域。所述方法包括：在形成有叉指换能器的压电基底的表面形成具有第一镂空区域的第一掩膜层；在第一镂空区域处对压电基底进行刻蚀处理，并在第一镂空区域处形成开孔部；去...
    2026-05-11
  • 声表面波滤波器压电薄膜旋涂与固化同步加工装置
    声表面波滤波器压电薄膜旋涂与固化同步加工装置_中微龙图电子科技无锡有限责任公司_202511494470.2
    本发明涉及表面波滤波器制造技术领域，具体为声表面波滤波器压电薄膜旋涂与固化同步加工装置，包括同步加工底座和同步加工架，所述同步加工底座的顶部固定设置有同步加工架，且同步加工架的一侧分别固定设置有送料架和出料架。本发明通过将固化模块与旋涂模块...
    2026-05-11
  • NiZn材料多层共模EMI滤波电感高频寄生电容的抑制方法
    NiZn材料多层共模EMI滤波电感高频寄生电容的抑制方法_中国舰船研究设计中心_202511555276.0
    本发明公开了一种NiZn材料多层共模EMI滤波电感高频寄生电容的抑制方法，该方法包括：在NiZn磁芯上对称折返绕制多层绕组：第一层绕组从磁芯中部向两端对称绕制；当第一层绕组达到目标匝数时，再从两端反向向磁芯中部对称绕制，以形成第二层绕组；若...
    2026-05-11
  • L波段限幅器的控制方法以及系统
    L波段限幅器的控制方法以及系统_深圳市飞思通信技术有限公司_202511206046.3
    本发明公开了一种L波段限幅器的控制方法以及系统，本发明涉及控制方法的技术领域，基于该多模态数据的识别而确定多个限幅特征，根据多个限幅特征、L波段限幅器的型号和使用场景确定L波段限幅器的限幅模式，提高了L波段限幅器的限幅模式的精准性。因此，基...
    2026-05-11
  • 可变增益放大单元及双模式可变增益放大器
    可变增益放大单元及双模式可变增益放大器_黑龙江大学_202511618137.8
    可变增益放大单元及双模式可变增益放大器，涉及射频集成电路技术领域。本申请是为了解决现有可变增益放大器无法满足现有控制需求的问题。本申请所述的可变增益放大单元及双模式可变增益放大器，能够通过调整偏置电压和级联VGA阵列数量实现增益变化范围的重...
    2026-05-11
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