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最新专利技术
  • 基板处理装置、基板处理方法及记录介质
    基板处理装置、基板处理方法及记录介质_株式会社斯库林集团_202510906025.6
    在具有向基板上涂布处理液的涂布单元以及对涂布有处理液的基板进行加热的加热单元的基板处理装置中，抑制因加热单元的过度烘焙。在本发明的基板处理装置和基板处理方法中，预先准备三种分别适合于彼此不同的加热处理时间的搬运模式。而且，基于由加热单元对基...
    2026-01-23
  • 升降销的位置探测方法和基板处理装置
    升降销的位置探测方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202510820559.7
    本公开涉及一种升降销的位置探测方法和基板处理装置，容易地实施升降销的待机位置的示教。升降销配置于在载置基板的载置台的载置面开口的销孔，升降销在上下方向上延伸，具有细轴部、以及设置于比细轴部靠上方且直径比细轴部的直径大的粗轴部，在从粗轴部向细...
    2026-01-23
  • 带扩张装置
    带扩张装置_DIC株式会社_202510796835.0
    本发明提供带扩张装置，其实现装置的结构的简化、低成本化以及省空间化，并且能够通过使带二维地均等地扩张，由此良好地进行多个芯片的分离以及从带的剥离。本发明是为了将粘贴于带的多个芯片剥离而对带进行扩张的带扩张装置，且具备：第一辊以及第二辊，其设...
    2026-01-23
  • 激光退火系统和激光退火方法
    激光退火系统和激光退火方法_极光先进雷射株式会社_202510744843.0
    提供激光退火系统和激光退火方法。激光退火系统通过对基板上的薄膜照射脉冲激光来对薄膜进行退火，其中，激光退火系统具有：激光装置，其输出脉冲激光；光学系统，其对薄膜照射脉冲激光；以及处理器，其进行如下控制，通过进行使连续照射脉冲激光的突发期间和...
    2026-01-23
  • 一种加热系统、加热方法及半导体工艺设备
    一种加热系统、加热方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411187267.6
    本申请公开了一种加热系统、加热方法及半导体工艺设备，加热系统，用于对半导体工艺设备的待加热部件进行加热，加热系统包括：加热器，用于对所述待加热部件加热；温度传感器，用于获取所述待加热部件的当前温度；控制器，用于根据所述当前温度和所述待加热部...
    2026-01-23
  • 基板处理装置及基板处理方法
    基板处理装置及基板处理方法_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410914104.7
    本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置包括：承载台，用于承载所述基板并带着所述基板旋转；喷头，包括液体出口和部分包围所述液体出口的气体出口，所述气体出口在所述承载台上的正投影位于承载台中心与所述液体出口在所述承载台上的正投影...
    2026-01-23
  • 压膜装置
    压膜装置_志圣科技(广州)有限公司_202410897261.1
    一种压膜装置，包含基板承载台及压膜机构。基板承载台的表面具有供基板放置的有效工作区域。压膜机构包含主体以及压膜气囊。主体可相对基板载台移动。压膜气囊设置于主体并且可相对基板承载台膨胀。主体具有邻近压膜气囊的取膜部，且取膜部包含围绕压膜气囊的...
    2026-01-23
  • 一种晶圆对准设备及晶圆键合机
    一种晶圆对准设备及晶圆键合机_天津中科晶禾电子科技有限责任公司_202410890513.8
    本发明涉及半导体加工技术领域，公开一种晶圆对准设备及晶圆键合机。其中晶圆对准设备包括第一基座、第二基座、下运动装置、上运动装置、多个第一隔振组件和多个第二隔振组件，第一基座的顶面间隔设置有两个立板部，两个立板部之间形成安装槽；第二基座位于安...
    2026-01-23
  • 利用二维光学尺调整固晶装置的位置的固晶方法
    利用二维光学尺调整固晶装置的位置的固晶方法_梭特科技股份有限公司_202410890056.2
    一种利用二维光学尺调整固晶装置的位置的固晶方法，包括：感测固晶装置上的二维光学尺以取得固晶装置的初始位置；撷取基板的晶粒放置区的影像以取得晶粒放置区的位置；根据固晶装置的初始位置和晶粒放置区的位置将固晶装置移动到预设位置；感测二维光学尺以取...
    2026-01-23
  • 晶圆量测控制方法、控制装置、设备及存储介质
    晶圆量测控制方法、控制装置、设备及存储介质_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410883478.7
    本申请提供一种晶圆量测控制方法、控制装置、设备及存储介质，所述方法包括：提供当前批次晶圆和历史批次晶圆；获取第一历史工艺信息和第二历史工艺信息；获取量测站点与机台反应腔的腔室信息之间的对应关系；确定历史批次晶圆的量测站点轨迹；从历史批次晶圆...
    2026-01-23
  • 磷酸槽换酸方法及磷酸槽换酸控制系统
    磷酸槽换酸方法及磷酸槽换酸控制系统_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410878083.8
    本发明涉及一种磷酸槽换酸方法及一种磷酸槽换酸控制系统。所述磷酸槽换酸方法和磷酸槽换酸系统中，在两次小换酸之间的跑货阶段，获取所述跑货关联量以及所述硅酸浓度表征量在每个处理批次完成后的当前值，当所述跑货关联量的当前值大于第一设定阈值且所述硅酸...
    2026-01-23
  • 控制系统及控制方法、UV照射系统及UV照射方法
    控制系统及控制方法、UV照射系统及UV照射方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410871864.4
    本发明涉及控制系统及控制方法、UV照射系统及UV照射方法。所述控制系统及控制方法、UV照射系统及UV照射方法中，根据接收的批次号，使满足加工条件的一盒基片进站，并记录当前进站的一盒基片中每个基片进行如UV照射工艺的指定工艺的作业过程，在当前...
    2026-01-23
  • 一种碳化硅衬底的清洗方法
    一种碳化硅衬底的清洗方法_浙江晶越半导体有限公司_202511881819.8
    本发明涉及碳化硅半导体材料制备技术领域，尤其涉及一种碳化硅衬底的清洗方法，包括以下步骤：(S.1)将待清洗的碳化硅衬底置于密闭清洗腔体内；(S.2)通过等离子体对衬底表面进行活化；(S.3)向腔体内通入含有氨基改性石墨烯量子点的气流，使所述...
    2026-01-23
  • 一种改善硅片边缘腐蚀后膜厚均匀性的方法
    一种改善硅片边缘腐蚀后膜厚均匀性的方法_山东有研艾斯半导体材料有限公司_202511414752.7
    本发明公开了一种改善硅片边缘腐蚀后膜厚均匀性的方法，用于带有SiO22薄膜的硅片的边缘腐蚀，包括以下步骤：(1)使用特定溶液对硅片进行预清洗处理，即依次使用SCl、异丙醇和去离子水清洗硅片，清洗完成后使用高纯氮气吹干；(2)使用夹具覆盖硅片...
    2026-01-23
  • 硅片在减薄时产品背面污迹的清洗方法
    硅片在减薄时产品背面污迹的清洗方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511399762.8
    本发明涉及一种硅片在减薄时产品背面污迹的清洗方法，所属半导体制造技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅片进行单面减薄；减薄过程采用机械研磨或化学机械抛光。第二步：硅片进行整体清洗；采用RCA清洗法、去离子水冲洗或超声波清洗。第三步：采用兆声...
    2026-01-23
  • 喷嘴单元及电浆清洗装置
    喷嘴单元及电浆清洗装置_微劲精密有限公司_202410897623.7
    一种喷嘴单元及电浆清洗装置，所述喷嘴单元包含安装件、用于伸入所述安装件的内置件，及用于覆盖所述内置件的套置件。所述安装件围绕第一轴线且界定出容置空间。所述内置件包括用于抵靠所述安装件的内连通管部，及两个连接所述内连通管部一侧且相间隔的凸块部...
    2026-01-23
  • 一种转移低维半导体材料的方法及其阵列结构
    一种转移低维半导体材料的方法及其阵列结构_上海芯源创新中心_202511834053.8
    本发明提供了一种转移低维半导体材料的方法及其阵列结构，涉及半导体材料与器件制造技术领域。其通过多次无破损转移小面积低维半导体材料组成阵列，达到晶圆级无破损低维半导体材料阵列的转移，可用于实现高良率的晶圆级低维半导体材料转移和芯片制造。
    2026-01-23
  • 一种激光倒棱结合贝塞尔切割辅助线的盘片切割工艺
    一种激光倒棱结合贝塞尔切割辅助线的盘片切割工艺_新台佳光电有限公司_202511493066.3
    本发明提供了一种激光倒棱结合贝塞尔切割辅助线的盘片切割工艺，属于激光加工技术领域。本发明所述盘片切割工艺包括以下步骤：(1)激光内圆倒棱切割；(2)内圆贝塞尔切割辅助线；(3)将切割好的中间品依次进行刻蚀、超声清洗，得到最终产品。本发明所述...
    2026-01-23
  • 一种多尺度覆铜陶瓷微沟槽吸液芯结构及制备方法
    一种多尺度覆铜陶瓷微沟槽吸液芯结构及制备方法_华南理工大学_202511514128.4
    本发明属于陶瓷均热板技术领域，具体涉及一种多尺度覆铜陶瓷微沟槽吸液芯结构及制备方法。本发明选用覆铜陶瓷基板制备吸液芯既能提升陶瓷基板的机械强度，增加其加工可塑性，便于制备更高深宽比的微沟槽，同时也更符合大多数的应用场景。通过调整激光参数和控...
    2026-01-23
  • 一种硅片加工方法及装置
    一种硅片加工方法及装置_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511480666.6
    本发明提供了一种硅片加工方法及装置，属于半导体制造技术领域。该方法包括基于形貌参数确定目标硅片的形貌类别为第一类别，所述第一类别选自预设的N个形貌类别；获取所述目标硅片在目标工序中与所述第一类别关联的第一加工参数，其中，针对所述目标工序预先...
    2026-01-23
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