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最新专利技术
  • 非水电解质二次电池用正极及非水电解质二次电池
    非水电解质二次电池用正极及非水电解质二次电池_松下知识产权经营株式会社_202480033270.4
    作为本公开的一个方式的非水电解质二次电池用正极(11)的特征在于，包含正极活性物质和导电助剂作为正极合剂层，正极活性物质包含具有层状结构的含锂过渡金属复合氧化物和存在于含锂过渡金属复合氧化物的颗粒表面的磺酸化合物，磺酸化合物为式(I)所示的...
    2026-01-01
  • 蓄电元件用正极、蓄电元件以及蓄电装置
    蓄电元件用正极、蓄电元件以及蓄电装置_株式会社杰士汤浅国际_202480035760.8
    本发明的一个方面的蓄电元件用正极具备：正极基材，含有金属铝且具有上述金属铝露出的面；以及正极活性物质层，直接层叠于上述金属铝露出的面且含有正极活性物质粒子，上述正极活性物质粒子的破坏强度为30MPa以上，上述正极活性物质粒子的平均粒径为3μ...
    2026-01-01
  • 电极浆料、包含其的电极、锂二次电池和电池组
    电极浆料、包含其的电极、锂二次电池和电池组_株式会社LG新能源_202480034561.5
    本说明书涉及一种电极浆料、包含其的电极、锂二次电池和电池组，所述电极浆料包含电极活性材料、导电材料、粘合剂、浆料形成用溶剂和阻燃材料，其中所述阻燃材料在20℃下在碳酸酯系溶剂中的溶解度小于10mg/cc并且包含特定种类的化合物。根据示例性实...
    2026-01-01
  • 锂离子二次电池用负极材料、锂离子二次电池用负极、锂离子二次电池及锂离子二次电池用负极材料的制造方法
    锂离子二次电池用负极材料、锂离子二次电池用负极、锂离子二次电池及锂离子二次电池用负极材料的制造方法_株式会社力森诺科_202380098887.X
    一种锂离子二次电池用负极材料，其为石墨粒子，在使用包含所述石墨粒子的浆料采用刮刀法以干燥后的涂布量为35.0±0.2mg/cm2的方式形成涂膜时，干燥后的涂膜的密度d为1.10g/cm3~1.40g/cm3。
    2026-01-01
  • 锂离子二次电池用负极材料、锂离子二次电池用负极、锂离子二次电池及锂离子二次电池用负极材料的制造方法
    锂离子二次电池用负极材料、锂离子二次电池用负极、锂离子二次电池及锂离子二次电池用负极材料的制造方法_株式会社力森诺科_202380098873.8
    一种锂离子二次电池用负极材料，其为满足以下的式(1)的石墨粒子。式(1)中，x为通过X射线衍射法求出的石墨粒子的平均面间隔(d002、单位为Å)，y为石墨粒子的微晶尺寸Lc(nm)。0.01y+76.19x≤256.75 (1)
    2026-01-01
  • 碳基填料的液体组合物的用途
    碳基填料的液体组合物的用途_阿科玛法国公司_202480036292.6
    本发明涉及碳基填料、更特别地碳纳米管的液体组合物用于制造电池用电极的用途，其中所述液体组合物中的碳基填料以3.5重量%至20重量%的含量存在。
    2026-01-01
  • 电极片制造装置
    电极片制造装置_株式会社LG新能源_202480030591.9
    本发明涉及一种电极片制造装置。根据本发明的一个方面的电极片制造装置可以包括：压制辊，该压制辊能够通过压制粉末来制造电极片；料斗，该料斗构造成将接纳在其中的粉末朝向压制辊供应，并且设置有至少一个测量孔；以及测量单元，该测量单元配置成通过将预定...
    2026-01-01
  • 具有可润湿侧翼的半导体封装件和相关方法
    具有可润湿侧翼的半导体封装件和相关方法_半导体元件工业有限责任公司_202480034220.8
    用于半导体封装件的引线框的具体实施可以包括半蚀刻的栅极引线，该半蚀刻的栅极引线直接耦接到栅极连接筋；半蚀刻的源极引线，该半蚀刻的源极引线直接耦接到源极连接筋；和管芯座，该管芯座直接耦接到至少两个管芯座连接筋。栅极连接筋和源极连接筋可以被配置...
    2026-01-01
  • 半导体功率模块、半导体功率封装件以及用于制造半导体功率模块的方法
    半导体功率模块、半导体功率封装件以及用于制造半导体功率模块的方法_日立能源有限公司_202480035366.4
    一种半导体功率模块(1)包括：半导体功率设备(2)、联接至该半导体功率设备(2)的第一侧(5)的第一金属部件(11)、以及联接至该半导体功率设备(2)的第二侧(6)的第二金属部件(12)，该第二侧与第一侧(5)相反。控制端子(10)被电联接...
    2026-01-01
  • 用于冷却电子装置的系统和方法
    用于冷却电子装置的系统和方法_英派冷却公司_202480033493.0
    冲击冷却装置包括具有多个喷射端口的分配器板以及包括多个抽取端口的冲击目标板。多个喷射端口使冷却流体加速。冲击目标板被布置为与分配器板相邻，使得加速后的冷却流体被引导到冲击目标板上，并且此后通过抽取端口，在一些示例中，冲击目标板的上游侧和/或...
    2026-01-01
  • 半导体装置以及半导体模块
    半导体装置以及半导体模块_新唐科技日本株式会社_202480033632.X
    提供一种芯片尺寸封装型的半导体装置(1)，具备：半导体层(40)、多个焊盘(50)、以及位于半导体层(40)的上表面之上并各自连接至一个以上的焊盘(50)的多个重布线(20)，在多个重布线(20)中包括由第一部分(24A)和位于其上方的第二...
    2026-01-01
  • 直接N/P局部互连
    直接N/P局部互连_高通股份有限公司_202480034601.6
    公开了包括在浅沟槽隔离(STI)氧化物上具有最小凹陷的直接N/P局部互连的器件。这减小了与有源栅极的不期望的耦合电容，这进而提高了器件的AC性能。用低k电介质完整或甚至部分替换STI氧化物可进一步减小耦合电容。
    2026-01-01
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202380098296.2
    本申请的半导体装置(10)构成为具备：半导体材料的基板(1)；表面电极(3)，形成在基板(1)的一个面；以及实心的通孔(10v)，具有覆盖层(42)和填充层(43)，该覆盖层(42)覆盖在基板(1)的另一个面开口且以表面电极(3)为底面的筒...
    2026-01-01
  • 包括局部绝缘体上半导体(SOI)区域的半导体装置及相关方法
    包括局部绝缘体上半导体(SOI)区域的半导体装置及相关方法_阿托梅拉公司_202480029885.X
    一种半导体装置可以包括：半导体衬底；衬底中的间隔开的埋入式绝缘体区域；以及半导体衬底上的单晶半导体层，该单晶半导体层限定在埋入式绝缘体区域上方的相应的局部绝缘体上半导体(SOI)区域，并限定横向在相邻的SOI区域之间的相应的局部体半导体区域...
    2026-01-01
  • 导电性粘着膜、被粘物的处理方法和半导体装置的制造方法
    导电性粘着膜、被粘物的处理方法和半导体装置的制造方法_株式会社力森诺科_202480036620.2
    一种导电性粘着膜，其具备位于被粘物侧的粘着剂层和基材层，上述导电性粘着膜的与上述粘着剂层侧相反的一侧的140℃时的表面电阻率为1×107Ω/□~1×1012Ω/□。
    2026-01-01
  • 具有水分清除的晶片载体
    具有水分清除的晶片载体_埃万特公司_202480015113.0
    一种晶片载体包括：具有内部空间的壳体；以及与内部空间流体连通的水分清除化合物。所述载体在制造加工步骤中为封装在载体内的半导体晶片提供了具有水分控制的微环境。
    2026-01-01
  • 半导体加工工具中的空间感知系统
    半导体加工工具中的空间感知系统_朗姆研究公司_202480036638.2
    一种用于半导体处理工具的传感器辅助信号校准的方法包含将从与该半导体处理工具相关联的传感器阵列的至少一个测距传感器接收的多个传感器测量值解码。基于该多个传感器测量值，检测在该半导体处理工具的访问区内干扰物体的存在。检测无线信号的至少一个信号特...
    2026-01-01
  • 翘曲检查装置和翘曲检查方法
    翘曲检查装置和翘曲检查方法_ERS电子有限公司_202480033324.7
    本发明涉及一种翘曲检查装置并且涉及一种相关联的方法。该装置包括具有上支撑表面的支撑框架；安装在支撑表面上的移动台；附接于移动台的卡盘；其中卡盘包括能够在升降销沉入卡盘中的第一位置与升降销从卡盘伸出的第二位置之间移动的一组可移动的升降销；附接...
    2026-01-01
  • 衬底处理
    衬底处理_ASML荷兰有限公司_202480026279.2
    本发明涉及一种用于处理衬底的方法，该方法包括：a)在支撑件上提供衬底；b)测量衬底和/或冲洗液的特性；c)基于该测量来控制一种或多种添加剂向冲洗液中的添加，以将冲洗液的pH值和/或电导率调节到预定值；以及d)经由一个或多个喷嘴向衬底的第一表...
    2026-01-01
  • 聚合物及包含该聚合物的感光性树脂组合物、铜糊、液态组合物、半导体器件的制造方法及半导体连接用铜柱的制造方法
    聚合物及包含该聚合物的感光性树脂组合物、铜糊、液态组合物、半导体器件的制造方法及半导体连接用铜柱的制造方法_株式会社大赛璐_202480035883.1
    本发明提供与以往相比能够减少用于铜柱形成的工序数量、且能够降低接合温度的铜糊。用于制造半导体连接用铜柱的铜糊包含铜粒子、和包含碱性化合物及还原性有机物的分散介质，上述碱性化合物中包含的碱性基团与还原性有机物中包含的酸性基团的摩尔比(碱性基团...
    2026-01-01
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