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最新专利技术
  • 一种富镍三元正极材料及其制备方法和锂离子电池
    一种富镍三元正极材料及其制备方法和锂离子电池_天力锂能集团股份有限公司_202511362331.4
    本申请提供一种富镍三元正极材料及其制备方法和锂离子电池，涉及新能源技术领域。本申请的富镍三元正极材料的制备方法通过非金属元素代酸性有机物与富镍三元正极材料表面的残碱发生酸碱中和反应，在材料表面生成非金属元素代酸性有机物锂盐，然后再通过低温烧...
    2026-02-02
  • 一种改性富锂锰基正极材料及其制备方法、极片和电池
    一种改性富锂锰基正极材料及其制备方法、极片和电池_扬州纳力新材料科技有限公司_202511359959.9
    本发明公开了一种改性富锂锰基正极材料及其制备方法、极片和电池，制备方法包括以下步骤：S1：将富锂锰基材料与三氧化钨混合后经过第一次煅烧，得到LRM@WO3材料；S2：将LRM@WO3材料与氟化铝混合后经过第二次煅烧，得到改性富锂锰基正极材料...
    2026-02-02
  • 一种锂电池负极合浆方法
    一种锂电池负极合浆方法_唐山国轩电池有限公司_202511349977.9
    本发明涉及一种锂电池负极合浆方法，其包括以下步骤：将分散剂CMC加入去离子水中，混合得到胶液；将粉体料、所述胶液、去离子水加入到双螺杆挤出机的进料口进行预混润湿，将预混润湿后的物料输送至双螺杆挤出机内进行预捏合，形成润湿粉体；加入去离子水进...
    2026-02-02
  • 一种钠离子电池层状过渡金属氧化物正极材料制备方法
    一种钠离子电池层状过渡金属氧化物正极材料制备方法_江西省金锂科技股份有限公司_202511330973.6
    本发明公开了一种钠离子电池层状过渡金属氧化物正极材料制备方法，涉及储能材料技术领域，包括如下步骤：配料、分别选用含钠化合物、过渡金属氧化物和氟化物按照比例进行混合作为原料，溶解混料、称取S1中的原料若干克，加入到低沸点溶剂中得到悬浊液，球磨...
    2026-02-02
  • 一种电池极片多层辊压方法及系统
    一种电池极片多层辊压方法及系统_邢台海裕锂能电池设备有限公司_202511322063.3
    本发明属于电池极片加工制备技术领域，具体公开了一种电池极片多层辊压方法及系统，该方法包括：将待辊压的第一隔离层、多层电池极片和第二隔离层放卷，放卷后第一隔离层位于多层电池极片的上方，第二隔离层位于多层电池极片的下方；将放卷后的第一隔离层、多...
    2026-02-02
  • 一种制备电池极片的方法
    一种制备电池极片的方法_天津理工大学_202511161439.7
    本发明公开了一种制备电池极片的方法，其为静态热压方法或动态热压方法，所述静态热压方法或动态热压方法均通过协同调控作用于电池极片上的温度和压力，提高电池极片上粘结剂的粘附效果，改善电池极片的性能；静态热压通过特定设备，经极片准备、在设定温度、...
    2026-02-02
  • 改善极片褶皱的方法、设备以及存储介质
    改善极片褶皱的方法、设备以及存储介质_江苏正力新能电池技术股份有限公司_202511113409.9
    本申请涉及一种改善极片褶皱的方法、设备以及存储介质，涉及电池技术领域，该改善极片褶皱的方法包括获取化成后的电池的群裕度，并将化成后的电池恒流放电至放电截止电压；根据群裕度，将0‑X的荷电状态区间划分为n个子区间；以第n预设电流I n下，第n...
    2026-02-02
  • 一种磷掺杂碲化铁/氮掺杂多孔碳锂硫电池正极材料的制备方法
    一种磷掺杂碲化铁/氮掺杂多孔碳锂硫电池正极材料的制备方法_哈尔滨理工大学_202510925588.X
    本发明公开了一种磷掺杂碲化铁/氮掺杂多孔碳锂硫电池正极材料的制备方法，具体涉及锂硫电池电极材料领域。该方法通过高温碳化‑气相还原协同工艺分步构建功能化复合材料：首先制备氮掺杂三维多孔碳基底，随后依次进行碲化铁原位生长、碲空位等离子体刻蚀及磷...
    2026-02-02
  • 一种正极材料及其制备方法
    一种正极材料及其制备方法_合肥国轩高科动力能源有限公司_202410752911.3
    本发明公开了一种正极材料及其制备方法。所述方法包括将钠源、镍源、铁源、锰源、掺杂助熔元素源以及具有润湿性的有机分子在溶剂中混合分散均匀得到混合液；将混合液雾化干燥得到前驱体材料；将前驱体材料置于空气气氛中烧结，即得。本发明制备的单晶材料具有...
    2026-02-02
  • 一种纳米金刚石-海藻酸钠涂层修饰的锌粉阳极及其制备方法和应用
    一种纳米金刚石-海藻酸钠涂层修饰的锌粉阳极及其制备方法和应用_吉林大学_202511141213.0
    本发明提出了一种纳米金刚石‑海藻酸钠涂层修饰的锌粉阳极及其制备方法和应用。其由锌粉阳极和纳米金刚石‑海藻酸钠涂层构成；所述纳米金刚石‑海藻酸钠涂层厚度为4~6 μm；本发明将纳米金刚石分散于去离子水中形成混合溶液，加入海藻酸钠溶解后获得纳米...
    2026-02-02
  • 具有静电防护功能的MOS管
    具有静电防护功能的MOS管_无锡瑞鸿兴半导体设备有限公司_202511383901.8
    具有静电防护功能的MOS管，包括MOS管，所述MOS管的上部安装有弹力压架，所述MOS管、弹力压架之间夹有导电片，导电片与地线电连接。所述弹力压架包括套框，所述套框的上部均匀固定连接有弹片，所述套框的下部固定连接有弹扣，所述套框套在MOS管...
    2026-02-02
  • 一种用于静电放电保护电路的NMOS管
    一种用于静电放电保护电路的NMOS管_中国原子能科学研究院_202511267216.9
    本申请涉及静电放电保护技术领域，提供一种用于静电放电保护电路的NMOS管，NMOS管包括衬底、栅极、漏极和源极，栅极设置于所述衬底，所述栅极包括环形部，所述环形部呈闭合环形结构；漏极设置于所述衬底，所述环形部包围所述漏极；源极设置于所述衬底...
    2026-02-02
  • 用于光学传感器中的电磁干扰EMI屏蔽的方法、系统和装置
    用于光学传感器中的电磁干扰EMI屏蔽的方法、系统和装置_意法半导体国际公司_202510713144.X
    本公开涉及用于光学传感器中的电磁干扰EMI屏蔽的方法、系统和装置。提供了用于电磁干扰(EMI)屏蔽的方法、系统和装置。一种装置包括耦合到基板的多个电部件。该多个电部件包括与基板的第一区域耦合的第一电部件以及与基板的至少一个其他区域耦合的至少...
    2026-02-02
  • 感测器封装结构
    感测器封装结构_同欣电子工业股份有限公司_202410745079.4
    本申请公开一种感测器封装结构，其包含一基板、形成于所述基板的一环形框架、设置于所述基板之上的两个感测芯片、设置于所述环形框架之上的一透光层及一遮光挡墙。所述环形框架围绕定义出一置晶槽，两个所述感测芯片位于所述置晶槽之内，并且两个所述感测芯片...
    2026-02-02
  • 监控退火腔室环境稳定性的方法、监控晶圆及其制备方法
    监控退火腔室环境稳定性的方法、监控晶圆及其制备方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511290074.8
    本发明提供了一种监控退火腔室环境稳定性的方法、监控晶圆及其制备方法，包括：裸晶圆、第一氧化层、未掺杂的多晶硅层和第二氧化层，第一氧化层形成于裸晶圆的正面，未掺杂的多晶硅层形成于裸晶圆的背面和第一氧化层的表面，未掺杂的多晶硅层的厚度大于红外光...
    2026-02-02
  • 测试结构及其形成方法、测试组、测试方法
    测试结构及其形成方法、测试组、测试方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511288971.5
    一种测试结构及其形成方法、测试组、测试方法，测试结构包括多个测试单元，测试单元包括单个主有源区、位于主有源区上的栅极结构、以及分别位于栅极结构两侧的第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区，每个主有源区包括在第一方向上未被栅极结构覆盖的延伸部，延伸部...
    2026-02-02
  • 一种具有检测漏极的MOSFET器件及制备方法
    一种具有检测漏极的MOSFET器件及制备方法_上海维安半导体有限公司_202511284119.0
    本发明涉及MOSFET技术领域，具体涉及一种具有检测漏极的MOSFET器件及制备方法，包括形成在有源区外侧的场截止环；场截止环的内侧设置有截止环接触区，采集流向场截止环的漏极感测电流；截止环接触区的顶部通过感测接触孔穿过绝缘层连接感测漏极金...
    2026-02-02
  • 测试结构及其测试方法
    测试结构及其测试方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511274590.1
    本发明提供一种测试结构及其测试方法，测试结构包括：基底，基底包括衬底，衬底包括多个有源区；多个测试栅极，位于有源区上，且位于同一有源区上的测试栅极之间具有沿第一方向的第二间距；多个源漏掺杂区，分别位于测试栅极两侧的有源区的衬底内；多个第一导...
    2026-02-02
  • 芯片损伤检测结构和检测方法
    芯片损伤检测结构和检测方法_北京紫光青藤微系统有限公司_202511162981.4
    本公开涉及芯片设计技术领域，公开了一种芯片损伤检测结构和检测方法，芯片损伤检测结构包括芯片本体和检测结构，芯片本体包括芯片功能区和密封环，密封环围绕芯片功能区设置，密封环位于芯片功能区和芯片边缘之间；检测结构包括序列发生器、序列接收器、检测...
    2026-02-02
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202511326667.5
    一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底；在基底上形成铜柱结构，铜柱结构包括若干层依次堆叠连接的铜柱段；其中，铜柱结构的形成方法包括：在基底上进行若干次光刻电镀工艺，每次光刻电镀工艺形成一层铜柱段，进而能够降低每次光刻电镀工艺...
    2026-02-02
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