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  • 一种检查薄膜与微影系统组件的方法及其组件。检查EUV薄膜的实施例方法包括以下步骤:通过使第一辐射照射该EUV薄膜来产生多个强度量测,这导致该EUV薄膜产生第二辐射;及量测该第二辐射的强度。该方法进一步包括以下步骤:根据所述多个强度量测判定时...
  • 本申请公开一种用于产生EUV光的转动式锡丝靶及EUV光产生装置,其包括:锡丝卷定位机构,其上可转动地设置有锡丝卷;供料机构,位于锡丝卷定位机构的一侧,并具有锡丝容纳位;轰击定位机构,位于锡丝卷定位机构的一侧;锡丝缠绕布置于轰击定位机构上并穿...
  • 本发明公开了一种基于双分离式组合镜头的数字光处理(DLP)投影光刻系统及其组合应用方法,属于微纳米制造技术领域。针对现有DLP光刻系统因整体式投影镜头导致功能扩展受限和倍率调节受限的技术瓶颈,本发明提出由物方前镜组和像方后镜组构成的双分离式...
  • 一种图形量测方法、存储介质及终端,其中图形量测方法包括:获取若干栅极收缩图像,若干所述栅极收缩图像包括若干校准组栅极收缩图像和若干量测组栅极收缩图像;提取各个所述校准组栅极收缩图像的第一开口轮廓图形;基于手动量测,获取各个所述校准组栅极收缩...
  • 本申请公开了一种对准标记线宽的测量方法及其测量系统,涉及半导体技术领域。测量方法包括:获取多个预设线宽不同的预设对准标记对应的预设参数信息,预设参数信息包括预设对准标记的预设线宽、预设深度和预设占空比,预设对准标记所在覆盖膜层的预设厚度和预...
  • 本公开涉及一种标记自动摆放方法及其装置、设备、存储介质、程序产品。该标记自动摆放方法包括:获取光刻层中待摆放标记的标记特征信息表;基于标记特征信息表在光刻版图中划分出待摆放标记的摆放区域;获取待摆放标记在光刻版图中的绝对摆放位置信息,并根据...
  • 本发明提供了一种光刻胶前处理工艺提升微纳结构光滑度的方法,具体是对光刻胶在刻蚀前进行表面处理的工艺方法,该方法是在现有的纳米金属氧化物类光刻胶工艺中,在其处于较宽的工作窗口的光刻胶方法上,增加对光刻胶膜进行等离子体表面处理的步骤,实现等离子...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,公开了一种基于双层光刻胶的金属膜图形制备方法,该方法包括:清洗透明衬底;在所述透明衬底上旋涂第一光刻胶层,并烘烤;在所述第一光刻胶层上旋涂第二光刻胶层,并烘烤,得到双层胶结构;基于预设的金属图形,对所述双层胶结...
  • 本发明公开了一种玻璃丝印网版涂胶曝光生产线,网版通过粘网装置粘网后再移送至感光胶涂刷装置涂胶,最后再送入到网版曝光台进行曝光,粘网装置包括外框架、内框架和网框放置平台,内框架安装在外框架内,内框架内安装有若干粘网气缸,网框放置平台安装在粘网...
  • 本申请涉及一种具有量子棒的可固化组合物、其制备方法及其应用。组合物含长径比2‑10可调的量子棒,其表面有2nm‑10nm厚氧化物保护层,还接枝含碳碳双键和/或三键的光敏分子;含至少2个叠氮基团的光敏交联剂;以及非极性溶剂。通过控制各成分浓度...
  • 本发明涉及有机膜形成用组成物、有机膜形成方法、图案形成方法及聚合物。本发明提供一种基板(晶圆)上的成膜性(面内均匀性)与填埋特性优异、且抑制EBR步骤时的隆起、且用作多层抗蚀剂用的有机下层膜时的处理裕度优异的有机膜形成用组成物、使用该组成物...
  • 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中,感度及极限分辨率优良的非化学增幅抗蚀剂组成物,以及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物,含有:下式(1)、(2)或(3)表示...
  • 本发明涉及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是在使用高能射线的光学光刻中,提供具有使用感度及极限分辨性优良的非化学增幅抗蚀剂组成物,并将曝光后的抗蚀剂膜利用干蚀刻进行显影而形成正型或负型的抗蚀剂图案的步骤的抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段...
  • 本发明提供了一种方法。方法包括在基板上旋涂光阻层,对光阻层执行第一图案化工艺以形成光阻图案,其中光阻图案具有第一轮廓。方法包括对光阻图案执行第二图案化工艺,包括旋转基板,将光阻图案暴露于红外光,以及对光阻图案执行显影工艺,其中,在显影工艺之...
  • 本发明涉及一种用于微电刻设备的可调滚轮,其中,该微电刻设备包括平台模块、位移模块、供电模块以及控制模块等,该可调滚轮包括滚轮主体、印模层以及一个或多个可变形结构,该可变形结构响应于控制模块的指令产生形变。本发明还涉及一种包括该可调滚轮的微电...
  • 本发明涉及掩模制造技术领域,具体涉及一种高分辨掩模版及制备方法。包括制备模版,所述模板包括第一衬底,所述第一衬底表面具有第一图形,并在上述第一衬底上形成抗黏层;准备第二衬底,在所述第二衬底上形成增粘层;在所述第一衬底表面喷涂压印胶后,将所述...
  • 本发明涉及纳米压印技术领域,具体是一种大面积气压式纳米压印设备的调平机构,包括调平平台和气压式纳米压印模块,调平平台底部四角通过支撑柱连接楔形位移单元,该单元由水平移动的动楔形调节块和固定的静楔形调节块组成,通过斜面滑动将水平位移转换为垂直...
  • 一种压印模板制备系统和方法、模板及步进式纳米压印方法,属于压印模板制备技术领域。所述压印模板制备系统包括:投影结构,包括空间光调制器,用于生成待投射图案;成像调整结构,包括光学元件组,用于将所述待投射图案进行缩小,其中,所述成像调整结构的入...
  • 一种纳米压印设备及纳米压印方法。其中,纳米压印设备包括料筒、喷胶模块、压印模块、预曝光模块,所述料筒与所述喷胶模块之间设置有传输管路,所述预曝光模块用于在压印之前对传输过程中的压印胶进行预曝光。本发明的技术方案利用压印胶材料的固化特性,控制...
  • 本发明涉及印刷品质量控制技术领域,公开了一种微结构母版修复方法,包括:对微结构母版进行平整度检测,筛选待修复母版;将母版放置于溶剂中去除表面杂物;获取模压样张,并标记模压样张上的微结构瑕疵点区域;对模压样张上的微结构瑕疵点区域做镂空处理,并...
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