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  • 本发明公开了一种可调谐带通滤波器及其调谐方法和制作方法,属于射频通信技术领域。可调谐带通滤波器主要包括高通滤波单元、低通滤波单元以及控制信号输入端口,控制信号输入端口用于向低通滤波单元或高通滤波单元施加一个幅值和相位均可调的激励电压信号,本...
  • 本发明公开了一种基于轧钢工艺的棒材温度滤波控制方法,涉及轧钢生产技术领域,包括以下步骤:预先采集棒材温度原始数据、对应的轧钢工艺参数及钢种成分数据;构建材质温度特征库,并根据在线光谱分析技术实时识别钢种成分,调用匹配的滤波参数基准模板。本发...
  • 本申请提供一种多路复用器和数据通信设备,涉及通信技术领域,旨在不采用高阶滤波器,提高多路复用器的通道间隔离度。多路复用器包括第一公共端、第一滤波器、第一传输线、第二滤波器、第二传输线和第一电阻。第一公共端接收第一通信信号。第一传输线的第一端...
  • 本发明公开了一种功率超声同步尾波吸收检测电路,包括中心抽头变压器TR1,MOS管驱动器U1、U2、U3以及N型MOS管Q1、Q2、Q3;U1、U2、U3的输入引脚分别连接PWM1激励信号、PWM2激励信号、PWM3激励信号;U1、U2、U3...
  • 本申请揭示了一种高精度触发电路,包括:低阻抗输入保护电路、低阻衰减网络、高阻衰减网络、低阻分频调理及限幅电路和高阻分频调理及限幅电路,其中,低阻抗输入保护电路用于实时监测低阻抗输入信号电压并在超限时通过钳位与切换机制保护后级电路;低阻衰减网...
  • 本发明公开了一种阻抗匹配方法、电路及射频设备,其中,方法包括:获取射频设备在设定条件下的实测反射功率值;在所述实测反射功率值不符合预设条件的情况下,根据所述射频设备的电压信号和电流信号,在所述射频设备的射频匹配器的预设初始阻抗值的基础上,调...
  • 本申请提供的宽频响的心电滤波电路,通过信号稳定模块设置ESD静电保护电路、一级信号低通电路和反向电压跟随器电路,通过ESD静电保护电路防止外部静电引入电路,通过一级信号低通电路和反向电压跟随器电路对信号进行稳定,确保后续电路可以针对稳定信号...
  • 本发明公开了一种声表面波滤波器。包括:压电层;设置于所述压电层一侧的多个谐振器;设置于相邻的两个所述谐振器之间的衰减结构,所述衰减结构至少包括弹性波衰减材料层,所述弹性波衰减材料层的弹性模量E1满足:E1≤10GPa。本发明通过设置位于相邻...
  • 本发明涉及电路技术领域,具体涉及一种谐振器滤波器结构、制备方法及滤波器。谐振器滤波器结构,包括衬底和集成在所述衬底一侧的电路结构;所述衬底包括谐振器区域和电容区域;所述谐振器区域设置有谐振器电路结构,所述电容区域设置有电容结构;所述谐振器电...
  • 本申请提供了一种低温共烧陶瓷滤波器,包括陶瓷基体、滤波结构、输入电极、输出电极以及接地电极。滤波结构通过低温共烧工艺嵌入陶瓷基体内部;输入电极的一端与滤波结构的输入端实现电气连接,另一端延伸至陶瓷基体外表面形成外部可焊端;输出电极的一端与滤...
  • 本申请涉及一种SAW谐振器、滤波器及电子设备。该SAW谐振器包括叉指换能器。叉指换能器包括多个电极指。多个电极指在第一方向上间隔排布,任意相邻两个电极指的极性不同且在第二方向上交错分布,第二方向与第一方向相交。至少部分电极指中设置有间隙,间...
  • 本申请提供了一种声表面波器件结构及装置,包括衬底、形成于衬底100上的压电层,以及形成于压电层表面的IDT电极。压电层被刻蚀为表面存在高度差的第一表面和第二表面,IDT电极的电极指沿第二方向延伸并部分覆盖第一表面。通过调控第一表面与第二表面...
  • 一种振荡器母片、振荡组件及其制作方法,所述振荡器母片包括框架、多个振荡组件,及多个连接部。所述框架包括沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排列的多条连接框线。特别的是,每一个所述振荡组件是通过自所述振荡组件延伸的至少一个连接部而与相应的连接框线连...
  • 本申请公开了一种弹性波装置和射频前端模组,其中,弹性波装置中电极指的指条区域宽度包括电极指宽度以及电极指两侧间隙的部分,优化相邻的两个区域中位于区域边界的电极指的指条区域宽度和占空比,并在此基础上,将弹性波装置的叉指电极划分为至少两个区域,...
  • 本发明提供了一种谐振器,包括:衬底;谐振组件,谐振组件设置于衬底,谐振组件包括上电极、压电层和下电极,上电极和下电极设置于压电层的两侧;上电极21、压电层22和下电极23的重叠区域形成谐振区域;边界环,边界环围绕谐振区域的边缘设置于上电极远...
  • 本发明提供了一种提升Q值的体声波谐振器、滤波器、双工器及其制备方法,涉及体声波谐振器技术领域。包括沿纵向依次层叠的衬底、底电极、压电层和顶电极,衬底和底电极之间设置有空腔,压电层横向方向的两侧边缘与顶电极之间均设置有单凸起的框架结构,框架结...
  • 本发明公开了一种体声波谐振器及其制备方法、滤波器,涉及半导体射频器件领域。其中,体声波谐振器包括衬底,依次层叠于衬底上的下电极、压电层和上电极;衬底设有形成声学镜的空腔;所述压电层的至少一侧设有暴露所述下电极的阻断间隙,所述阻断间隙具有相对...
  • 本发明涉及一种基于多电极结构的横向激励体声波谐振器,属于微机电技术领域,包括:衬底;温度补偿层,形成在所述衬底上;压电层,形成在所述温度补偿层上;多电极阵列,形成在所述压电层上,用于消除杂散模态;空腔,形成在所述衬底中,所述温度补偿层处在所...
  • 本发明公开了一种基于SABAR和IPD的纵向集成器件及滤波器,属于滤波器技术领域,包括SABAR芯片和IPD芯片,SABAR芯片和IPD芯片在纵向方向上利用WLP键合方法通过键合连接构成集成体,集成体内设置有利用TSV加工方法加工的导电通道...
  • 本申请公开了一种采样信号电路的回采电流信号的滤波处理方法、设备及介质,涉及电流滤波处理技术领域,该方法包括:以触发周期为公差的等差数列的延时间隔,对回采电流信号进行以第一预设数量为采样数量的采样操作,并对每次的采样结果进行平均处理,得到每次...
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