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最新专利技术
  • 太阳能电池及其制造方法
    太阳能电池及其制造方法_周星工程股份有限公司_202480021245.4
    本公开涉及一种太阳能电池及其制造方法，太阳能电池包括第一半导体层、形成在第一半导体层的一个表面上的第二半导体层、形成在第一半导体层的另一个表面上的第三半导体层、形成在第二半导体层上的第一透明导电层以及形成在第三半导体层的下表面上的第二透明导...
    2025-11-27
  • 半导体装置及电子设备
    半导体装置及电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480025989.3
    本发明提供了能够使装置配置小型化并抑制发生由来自散热构件的反射光引起的光斑等缺陷的半导体装置。一种半导体装置，包括：基板；第一半导体元件，设置在基板上；透光构件，相对于第一半导体元件设置在与基板侧相反的一侧上；第二半导体元件，设置在基板上；...
    2025-11-27
  • 显示基板
    显示基板_京东方科技集团股份有限公司_202480000543.5
    本公开提供了一种显示基板，包括衬底和位于衬底一侧的晶体管，晶体管包括栅极、有源层、以及第一绝缘层，其位于有源层背离衬底的一侧，并覆盖有源层；其中，第一绝缘层包括靠近有源层的第一绝缘子层和远离有源层的第二绝缘子层，第二绝缘子层的氧含量高于第一...
    2025-11-27
  • 在互补式场效晶体管(CFET)元件中的触点集成
    在互补式场效晶体管(CFET)元件中的触点集成_应用材料公司_202480027257.8
    一种形成互补式场效晶体管(CFET)的半导体结构包括第一共同金属栅极；第二共同金属栅极；底部场效晶体管(FET)模块，所述底部FET模块包括一对底部共同源极/漏极(S/D)触点，所述对底部共同源极/漏极(S/D)触点通过第一底部S/D外延(...
    2025-11-27
  • 形成具有应变晶体管沟道的电子元件的方法
    形成具有应变晶体管沟道的电子元件的方法_应用材料公司_202480027354.7
    本揭示案的实施例提供了制造满足PMOS晶体管的压应力要求和NMOS晶体管的拉应力要求的电子元件的方法。每个P金属堆叠和P金属堆叠：在位于半导体基板上源极和漏极之间的沟道的顶表面上形成，以及包括纳米片沟道层和每个纳米片沟道层之间的沟槽，并且具...
    2025-11-27
  • 具有最小侧壁间隔物损失的高深宽比电子元件的制造
    具有最小侧壁间隔物损失的高深宽比电子元件的制造_应用材料公司_202480020764.9
    一种方法包括将平面化层形成到在电子元件的基础结构的上部晶体管元件区域下方且在所述基础结构的下部晶体管元件区域上方的位置。所述基础结构包括多个特征。所述方法进一步包括：沿着所述基础结构和所述平面化层形成间隔物材料；修改沿着所述基础结构的底部沟...
    2025-11-27
  • 场板式电阻器
    场板式电阻器_德州仪器公司_202380097370.9
    一种半导体装置(100A)包含半导体衬底(101)。阱电阻器(120)位于所述半导体衬底(101)中。场板(130)位于所述阱电阻器(120)上方。绝缘体(125)位于所述阱电阻器(120)与所述场板(130)之间。所述阱电阻器(120)包...
    2025-11-27
  • 柔性透明薄膜晶体管制造用层叠体、柔性透明薄膜晶体管及其制造方法
    柔性透明薄膜晶体管制造用层叠体、柔性透明薄膜晶体管及其制造方法_东友精细化工有限公司_202480021823.4
    本发明涉及柔性薄膜晶体管制造用层叠体、利用其制造的柔性薄膜晶体管及其制造方法，所述柔性薄膜晶体管制造用层叠体包括：载流子基板；配置在所述载流子基板上的分离层；以覆盖所述分离层的方式配置的保护层；配置在所述保护层上的栅极电极；配置在所述栅极电...
    2025-11-27
  • 半导体装置及显示装置
    半导体装置及显示装置_株式会社半导体能源研究所_202480018405.X
    提供一种可以以高密度配置晶体管的半导体装置。提供一种容易实现高清晰化的显示装置。半导体装置包括具有开口的绝缘层以及都包括绝缘层上的源电极和漏电极中的一方及绝缘层的下方的源电极和漏电极中的另一方的第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管及第二晶体管...
    2025-11-27
  • 碳化硅半导体装置
    碳化硅半导体装置_株式会社电装_202480026118.3
    在形成有沟槽栅构造的半导体元件的SiC半导体装置中，在单元区域(1)形成第一导电型的JFET层(14)和第二导电型的第一深层(15)。而且，使JFET层中的单元区域的外周侧的末端位置即外周末端位置(Po)比栅极布线(26)中的单元区域侧的末...
    2025-11-27
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480021478.4
    本发明提供一种半导体装置，在横型的MOSFET中，能够通过简易的构造以高耐压且小的元件尺寸抑制饱和电流。半导体装置(1)具有：第一导电型的漂移区域(2)；第二导电型的主体区域(3)；沟道区域(9)，其形成于主体区域(3)；第一导电型的源极区...
    2025-11-27
  • 具有氮掺杂的场释放电介质层的半导体装置
    具有氮掺杂的场释放电介质层的半导体装置_德州仪器公司_202380097411.4
    描述包含氮掺杂的场释放电介质层(130)的半导体装置。微电子装置(100)包括：衬底(103)，其包含具有第一导电类型的体区(108)和具有与所述第一导电类型相对的第二导电类型的漏极漂移区(138)；在所述衬底(103)上的栅极电介质层(1...
    2025-11-27
  • 半导体装置以及电力转换装置
    半导体装置以及电力转换装置_三菱电机株式会社_202480021594.6
    目的在于提供一种能够提高动作时的半导体装置的可靠性的技术。在相对于栅极电极位于与有源区域相反的一侧的相反区域侧的第一发热量大于有源区域侧的第二发热量的情况下，层间绝缘膜中的比栅极电极靠相反区域侧的第一部分的尺寸大于层间绝缘膜中的比栅极电极靠...
    2025-11-27
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480021497.7
    有效地降低RC‑IGBT中的二极管区域的恢复损耗。半导体装置(1)在一个芯片内具有IGBT区域(31)和二极管区域(32)，IGBT区域(31)的沟槽(6)(第一沟槽)和二极管区域(32)的沟槽(6)(第二沟槽)都是宽幅的沟槽，并且二极管区...
    2025-11-27
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_罗姆股份有限公司_202480020754.5
    半导体装置包括：芯片，其包含SiC且具有主面；栅极电极，其配置在所述主面之上，包含多晶硅且具有电极面；硅化物部，其局部地形成于所述电极面的表面部；以及多晶硅部，其在所述电极面的表面部形成于所述硅化物部以外的部分。
    2025-11-27
  • 分裂支柱及支墩存储器架构
    分裂支柱及支墩存储器架构_美光科技公司_202480020293.1
    描述用于分裂支柱及支墩存储器架构的方法、系统及装置。存储器阵列可包含通过沟槽来与第二组字线板分离的第一组字线板及与所述第一及第二组字线板交互的一组支柱对(例如，其经配置为数字线)。此外，所述存储器阵列可包含定位于所述支柱对之间的一组介电支墩...
    2025-11-27
  • 具有非对称结构的MRAM
    具有非对称结构的MRAM_国际商业机器公司_202480027629.7
    本发明的实施例提供一种MRAM结构。该结构包括：金属线，该金属线具有在第一侧和第二侧之间的宽度、在第一端和第二端之间的长度、以及纵向轴线，并且相对于所述纵向轴线对称；导电通孔，所述导电通孔接触所述金属线的第一区域；以及磁性隧道结(MTJ)堆...
    2025-11-27
  • 用于具有CMOS接合阵列的3D存储器的源极接点
    用于具有CMOS接合阵列的3D存储器的源极接点_应用材料公司_202480027266.7
    本文提供了制造存储器元件的方法。该方法包括：在基板上形成第一外延层；以及在第一外延层上形成存储器阵列，该存储器阵列包括第一外延层上的氧化物材料和金属材料的交替层的存储器堆叠，从第一外延层延伸穿过存储器堆叠的至少一个存储器单元，以及与至少一个...
    2025-11-27
  • 电容降低
    电容降低_朗姆研究公司_202480026579.0
    一种处理衬底的方法，该方法包括：提供图案化的衬底，其具有在特征之间的一个或更多个间隙；在衬底上方沉积牺牲性材料，其中牺牲性材料沉积在一个或更多个间隙中的至少一者中；蚀刻牺牲性材料以暴露特征的表面；在衬底上方形成薄渗透层，其中薄渗透层沉积在牺...
    2025-11-27
  • 高压装置及方法
    高压装置及方法_美光科技公司_202480023430.7
    本公开公开设备及方法，包含晶体管、半导体装置及系统。实例半导体装置及方法包含晶体管之间的隔离沟槽，所述隔离沟槽包含介电层，所述介电层包含固定电荷。固定电荷介电层实现缩放得比不包含固定电荷介电层的沟槽更小的沟槽宽度。这允许在不牺牲所展示装置的...
    2025-11-27
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