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最新专利技术
  • 柔性透明薄膜晶体管制造用层叠体、柔性透明薄膜晶体管及其制造方法
    柔性透明薄膜晶体管制造用层叠体、柔性透明薄膜晶体管及其制造方法_东友精细化工有限公司_202480021823.4
    本发明涉及柔性薄膜晶体管制造用层叠体、利用其制造的柔性薄膜晶体管及其制造方法，所述柔性薄膜晶体管制造用层叠体包括：载流子基板；配置在所述载流子基板上的分离层；以覆盖所述分离层的方式配置的保护层；配置在所述保护层上的栅极电极；配置在所述栅极电...
    2025-11-27
  • 半导体装置及显示装置
    半导体装置及显示装置_株式会社半导体能源研究所_202480018405.X
    提供一种可以以高密度配置晶体管的半导体装置。提供一种容易实现高清晰化的显示装置。半导体装置包括具有开口的绝缘层以及都包括绝缘层上的源电极和漏电极中的一方及绝缘层的下方的源电极和漏电极中的另一方的第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管及第二晶体管...
    2025-11-27
  • 碳化硅半导体装置
    碳化硅半导体装置_株式会社电装_202480026118.3
    在形成有沟槽栅构造的半导体元件的SiC半导体装置中，在单元区域(1)形成第一导电型的JFET层(14)和第二导电型的第一深层(15)。而且，使JFET层中的单元区域的外周侧的末端位置即外周末端位置(Po)比栅极布线(26)中的单元区域侧的末...
    2025-11-27
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480021478.4
    本发明提供一种半导体装置，在横型的MOSFET中，能够通过简易的构造以高耐压且小的元件尺寸抑制饱和电流。半导体装置(1)具有：第一导电型的漂移区域(2)；第二导电型的主体区域(3)；沟道区域(9)，其形成于主体区域(3)；第一导电型的源极区...
    2025-11-27
  • 具有氮掺杂的场释放电介质层的半导体装置
    具有氮掺杂的场释放电介质层的半导体装置_德州仪器公司_202380097411.4
    描述包含氮掺杂的场释放电介质层(130)的半导体装置。微电子装置(100)包括：衬底(103)，其包含具有第一导电类型的体区(108)和具有与所述第一导电类型相对的第二导电类型的漏极漂移区(138)；在所述衬底(103)上的栅极电介质层(1...
    2025-11-27
  • 半导体装置以及电力转换装置
    半导体装置以及电力转换装置_三菱电机株式会社_202480021594.6
    目的在于提供一种能够提高动作时的半导体装置的可靠性的技术。在相对于栅极电极位于与有源区域相反的一侧的相反区域侧的第一发热量大于有源区域侧的第二发热量的情况下，层间绝缘膜中的比栅极电极靠相反区域侧的第一部分的尺寸大于层间绝缘膜中的比栅极电极靠...
    2025-11-27
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480021497.7
    有效地降低RC‑IGBT中的二极管区域的恢复损耗。半导体装置(1)在一个芯片内具有IGBT区域(31)和二极管区域(32)，IGBT区域(31)的沟槽(6)(第一沟槽)和二极管区域(32)的沟槽(6)(第二沟槽)都是宽幅的沟槽，并且二极管区...
    2025-11-27
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_罗姆股份有限公司_202480020754.5
    半导体装置包括：芯片，其包含SiC且具有主面；栅极电极，其配置在所述主面之上，包含多晶硅且具有电极面；硅化物部，其局部地形成于所述电极面的表面部；以及多晶硅部，其在所述电极面的表面部形成于所述硅化物部以外的部分。
    2025-11-27
  • 分裂支柱及支墩存储器架构
    分裂支柱及支墩存储器架构_美光科技公司_202480020293.1
    描述用于分裂支柱及支墩存储器架构的方法、系统及装置。存储器阵列可包含通过沟槽来与第二组字线板分离的第一组字线板及与所述第一及第二组字线板交互的一组支柱对(例如，其经配置为数字线)。此外，所述存储器阵列可包含定位于所述支柱对之间的一组介电支墩...
    2025-11-27
  • 具有非对称结构的MRAM
    具有非对称结构的MRAM_国际商业机器公司_202480027629.7
    本发明的实施例提供一种MRAM结构。该结构包括：金属线，该金属线具有在第一侧和第二侧之间的宽度、在第一端和第二端之间的长度、以及纵向轴线，并且相对于所述纵向轴线对称；导电通孔，所述导电通孔接触所述金属线的第一区域；以及磁性隧道结(MTJ)堆...
    2025-11-27
  • 用于具有CMOS接合阵列的3D存储器的源极接点
    用于具有CMOS接合阵列的3D存储器的源极接点_应用材料公司_202480027266.7
    本文提供了制造存储器元件的方法。该方法包括：在基板上形成第一外延层；以及在第一外延层上形成存储器阵列，该存储器阵列包括第一外延层上的氧化物材料和金属材料的交替层的存储器堆叠，从第一外延层延伸穿过存储器堆叠的至少一个存储器单元，以及与至少一个...
    2025-11-27
  • 电容降低
    电容降低_朗姆研究公司_202480026579.0
    一种处理衬底的方法，该方法包括：提供图案化的衬底，其具有在特征之间的一个或更多个间隙；在衬底上方沉积牺牲性材料，其中牺牲性材料沉积在一个或更多个间隙中的至少一者中；蚀刻牺牲性材料以暴露特征的表面；在衬底上方形成薄渗透层，其中薄渗透层沉积在牺...
    2025-11-27
  • 高压装置及方法
    高压装置及方法_美光科技公司_202480023430.7
    本公开公开设备及方法，包含晶体管、半导体装置及系统。实例半导体装置及方法包含晶体管之间的隔离沟槽，所述隔离沟槽包含介电层，所述介电层包含固定电荷。固定电荷介电层实现缩放得比不包含固定电荷介电层的沟槽更小的沟槽宽度。这允许在不牺牲所展示装置的...
    2025-11-27
  • 双场效应晶体管4F2单元
    双场效应晶体管4F2单元_应用材料公司_202480027347.7
    本技术一般针对垂直动态随机存取存储器(DRAM)单元和阵列，以及形成这种单元和阵列的方法，它们包含两个相邻沟道之间的共享字线。单元包括沿第一水平方向布置的位线、第一沟道、第二沟道以及在第一沟道和第二沟道之间沿第二水平方向布置的共享字线。单元...
    2025-11-27
  • 栅极全环4F2 DRAM
    栅极全环4F2 DRAM_应用材料公司_202480027243.6
    提供了具有改进的稳定性及字线电阻率的垂直单元动态随机存取内存(DRAM)数组及形成数组的方法。此等数组包括在第一水平方向上布置的复数个位线及在第二水平方向上布置的复数个字线。此等数组包括在与此第一方向及此第二水平方向大致上正交的垂直方向上延...
    2025-11-27
  • 用于内存装置的双栅极结构
    用于内存装置的双栅极结构_应用材料公司_202480026396.9
    一种内存装置，所述内存装置包括至少一个具有双栅极结构的晶体管，所述双栅极结构包括第一栅极金属及第二栅极金属，其中所述第一栅极金属具有小于4.55 eV的功函数，且所述第二栅极金属具有大于4.55 eV的功函数。亦提供了一种形成所述内存装置的...
    2025-11-27
  • 保护元件、能量供应系统、通信系统和机动运载工具
    保护元件、能量供应系统、通信系统和机动运载工具_爱尔铃克铃尔股份公司_202480027767.5
    保护元件(102)，用于提高电磁兼容性，其中保护元件(102)包括：用于保护免受电场、磁场或电磁场的影响的屏蔽层(114)。
    2025-11-27
  • 功率电子冷却器
    功率电子冷却器_罗伯特·博世有限公司_202480026845.X
    本发明描述了一种用于冷却功率电子构件(2)的冷却器(1)。冷却器包括第一板(3)，该第一板设立用于接纳功率电子构件(2)。此外，冷却器包括深冲件(4)，该深冲件通过连接区域(5)与第一板(3)连接，其中，在第一板(3)与深冲件(4)之间构造...
    2025-11-27
  • 接口模块与散热系统
    接口模块与散热系统_上海诺基亚贝尔股份有限公司_202380097463.1
    本公开的示例性实施例涉及一种接口模块(10)和一种散热系统(1)。该接口模块(10)包括：框架(12)，围合出内部通道(13)，用于沿插入方向(Li)容纳发热设备的至少一个发热部；至少一个热扩散件(14)，邻近内部通道(13)的内壁设置，且...
    2025-11-27
  • 在导电条、连接器和互连器之间形成三重连接的组件
    在导电条、连接器和互连器之间形成三重连接的组件_尼得科标志雪铁龙电动马达公司_202480022272.3
    本发明涉及一种组件，所述组件包括至少一个导电条(4)、电气连接器(5)以及用于使所述导电条与电子装置电气联接的互连器(7)。所述互连器(7)包括第一端部(8)和第二端部(9)，所述第一端部构造成借助于第一螺钉(10)与所述导电条(4)连接，...
    2025-11-27
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