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最新专利技术
  • 一种高效散热的碳化硅功率模块
    一种高效散热的碳化硅功率模块_浙江翠展微电子有限公司_202511292555.2
    本发明涉及功率模块技术领域， 特别涉及一种高效散热的碳化硅功率模块。所述高效散热的碳化硅功率模块包括散热组件， 模块组件， 外壳。所述散热组件包括底座， 凹槽， 进口， 出口， 散热基板， 扰流组件， 第一挡板， 以及第二挡板。所述扰流组件...
    2025-12-03
  • 一种带凹槽针齿的液冷功率模块热沉结构
    一种带凹槽针齿的液冷功率模块热沉结构_东莞理工学院_202510930634.5
    本发明属于液冷散热器技术领域， 尤其是一种带凹槽针齿的液冷功率模块热沉结构， 针对由于功率密度不断提升， 对芯片散热需求持续提高， 现有形态的功率模块液冷散热器散热齿所提供的散热效率不足以满足需求的问题， 现提出以下方案， 包括散热基板；散...
    2025-12-03
  • 一种用于量子芯片的承载装置
    一种用于量子芯片的承载装置_重庆春盛机械科技有限公司_202511017954.8
    本发明提供一种用于量子芯片的承载装置， 涉及芯片安装技术领域， 包括底盘， 所述底盘顶端一体成型有承载安装座；两处凵状滑框与四处L状压块之间对称转动连接有四处连杆；所述底盘上方对称转动安装有两处摆转驱动件， 摆转驱动件由摆杆和设置于条形驱动...
    2025-12-03
  • 一种双面散热、大电流、高浪涌的肖特基二极管及封装结构以及制备方法
    一种双面散热、大电流、高浪涌的肖特基二极管及封装结构以及制备方法_济南晶恒电子有限责任公司_202511001794.8
    本发明涉及一种双面散热、大电流、高浪涌的肖特基二极管及封装结构， 属于功率半导体器件封装技术领域， 包括：TK3金属陶瓷管座和上电极， 所述TK3金属陶瓷管座包括封接环、下电极和陶瓷框， 所述上电极延伸至封接环之间， 所述陶瓷框绕设在封接环...
    2025-12-03
  • 一种封装结构及其制备方法
    一种封装结构及其制备方法_苏州科阳半导体有限公司_202510915648.X
    本发明公开了一种封装结构及其制备方法， 封装结构包括键合区、第一晶圆、第二晶圆和键合结构， 其中第一晶圆和第二晶圆在键合区通过键合结构键合；第一晶圆朝向第二晶圆的一侧设置有至少一个容胶槽， 容胶槽贯穿部分第一晶圆；第二晶圆朝向第一晶圆的一侧...
    2025-12-03
  • 基于空腔管壳的AiP封装结构
    基于空腔管壳的AiP封装结构_中国电子科技集团公司第十三研究所_202510876488.2
    本发明提供了一种基于空腔管壳的AiP封装结构， 属于电子封装技术领域， 包括具有若干金属化通孔的基板、键合于基板上的芯片、封装于芯片上的空腔管壳以及集成于空腔管壳的内表面及外表面上的天线辐射单元；空腔管壳具有封装芯片的封装腔， 空腔管壳的四...
    2025-12-03
  • 半导体封装及其制造方法
    半导体封装及其制造方法_三星电子株式会社_202510438544.4
    提供了一种半导体封装及其制造方法， 该半导体封装包括：第一再分布层；第二再分布层；在第一再分布层和第二再分布层之间的玻璃基板， 该玻璃基板包括配置成连接第一再分布层和第二再分布层的贯穿玻璃通路；在第二再分布层的第二表面上的第一半导体芯片和第...
    2025-12-03
  • 封装核心组件及制造方法
    封装核心组件及制造方法_应用材料公司_202510910567.0
    本公开涉及半导体核心组件及其形成方法。本文所述的半导体核心组件可以用于形成半导体封装组件、PCB组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件(例如， 用于图形卡)等。在一个实施例中， 通过直接激光图案化来构造硅基板核心。一个或多个导电...
    2025-12-03
  • 一种多芯片封装结构及封装方法
    一种多芯片封装结构及封装方法_江苏凯嘉电子科技有限公司_202510925770.5
    本发明提供了一种多芯片封装结构及封装方法， 涉及半导体封装技术领域， 包括基板， 基板上开设有凹槽， 凹槽内倒装设置有第一芯片， 第一芯片上设置有TVC转换板， TVC转换板与第一芯片电性连接， TVC转换板上设置有导电连接件， TVC转换...
    2025-12-03
  • 一种提高密度和减少翘曲的基板及方法
    一种提高密度和减少翘曲的基板及方法_江苏芯德半导体科技股份有限公司_202510944526.3
    本发明提供一种提高密度和减少翘曲的基板及方法， 属于半导体封装技术领域， 包括基板本体， 基板本体的中部分布有微通孔阵列， 微通孔阵列由一组微通孔组成， 微通孔的孔径范围为100～250μm， 每相邻两个微通孔之间的间距为150μm；本发明...
    2025-12-03
  • 改善隔层铜空洞的方法
    改善隔层铜空洞的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511232184.9
    本发明公开了一种改善隔层铜空洞的方法， 包括步骤：提供完成了底层铜层的CMP底层结构。形成第一刻蚀停止层和层间膜。进行AIO刻蚀在层间膜中同时形成通孔开口和沟槽， 通孔开口位于部分区域的沟槽底部；AIO刻蚀停止在第一刻蚀停止层的顶部表面上，...
    2025-12-03
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_江苏微导纳米科技股份有限公司_202510950639.4
    本申请提供一种半导体结构及其制造方法， 半导体结构包括金属层， 金属层包括多个凹槽。方法包括：形成牺牲层， 牺牲层覆盖凹槽的侧壁和凹槽的底部， 去除位于凹槽的底部的牺牲层。形成第一隔离层， 第一隔离层填充凹槽， 去除部分第一隔离层至剩余的第...
    2025-12-03
  • 大马士革工艺方法
    大马士革工艺方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510811960.4
    本发明公开了一种大马士革工艺方法， 包括步骤：在底层结构的表面依次形成第一介质层、第一层间膜、第二介质层和第二层间膜。进行通孔刻蚀形成通孔开口。形成第一保护层。进行第一次回刻将通孔开口外的第一保护层去除以及将通孔开口内的第一保护层的顶部表面...
    2025-12-03
  • 改善层间介质CMP工艺前层膜层台阶高度的方法
    改善层间介质CMP工艺前层膜层台阶高度的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510810075.4
    本发明公开了一种改善层间介质CMP工艺前层膜层台阶高度的方法， 在具有沟槽的晶圆上淀积层间介质时， 在淀积氧化硅膜之前使用约束工艺， 增加氛围气体抑制氧化硅膜在沟槽顶部开口处淀积， 再进行氧化硅膜淀积、刻蚀再淀积的反复循环工艺， 直到完成沟...
    2025-12-03
  • 金属互连结构的制备方法
    金属互连结构的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510809126.1
    本申请公开了一种金属互连结构的制备方法， 包括：S1：提供一半导体结构， 半导体结构中形成有金属互连层， 半导体结构上由下至上依次形成有阻挡层和低K介质层， 阻挡层覆盖半导体结构以及金属互连层；S2：刻蚀低K介质层、阻挡层以形成沟槽和通孔；...
    2025-12-03
  • Al线形成方法
    Al线形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510809102.6
    本申请公开了一种Al线形成方法， 涉及半导体器件技术领域， 包括：提供一晶圆， 晶圆上形成有半导体器件， 半导体器件上覆盖有ILD层， ILD层中形成有凹槽；在ILD层和凹槽表面沉积阻挡层；在阻挡层上沉积润湿层；冷却处理润湿层；在润湿层上沉...
    2025-12-03
  • 改善铜互连金属层凸起缺陷的方法
    改善铜互连金属层凸起缺陷的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510783327.9
    本申请提供一种改善铜互连金属层凸起缺陷的方法， 包括：步骤一， 提供一衬底， 在衬底上形成底层结构， 该底层结构包括铜互连金属层和层间介质层， 铜互连金属层镶嵌在层间介质层中；步骤二， 通过沉积工艺在底层结构的顶部表面形成氮掺杂碳化硅层作为...
    2025-12-03
  • 抑制铜空洞缺陷产生的方法
    抑制铜空洞缺陷产生的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510782504.1
    本申请提供一种抑制铜空洞缺陷产生的方法， 包括：步骤一， 提供一衬底， 在衬底上形成层间介质层， 在层间介质层中形成铜互连金属层；步骤二， 在层间介质层上形成保护层， 保护层中的中间膜层的压应力增大；步骤三， 在保护层中形成沟槽， 露出部分...
    2025-12-03
  • 沟槽与通孔同步刻蚀的一体化加工方法
    沟槽与通孔同步刻蚀的一体化加工方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510782466.X
    本发明提供一种沟槽与通孔同步刻蚀的一体化加工方法， 在复合介质层上执行底部蚀刻， 建立沟槽与通孔的共形刻蚀基础；通过等离子体处理清除刻蚀副产物；执行主刻蚀阶段同步成型沟槽主体结构及通孔开口；在通孔底部的金属层裸露阶段启动增强刻蚀步骤， 同步...
    2025-12-03
  • 硅通孔的钨填充方法
    硅通孔的钨填充方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510782396.8
    本发明提供一种硅通孔的钨填充方法， 该方法包括：在形成有硅通孔的衬底上进行至少一次初始钨填充(沉积第一阻挡层和第一钨层)；随后进行至少一次后续钨填充， 该后续填充包括：在硅通孔内沉积第二阻挡层；在不破真空的条件下将衬底从第二阻挡层沉积腔室传...
    2025-12-03
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