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最新专利技术
  • 导电互联条及其制备方法、光伏电池组件
    导电互联条及其制备方法、光伏电池组件_天合光能股份有限公司_202510894922.X
    本申请属于光伏技术领域， 具体提供一种导电互联条及其制备方法、光伏电池组件， 旨在解决现有的互联条在焊接时会对电池片造成遮挡， 影响电池片的受光面积， 以及焊接过程中的焊接温度易对电池片造成损伤， 从而影响组件效率的问题。为此， 本申请的导...
    2025-11-19
  • 光伏组件及其制备方法
    光伏组件及其制备方法_天合光能股份有限公司_202510893734.5
    本申请提供了一种光伏组件及其制备方法， 涉及背接触电池技术领域。在光伏组件第一电池片的背面， 绝缘条覆盖多条第一极性焊带的第一段以及多条第二极性焊带的端部， 第一极性焊带的第二段和汇流条均设置于绝缘条的远离第一电池片的一侧， 汇流条与第二段...
    2025-11-19
  • 一种光伏组件层压机
    一种光伏组件层压机_秦皇岛奥特维智远设备有限公司_202410243440.3
    本申请提供了一种光伏组件层压机， 包括：n个层压单元， 层压单元包括热压板、下压驱动件及压板， 其中， 热压板内形成有向下开口的层压腔， 下压驱动件安装在热压板上且位于层压腔的上方， 压板连接在下压驱动件的活动部件上且位于层压腔内；层压驱动...
    2025-11-19
  • 一种电池组件及光伏系统
    一种电池组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511005657.1
    本发明适用于光伏技术领域， 提供一种电池组件及光伏系统， 电池组件包括：沿第一方向依次设置的第一电池单元和第二电池单元， 第一电池单元与第二电池单元并联设置， 第一电池单元和第二电池单元均包括沿第二方向依次排布且相串联的多个电池串组， 每个...
    2025-11-19
  • 一种异质结电池及其制备方法
    一种异质结电池及其制备方法_英利能源发展有限公司_202511211719.4
    本发明属于异质结电池领域， 具体公开一种异质结电池及其制备方法， 通过栅线电极对应区域沉积重掺杂非晶硅， 降低高寄生吸收、表面悬挂键和界面态密度， 提高开压和异质结电池效率。本发明主要技术方案为：一种异质结电池， N型硅衬底正面和背面栅线电...
    2025-11-19
  • 一种多层半导体层的太阳能电池结构及其制造工艺
    一种多层半导体层的太阳能电池结构及其制造工艺_泰州中来光电科技有限公司_202410376713.1
    本发明涉及光伏电池技术领域， 具体公开了一种多层半导体层的太阳能电池结构及其制造工艺。其包括：硅晶片， 形成在所述硅晶片上的第一半导体层、次级半导体层以及金属电极；所述次级半导体层局域或整体形成在所述第一半导体层的上方， 所述金属电极与所述...
    2025-11-19
  • 一种引入穿孔结构的TBC太阳能电池片及制备方法
    一种引入穿孔结构的TBC太阳能电池片及制备方法_滁州捷泰新能源科技有限公司_202511045452.6
    本发明公开了一种引入穿孔结构的TBC太阳能电池片及制备方法， 属于太阳能电池片技术领域， 包括硅基底， 硅基底背面设有若干第一区域和第二区域， 第一区域的非电极区内设有第一穿孔区域， 第一穿孔区域由多个贯穿所第一隧穿钝化层、第一掺杂层和第一...
    2025-11-19
  • 显示装置
    显示装置_乐金显示有限公司_202510965310.5
    本申请涉及显示装置。根据本公开的示例性实施方式， 一种显示装置包括：显示面板， 其被划分为显示区域、非显示区域、弯曲区域和焊盘区域， 并且在弯曲区域中在一个方向上弯曲；多个像素， 其设置在显示区域中；至少一个选通驱动器， 其设置在非显示区域...
    2025-11-19
  • 输入/输出驱动器
    输入/输出驱动器_华邦电子股份有限公司_202410490170.6
    本发明提供一种输入/输出驱动器， 包括静电放电保护电路。静电放电保护电路具有硅控整流器， 且包括分别设置于基底的第一至第四井区的表层区域中的第一第至第四重掺杂区。第一井区至第四井区沿第一方向依序排列且彼此邻接。第一井区、第三井区、第一重掺杂...
    2025-11-19
  • 一种晶粒、芯片、版图设计方法及相关设备
    一种晶粒、芯片、版图设计方法及相关设备_华为技术有限公司_202410394243.1
    本申请涉及半导体技术领域， 尤其涉及一种晶粒、芯片、版图设计方法及相关设备， 晶粒包括第一逻辑门单元和M个第一CNT组；第一逻辑门单元包括N个第一FET组， 每个FET组包括沟道类型相同的多个FET， 不同FET组的FET沟道类型不同；每个...
    2025-11-19
  • 电子装置的制作方法及使用其制备的电子装置
    电子装置的制作方法及使用其制备的电子装置_群创光电股份有限公司_202411323771.4
    本发明提供一种电子装置的制作方法， 其特征在于， 包含：提供一衬底；形成一第一导电层在该衬底上；图案化该第一导电层以形成一第一导电图案；形成一第二导电层在该第一导电图案上；以及图案化该第二导电层以形成一第二导电图案， 该第二导电图案包含一第...
    2025-11-19
  • 一种阵列基板、显示面板
    一种阵列基板、显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202410383576.4
    本发明公开了一种阵列基板、显示面板， 该阵列基板具有像素区及围绕所述像素区的周边区， 所述周边区设置有第一扇出线， 阵列基板包括：衬底基板；栅极层， 位于所述衬底基板的一侧；所述第一扇出线与所述栅极层同层设置；保护层， 位于所述栅极层远离所...
    2025-11-19
  • 显示母板、显示面板及显示装置
    显示母板、显示面板及显示装置_合肥维信诺科技有限公司_202410383176.3
    本发明公开了一种显示母板、显示面板及显示装置。所述显示母板包括显示区、过渡区和挖孔区， 所述过渡区围绕所述挖孔区， 所述显示区至少部分围绕所述过渡区；所述显示母板还包括：衬底；驱动层， 设置于所述衬底上；发光层， 设置于所述驱动层远离所述衬...
    2025-11-19
  • 一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置
    一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410362123.3
    本公开提供一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置， 显示基板包括衬底， 以及依次层叠设置在衬底一侧的透明导电层、第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层以及第二金属层， 第一金属层在衬底上的正投影位于透明导电层在衬底上的正投影内， ...
    2025-11-19
  • 驱动背板及其制造方法、显示面板及电子设备
    驱动背板及其制造方法、显示面板及电子设备_成都辰显光电有限公司_202410361720.4
    本申请提供一种驱动背板及其制造方法、显示面板及电子设别， 所述驱动背板包括：基板；位于基板一侧的第一平坦化层；位于第一平坦化层远离基板一侧的第二平坦化层， 第一平坦化层包括至少部分未被第二平坦化层覆盖的第一暴露区域， 第二平坦化层靠近第一暴...
    2025-11-19
  • 一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置
    一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410354207.2
    本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置， 该阵列基板包括：衬底基板， 及在衬底基板上的信号线、缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极层、保护层和电极层；缓冲层具有贯穿缓冲层的第一通孔， 信号线与第一通孔交叠；有源层被分为连续的第一...
    2025-11-19
  • 一种BCD工艺集成SGT的半导体器件及制造方法
    一种BCD工艺集成SGT的半导体器件及制造方法_广州智明微电子科技有限公司_202510883451.2
    本发明公开了一种BCD工艺集成SGT的半导体器件及制造方法。本发明提供了三种集成方案， 一种是将SGT器件与高压LDMOS器件集成， 并通过深槽隔离将SGT与高压LDMOS相互隔离；一种是将SGT器件与高压耗尽型LDMOS器件集成， 并通过...
    2025-11-19
  • GaN CMOS结构及其制备方式
    GaN CMOS结构及其制备方式_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202510710457.X
    本发明提供了一种GaN CMOS结构及其制备方式， 包括：p‑GaN沟道层、AlGaN背势垒层、AlN缓冲层、蓝宝石衬底、AlN成核层、介质层、p型电极以及n型电极；所述蓝宝石衬底上沉积AlN成核层、所述AlN成核层上依次外延生长AlN缓冲...
    2025-11-19
  • 氮化镓基温度传感器、制备方法及应用
    氮化镓基温度传感器、制备方法及应用_江西省纳米技术研究院_202510885431.9
    本发明公开了一种氮化镓基温度传感器、制备方法及应用， 属于传感器技术领域。氮化镓基温度传感器包括：半导体功能层， 具有相互电学隔离的晶体管功能区和电阻功能区， 晶体管功能区和所述电阻功能区内均分布有二维电子气；源极、漏极和栅极， 设置于晶体...
    2025-11-19
  • 形成半导体结构的方法、半导体结构及电子装置
    形成半导体结构的方法、半导体结构及电子装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410355044.X
    本申请公开了形成半导体结构的方法、半导体结构及电子装置， 该方法采用第一湿法刻蚀工艺从第二鳍结构去除部分厚度的第二半导体材料， 并在第一鳍结构表面形成第一氧化层， 接着对该第一鳍结构表面的第一氧化层的厚度进行调整， 并采用第二湿法刻蚀工艺从...
    2025-11-19
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