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最新专利技术
  • 一种基于凸缺陷深度排序的多尺寸晶圆寻边方法
    一种基于凸缺陷深度排序的多尺寸晶圆寻边方法_合肥知常光电科技有限公司_202511891003.3
    本发明公开了一种基于凸缺陷深度排序的多尺寸晶圆寻边方法，属于晶圆技术领域，包括获取目标晶圆图像数据；对图像数据进行预处理；根据晶圆尺寸选用不同的阈值策略，并基于预处理后的图像数据筛选出晶圆的有效轮廓；对有效轮廓进行凸缺陷深度排序处理；确定切...
    2026-03-25
  • 晶圆支撑装置及半导体清洗设备
    晶圆支撑装置及半导体清洗设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411286197.X
    本申请公开一种晶圆支撑装置及半导体清洗设备，属于半导体清洗技术领域。晶圆支撑装置包括晶圆支撑架、检测装置和气流调节装置，晶圆支撑架设有用于供晶圆伸入的限位槽，限位槽的槽壁面设有气流喷射孔，通过气流喷射孔可向晶圆喷射气体；检测装置用于检测限位...
    2026-03-25
  • 积层衬底及半导体装置的制造方法
    积层衬底及半导体装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510169908.3
    本发明的目的在于抑制剥离支撑衬底时对于支撑衬底的损伤。本发明涉及一种积层衬底及半导体装置的制造方法。实施方式的积层衬底是使用利用激光的热膨胀的剥离用的积层衬底，且具备：半导体衬底；第1绝缘层，配置于半导体衬底的上方；及多晶硅层，与第1绝缘层...
    2026-03-25
  • 积层衬底及半导体装置的制造方法
    积层衬底及半导体装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510208594.3
    本发明涉及一种积层衬底及半导体装置的制造方法。本发明的课题在于抑制剥离支撑衬底时对于支撑衬底的损伤。本发明的实施方式的积层衬底是使用利用激光的热膨胀的剥离用的积层衬底，且该积层衬底具备：半导体衬底；第1绝缘层，配置在半导体衬底的上方；第1多...
    2026-03-25
  • 形变控制膜
    形变控制膜_卢芊彤_202511109589.3
    本揭示内容提供一种形变控制膜，其包含一保护层以及一形变控制层。形变控制层连接保护层，且形变控制层远离保护层的一表面具有一吸附结构。吸附结构具有多个凸块，凸块由形变控制层的所述表面往远离保护层的一方向凸起，且相邻的二凸块之间形成一排气通道。借...
    2026-03-25
  • 一种晶圆减薄方法及晶圆
    一种晶圆减薄方法及晶圆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511868441.8
    本申请实施例提供了一种晶圆减薄方法及晶圆。晶圆减薄方法包括：在晶圆的正面依次设置第一胶层、支撑层和缓冲膜；其中，所述晶圆包括相对设置的正面和背面，所述晶圆的背面为晶圆的衬底所在的面；所述第一胶层覆盖所述晶圆的正面，所述支撑层覆盖所述第一胶层...
    2026-03-25
  • 一种Z轴运动机构及半导体检测设备
    一种Z轴运动机构及半导体检测设备_无锡亘芯悦科技有限公司_202511917932.7
    本发明涉及一种Z轴运动机构及半导体检测设备，属于半导体检测设备技术领域。该Z轴运动机构包括底板、压电放大机构模组、压电放大机构对称模组、滑块导向模组、晶圆上下料模组和吸附与定位反馈模组，压电放大机构模组与压电放大机构对称模组对称设置；滑块导...
    2026-03-25
  • 一种基于CVD的碳化硅静电卡盘及其制备方法
    一种基于CVD的碳化硅静电卡盘及其制备方法_广东精瓷新材料有限公司_202511919611.0
    本发明公开了一种基于CVD的碳化硅静电卡盘及其制备方法，所述静电卡盘具有陶瓷片结构：由靠近基座的下电介质层、远离基座的上电介质层以及居中间的电极层组成，其中所述下电介质层、上电介质层为高电阻碳化硅材料，电极层为低电阻碳化硅材料，均通过CVD...
    2026-03-25
  • 一种静电卡盘及一种半导体器件的加工装置
    一种静电卡盘及一种半导体器件的加工装置_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511967503.0
    本发明提供了一种静电卡盘及一种半导体器件的加工装置。该静电卡盘包括盘体，该盘体由导电材料制成，其表面设有绝缘涂层。盘体内部设有气道，气道经由至少一个气孔连通盘体的表面，其连通处采用圆角结构。
    2026-03-25
  • 半导体工艺设备及其承载装置
    半导体工艺设备及其承载装置_北京北方华创微电子装备有限公司_202411298094.5
    本申请提供一种半导体工艺设备及其承载装置，承载装置包括多个支撑部和至少三个伸缩机构；伸缩机构包括伸缩杆和驱动机构，各个伸缩杆均包括多个伸缩段，支撑部与各个伸缩杆中高度相对应的伸缩段相连，形成用于支撑晶圆的支撑位；驱动机构用于带动伸缩杆伸长或...
    2026-03-25
  • 基板处理装置及基板处理方法
    基板处理装置及基板处理方法_株式会社斯库林集团_202511007882.9
    提供能够降低对基板进行位置限制的销对处理带来的影响的基板处理装置及基板处理方法。在基板处理装置(100)中，在设于底板(11)的多个位置限制销(13)中包含静止销(13a)和滑动销(13b)。静止销在其配置于限制位置(P2)的状态下，与基板...
    2026-03-25
  • 一种集成埋置场效应晶体管的高密度印制电路板封装装置
    一种集成埋置场效应晶体管的高密度印制电路板封装装置_湖南维胜科技电路板有限公司_202511862234.1
    本发明公开了一种集成埋置场效应晶体管的高密度印制电路板封装装置，涉及电路板封装的技术领域，包括底板，底板上表面安装有两个转动件，两个转动件之间安装有联动件，两个转动件远离底板的一端安装有输入件和输出件，输入件和输出件滑动接触，底板上方设置有...
    2026-03-25
  • 晶圆吸盘结构及等离子体刻蚀设备
    晶圆吸盘结构及等离子体刻蚀设备_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411268265.X
    本发明提供一种晶圆吸盘结构及等离子体刻蚀设备。晶圆吸盘结构的上表面用于承载晶圆，其内设有用于向晶圆下方输送冷却气体的气体通道，其特征在于，沿冷却气体的输送方向上，气体通道包括相连通的第一区段和第二区段，第二区段形成于晶圆吸盘结构的上表面，第...
    2026-03-25
  • 一种热压键合头及热压键合装置
    一种热压键合头及热压键合装置_上海骄成半导体设备技术有限公司_202511882673.9
    一种热压键合头及热压键合装置，属于焊接领域。热压键合头包括热电制冷元件，热电制冷元件包括第一元件与第二元件。其中，热压键合头的焊头、加热器、第一元件、吸嘴依次沿轴向连接，对第一元件施加正向电压时第一元件在加热器一侧吸热在吸嘴一侧放热；第二元...
    2026-03-25
  • 一种配合机械手卡爪的晶圆边缘吸附贴膜盘
    一种配合机械手卡爪的晶圆边缘吸附贴膜盘_幂帆科技(南通)有限公司_202511910337.0
    本发明涉及半导体晶圆贴膜设备领域，尤其涉及晶圆吸盘，具体提供一种配合机械手卡爪的晶圆边缘吸附贴膜盘，其特征在于：该贴膜盘的吸附侧外周边缘形成有向上凸设的并用于支撑晶圆的支撑部，该支撑部表面形成有端部气孔，端部气孔与贴膜盘内部的气道连通。本发...
    2026-03-25
  • 一种用于芯片非接触转移的拾取与翻转一体化装置及方法
    一种用于芯片非接触转移的拾取与翻转一体化装置及方法_华中科技大学_202610184020.1
    本发明公开了一种用于芯片非接触转移的拾取与翻转一体化装置及方法，包括旋流拾取模块、偏转模块、翻转机构模块、测试表征模块、Z轴位移模块以及机架；旋流拾取模块设置于偏转模块上，偏转模块用于带动旋流拾取模块绕相应轴线进行微角度偏转；偏转模块设置于...
    2026-03-25
  • 一种晶圆吸附载盘
    一种晶圆吸附载盘_研微(江苏)半导体科技有限公司_202610205953.4
    本申请提供了一种晶圆吸附载盘，包括：第一盘体，所述第一盘体包括沿周向设置的密封部和相互独立设置的多个凹槽，所述密封部在径向上位于所述多个凹槽的外部，所述多个凹槽在所述第一盘体的周向上均匀分布；其中，每个凹槽包括径向延伸的第一凹槽和周向延伸的...
    2026-03-25
  • 监控离子注入状态的测试结构及方法
    监控离子注入状态的测试结构及方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411288592.1
    本发明提供一种监控离子注入状态的测试结构及方法，测试结构包括：衬底，衬底内形成有阱区；浅沟槽隔离结构，位于衬底内以隔离出有源区；至少两条栅极，位于衬底上，且相邻栅极之间的间距由大到小变化；源漏区或轻掺杂区，位于相邻栅极之间的衬底内；两排接触...
    2026-03-25
  • 集成电路中结构缺陷的检测
    集成电路中结构缺陷的检测_意法半导体国际公司_202511193790.4
    本公开涉及集成电路中结构缺陷的检测。一种电子系统，包括：集成电路，包括：半导体衬底、互连部分以及接触焊盘，互连部分位于所述衬底上方并且具有嵌入在电绝缘区域中的金属层级、通孔和接触层级，接触焊盘位于所述互连部分的最后金属层级处；以及检测系统，...
    2026-03-25
  • 晶圆振动检测方法、设备及存储介质
    晶圆振动检测方法、设备及存储介质_深圳优艾智合机器人科技有限公司_202511490767.1
    本申请提供一种晶圆振动检测方法、设备及存储介质，属于半导体制造领域，该方法包括：在运输晶圆盒过程中，获取传感器采集的仿真晶圆的第一运动数据；获取真实晶圆的参数信息，并根据参数信息对第一运动数据进行补偿处理，得到真实晶圆的第二运动数据；根据第...
    2026-03-25
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