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最新专利技术
  • 一种铝掺杂氧化物薄膜及其制备方法
    一种铝掺杂氧化物薄膜及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511864403.5
    本发明公开一种铝掺杂氧化物薄膜及其制备方法，涉及纳米薄膜材料制备技术领域，用于解决现有技术中高介电常数材料在高温退火后易晶化导致漏电流增大、界面特性劣化以及等离子体工艺引入结构损伤的问题。包括：在预设工艺温度下，对金属前驱体进行交替脉冲输送...
    2026-03-19
  • 具有凹陷的栅极的半导体装置及其制造方法
    具有凹陷的栅极的半导体装置及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510289902.X
    本申请提供半导体装置及其制造方法。半导体装置包含基底，包含第一周边区和第二周边区；多个凹陷的栅极，分别包含位于第一周边区内且包含U形剖面轮廓的凹陷的栅极介电层，位于凹陷的栅极介电层上且包含谷形剖面轮廓从而形成第一谷的凹陷的栅极底导电层，顺应...
    2026-03-19
  • 半导体器件及半导体器件的制造方法
    半导体器件及半导体器件的制造方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511727707.7
    本申请公开了半导体器件及半导体器件的制造方法，该器件的第一介质层覆盖衬底的第一表面的部分区域；栅极结构覆盖第一介质层；第一侧墙覆盖在栅极结构的两侧且位于第一介质层上；第二侧墙覆盖第一侧墙和第一介质层的两侧，并与衬底的第一表面接触。第一介质层...
    2026-03-19
  • 功率模块及具有其的电力装置
    功率模块及具有其的电力装置_北京怀柔实验室_202610164730.8
    本发明提供了一种功率模块及具有其的电力装置，其中，功率模块包括：半桥组件，第一导电板设置在基板上，第一芯片具有第一电极部和第二电极部，第二芯片具有第三电极部和第四电极部，第一芯片设置在第一导电板上，第一电极部与第一导电板连接；直流正极端子包...
    2026-03-19
  • 无源电子器件
    无源电子器件_意法半导体国际公司_202511196012.0
    本公开涉及无源电子器件。本公开涉及一种包括堆叠的集成无源电子器件，该堆叠从支撑件的顶面开始依次是绝缘层、金属层和由电绝缘材料制成的钝化层，钝化层涂覆金属层的顶面和侧部，其中在金属层与钝化层之间的金属层的顶部边缘上形成由与钝化层的材料不同的另...
    2026-03-19
  • 半导体装置中的去耦电容器和其形成方法
    半导体装置中的去耦电容器和其形成方法_德州仪器公司_202511226927.1
    本公开涉及半导体装置中的去耦电容器和其形成方法。所述半导体装置包含安置在衬底上方并具有第一导电类型的埋入式半导体层(110)、安置在所述埋入式半导体层上方并具有相反的第二导电类型的外延层(112)、延伸穿过所述外延层、所述埋入式半导体层并进...
    2026-03-19
  • 融合忆阻器的新型场效应晶体管及其制备方法
    融合忆阻器的新型场效应晶体管及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511585995.7
    本发明提供一种融合忆阻器的新型场效应晶体管及其制备方法，属于集成电路微纳电子器件技术领域，融合忆阻器的新型场效应晶体管包括：衬底；栅电极，位于衬底上；栅介质层，位于栅电极上；漏电极，位于栅介质层上；沟道层，位于漏电极上；源电极和第一忆阻电极...
    2026-03-19
  • 一种集成沟槽型碳化硅晶体管及其制备方法
    一种集成沟槽型碳化硅晶体管及其制备方法_重庆伟特森电子科技有限公司_202511868308.2
    本发明属于半导体技术领域，公开了一种集成沟槽型碳化硅晶体管及其制备方法，结构包括碳化硅MOSFET元胞结构，MOSFET元胞结构包括碳化硅半导体薄膜、MOSFET结构及至少一个二极管集成结构；碳化硅半导体薄膜自下而上依次包括碳化硅衬底、碳化...
    2026-03-19
  • 一种高性能功率器件及制备方法
    一种高性能功率器件及制备方法_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511873514.2
    本发明公开了一种高性能功率器件及制备方法，涉及半导体器件领域，该方法包括半导体基板以及制备于半导体基板中心区的有源区，有源区内包括若干并列分布的沟槽型元胞；沟槽型元胞包括沟槽栅结构及屏蔽结构，屏蔽结构包括设置于沟槽栅结构一侧的屏蔽沟槽、填充...
    2026-03-19
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511867496.7
    本申请提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底内形成隔离结构、漂移区与体区；在高压器件区形成高压栅氧化层；在中压器件区形成中压栅氧化层，同时在高压器件区的隔离结构内形成凹槽；形成栅极材料层；对栅极材料层进行图形化，形成...
    2026-03-19
  • 一种基于超快激光直写的二维环栅晶体管掺杂方法及CMOS器件
    一种基于超快激光直写的二维环栅晶体管掺杂方法及CMOS器件_广西大学_202511901817.0
    本发明公开了一种基于超快激光直写的二维环栅晶体管掺杂方法及CMOS器件，属于微电子器件制造与先进半导体技术领域。该方法包括：提供制备有二维半导体材料环栅晶体管阵列的衬底；在环栅晶体管表面构建气相或液相掺杂环境；采用超快激光加工系统对选定沟道...
    2026-03-19
  • 一种内置高频截止环的输入端晶体管及其制备方法
    一种内置高频截止环的输入端晶体管及其制备方法_杭州致善微电子科技有限公司_202610166024.7
    本发明公开了一种内置高频截止环的输入端晶体管及其制备方法。晶体管包括由下到上依次设置的衬底、外延层和绝缘层，衬底和外延层之间具有埋层，外延层内具有呈圆柱形的第一掺杂区，第一掺杂区内的上部具有发射区，发射区的上部设置电容介质，第一掺杂区的与电...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411817670.2
    本发明的实施方式涉及半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括半导体层和二极管。半导体层包括设置有半导体元件的元件区域以及沿着第一面位于元件区域的周围的外周区域。二极管隔着绝缘层设置于外周区域之上，含有多晶硅。二极管包括第一导电型的第一半导体...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510697981.8
    一种半导体装置包括：基底；双向晶体管、以及电连接到双向晶体管的多个二极管元件，并且双向晶体管包括主沟道层、主势垒层、第一栅电极和第二栅电极、主势垒层与第一栅电极之间的第一栅极半导体层、主势垒层与第二栅电极之间的第二栅极半导体层、第一栅电极与...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511190290.5
    本发明得到即使较高的电压施加到N型高电位区域也能进行调整以使得二极管的阴极电压成为适当电压的半导体装置。半导体装置(51)包括选择性设置在N型高耐压分离区域(2)的上层部的N型半导体区域(21和22)、及选择性设置在N型高耐压分离区域(2)...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_三垦电气株式会社_202511207177.3
    提供半导体装置，其具备：n型的第一半导体区域(11)，其形成在p型的半导体基板(10)的表面侧，成为流过开关元件和保护元件的电流的共同的路径；n型的公共接触区域(12)，其以高杂质浓度形成在第一半导体区域之上，与兼作第一主电极和保护元件侧第...
    2026-03-19
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510433930.4
    示例半导体器件可以包括：彼此交叠的第一半导体图案和第二半导体图案；栅电极，所述栅电极包括位于所述第一半导体图案和所述第二半导体图案之间的电极部分；内间隔物，所述内间隔物接触所述第一半导体图案的顶表面和所述第二半导体图案的底表面；二维层，所述...
    2026-03-19
  • 集成电路装置
    集成电路装置_三星电子株式会社_202511081667.3
    一种集成电路装置包括：有源区域，其在衬底上在第一方向上纵向地延伸；栅极结构，其包括在有源区域上在与第一方向垂直的第二方向上纵向地延伸的栅极线、高电介质层和界面电介质层；纳米片，其布置在有源区域的鳍上表面上并且接触栅极结构；源极/漏极区域，其...
    2026-03-19
  • 具有混合架构的自对准栅极切口
    具有混合架构的自对准栅极切口_英特尔公司_202511107616.3
    本文涉及一种具有混合架构的自对准栅极切口。本文提供了用于形成半导体器件的技术，该半导体器件包括在相邻器件之间具有混合架构的一个或多个自对准栅极切口。在示例中，半导体器件包括围绕或以其它方式在半导体区域(也称为沟道区域)上的栅极结构。栅极结构...
    2026-03-19
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_世界先进积体电路股份有限公司_202411185263.4
    本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括一衬底、位于衬底上方的一外延层、位于衬底中或外延层中的一隔离层、以及在外延层中向下延伸并与前述隔离层连接的深沟槽隔离件。隔离层位于半导体结构的第二区域中，但不延伸至半导体结构的第一区域...
    2026-03-19
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