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最新专利技术
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511271706.6
    一种半导体器件可以包括：位线，在第一水平方向上延伸；多个垂直沟道图案，在位线上并在第一水平方向上彼此分隔开；两条字线，在所述多个垂直沟道图案中的相邻的垂直沟道图案之间在第二水平方向上延伸，第二水平方向与第一水平方向相交；多个接触插塞，接触所...
    2026-03-19
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411206259.1
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，半导体器件包括：沿着垂直于衬底的方向堆叠的多个超晶格结构；沿着垂直于衬底的方向相邻的任意两个超晶格结构分别为靠近衬底的下超晶格结构和远离衬底的上超晶格结构；超晶格结构包括多个存储单元...
    2026-03-19
  • 半导体装置及其制备方法、存储器系统
    半导体装置及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411246734.8
    本申请实施例提供了一种半导体装置及其制备方法、存储器系统。该半导体装置包括存储阵列结构以及位于该存储阵列结构在第一方向上的一侧的外围电路结构。外围电路结构包括半导体器件、导电层以及焊盘结构。导电层位于位于半导体器件背离存储阵列结构的一侧，焊...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_铠侠股份有限公司_202510100437.0
    本发明提供一种能够实现高集成化的半导体装置。本发明的半导体装置具备多个第1电阻元件、绝缘层及多个第2电阻元件。多个第1电阻元件包含：多个扩散层，设置在半导体衬底的主面侧，在与半导体衬底的主面平行的第1方向延伸，在与半导体衬底的主面平行且与第...
    2026-03-19
  • 具有传输晶体管电路的存储器装置
    具有传输晶体管电路的存储器装置_爱思开海力士有限公司_202510374392.6
    本公开涉及一种具有传输晶体管电路的存储器装置，包括：衬底，衬底上设置有在第一水平方向上彼此相邻的第一有源区域和第二有源区域。第一传输晶体管设置在衬底上，并具有在第一水平方向上横跨第一有源区域的第一栅极电极，第二传输晶体管设置在衬底上，并具有...
    2026-03-19
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202511056845.7
    一种半导体存储器装置包括：模制结构，包括多个栅电极；栅电极切割图案，通过沿着平面切割所述多个栅电极将模制结构分离为多个块；多个第一电容器结构，在第一块内穿透模制结构，多个第二电容器结构，第一块是所述多个块中的至少一个块；多个第二电容器结构，...
    2026-03-19
  • 半导体器件及其制造方法、存储器系统
    半导体器件及其制造方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411239511.9
    本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器系统。该半导体器件包括第一堆叠结构、第一绝缘结构以及选择栅切线结构。第一堆叠结构包括交替设置的介电层和栅极层，栅极层包括第一栅极层和位于第一栅极层一侧的第二栅极层；第一绝缘结构穿过第一栅极...
    2026-03-19
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510185352.7
    驱动速度提高的半导体存储装置具备：跨过沿X方向排列的第一及第二区域设置的第一布线层；在Z方向上与第一布线层分离地排列的第二布线层；在相对于第二布线层与第一布线层相反的一侧，在Z方向上相互分离地设置的多个第三布线层；在Y方向上排列，各自沿X方...
    2026-03-19
  • 存储器装置的制造方法
    存储器装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510444832.0
    本申请涉及存储器装置的制造方法。一种制造存储器装置的方法包括以下步骤：形成贯穿层叠结构的开口；形成包括第一部分和第二部分的沟道层，其中，所述第一部分在所述层叠结构的上表面上延伸，并且所述第二部分在所述开口的内侧表面上延伸；在所述沟道层的第一...
    2026-03-19
  • 半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统
    半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统_三星电子株式会社_202510966274.4
    提供了一种半导体装置和一种数据存储系统。该半导体装置包括：栅电极，其在第一方向上堆叠并且在第二方向上延伸；沟道结构，其在第一方向上延伸到栅电极中；接触插塞，其在第一方向上延伸并且分别电连接到栅电极；以及接触衬里层，其分别位于接触插塞的侧表面...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202511019017.6
    一种半导体装置包括：栅电极结构，包括在与基底的上表面垂直的第一方向上彼此间隔开的栅电极；绝缘图案，设置在栅电极之间；第一电容器电极，在第一方向上延伸穿过栅电极结构和绝缘图案，第一电容器电极包括金属；介电图案，在第一电容器电极的侧壁上；以及第...
    2026-03-19
  • 存储器结构及其形成方法
    存储器结构及其形成方法_上海复旦微电子集团股份有限公司_202411259997.2
    一种存储器结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；位于所述衬底上的若干隔离层和若干字线栅层，所述隔离层和所述字线栅层依次交替堆叠，所述字线栅层位于相邻的所述隔离层之间；位于所述隔离层和所述字线栅层侧壁的电荷俘获层；位于所述电荷俘获层侧壁的沟道...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_铠侠股份有限公司_202510215060.3
    本发明提供一种半导体装置。第1绝缘体及第2绝缘体在第1方向上具有间隔地排列。存储柱在第1方向上延伸并贯穿第1绝缘体及第2绝缘体。第3绝缘体在第1绝缘体的面上、第2绝缘体的面上以及存储柱的面中的第1绝缘体与第2绝缘体之间的第1部分上遍及。第3...
    2026-03-19
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510273677.0
    本发明提高半导体存储装置的成品率。实施方式的半导体存储装置具备：多个配线层及多个第1绝缘膜，在第1方向交替积层；存储器柱，在第1方向延伸，通过多个配线层及多个第1绝缘膜，这里，存储器柱具有在第1方向延伸的半导体、设置在半导体与多个配线层及多...
    2026-03-19
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510275010.4
    本发明提供一种半导体存储装置，其能提高良率。一实施方式的半导体存储装置具备：衬底；积层体，配置在第1方向上的衬底的上方；第1导电体层，配置在衬底与积层体之间；存储器柱，包含半导体膜，在第1方向上延伸，贯通第1导电体层；及第1部件，在与第1方...
    2026-03-19
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_铠侠股份有限公司_202510281483.5
    提供一种能够更恰当地进行构造的测量的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备构造体和遮光部。遮光部在用于被照射测量光而测量构造体的构造的测量部位处，设置在比构造体更靠被照射的测量光的行进方向侧的位置，遮挡测量光。遮光部具有2层以上...
    2026-03-19
  • 一种芯片中高深宽比结构ALD盖层的制备方法、预处理及分析方法
    一种芯片中高深宽比结构ALD盖层的制备方法、预处理及分析方法_洪启集成电路(珠海)有限公司_202511550184.3
    本申请涉及一种芯片中高深宽比结构ALD盖层的制备方法、预处理及分析方法，该方法对刻蚀后的具有高深宽比结构的芯片进行真空低温加热处理；对经真空低温加热处理的芯片进行原子层沉积，在芯片的高深宽比结构外包覆ALD盖层。有效解决现有采用湿法清洗和/...
    2026-03-19
  • 铁电场效应晶体管、三维铁电存储器及其制备方法和操作方法
    铁电场效应晶体管、三维铁电存储器及其制备方法和操作方法_中国科学院微电子研究所_202411213506.0
    本申请提出一种铁电场效应晶体管、三维铁电存储器及其制备方法和操作方法，该铁电场效应晶体管和三维铁电存储器的结构，均包括叠层上界面层、铁电层以及下界面层，叠层上界面层均包括隧穿层、电荷俘获层以及阻挡层。施加外加电压后，由于铁电层存在铁电强化，...
    2026-03-19
  • 存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法
    存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法_美光科技公司_202510874858.9
    本公开涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。一种方法包含形成支柱，支柱从衬底向上突出且包括导电掺杂单晶半导电材料。支柱包括正在形成的存储器电路系统的个别存储器单元的晶体管的一个源极/漏极区抑或另一源极/漏极区。从支柱的顶部及侧壁...
    2026-03-19
  • 一种芯片及存储器、电子设备
    一种芯片及存储器、电子设备_华为技术有限公司_202411248005.6
    本申请提供一种芯片及存储器、电子设备，属于存储领域。该芯片包括，衬底；形成在所述衬底上的多个存储单元，多个存储单元包括铁电电容，铁电电容包括：第一电极、第二电极、铁电层；填充结构，填充结构的材料具有负热膨胀系数；填充结构设置在铁电电容的一侧...
    2026-03-19
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