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控制压摆率的存储器装置及其方法
本发明提供一种控制压摆率的存储器装置及其方法。存储器装置包括存储阵列、压摆率控制电路以及输出级电路。存储阵列提供数据信号。压摆率控制电路包括多个预驱动器。压摆率控制电路获得ZQ校准信号,依据ZQ校准信号调整压摆率控制电路中预驱动器各自的驱动...
具有背侧连接的双侧存储器阵列
本公开涉及具有背侧连接的双侧存储器阵列。本文的公开涉及一种装置,其包括存储器芯片、另一存储器芯片、以及在该存储器芯片与该另一存储器芯片之间的电路芯片,其中,该电路芯片通过不同的连接被连接到该存储器芯片和该另一存储器芯片。该存储器芯片可以包括...
一种信号预均衡电路与电子芯片
本申请提出一种信号预均衡电路与电子芯片,涉及内存接口技术领域。包括驱动器模块,其输入端接收输入数据信号,其输出端耦接至输出节点;均衡控制模块,其输入端接收输入数据信号,并被配置为响应于输入数据信号的跳变,生成对应的控制脉冲;预均衡模块,耦接...
一种存储单元以及内容寻址存储器
本申请提供一种存储单元以及内容寻址存储器,存储单元包括:写单元、搜索单元和读单元,本申请提供的存储单元中的写单元内部集成两个独立的写端口,避免了在写单元外部设置复杂的多路复用器,减少了芯片的面积占用,此外,写单元降低了动态功耗,通过在每个写...
存储系统以及控制非易失性存储器的方法
提供能够削减需要保持的数据的大小的存储系统以及控制非易失性存储器的方法。存储系统的控制器在对第1串单元的存储单元执行第1写入处理之后,对第1串单元的与第k字线连接着的存储单元执行第3编程动作。控制器执行对与第2串单元连接着的存储单元的第2写...
存储器装置
一种存储器装置包括:存储器单元阵列,其具有在第一方向上延伸的字线和在与第一方向相交的第二方向上延伸的位线;局部输入/输出线,其将通过选择的位线传输的电位传输到位线读出放大器;输入/输出门区域,其包括连接到位线和对应的局部输入/输出线的第一列...
存储装置
公开了一种存储装置,包括:第一封装件,包括第一裸片;第二封装件,包括第二裸片;第一芯片使能(CE)信号线,被第一封装件和第二封装件共同连接到;第一命令信号线,被第一封装件和第二封装件共同连接到;以及控制器,被配置为:通过将CE信号施加到第一...
存储器及其操作方法、和存储系统
本申请实施方式提供了一种存储器、存储器的操作方法和存储系统,其中,存储器包括沿第一方向排布的第一叠层结构、源极层和第二叠层结构;第一叠层结构包括多个第一存储单元和第一选择晶体管,第一选择晶体管位于第一存储单元和源极层之间并与第一选择线耦合;...
存储装置及其操作方法
本申请提供了一种存储装置和操作该存储装置的方法。具有改进擦除性能的存储器控制器可以包括状态信息存储装置和操作控制器。状态信息存储装置可以被配置为存储存储块或存储器控制器的状态信息。操作控制器可以被配置为基于状态信息确定对存储块进行的擦除操作...
存储器装置及其操作方法
提供了存储器装置以及操作存储器装置的方法。存储器装置包括:存储器单元阵列,其包括设置在第一层中的第一串、以及设置在第二层中的第二串,第二层堆叠在第一层上;页缓冲器电路,其包括与第一层的第一串对应的第一页缓冲器和与第二层的第二串对应的第二页缓...
存储装置的操作方法、存储系统以及存储系统的操作方法
提供一种存储装置的操作方法、一种包括存储装置的存储系统的操作方法以及一种存储系统。所述存储系统可以包括:存储装置,其包括存储单元阵列,在存储单元阵列中将每对相邻的存储单元的有源区形成为彼此面对,存储单元阵列包括多个存储单元;控制器,其控制所...
一种NAND存储器读取电路
本发明涉及数据交互技术领域,提出了一种NAND存储器读取电路,包括:预充电路,使NAND存储器预充电压至第一高电压或第一低电压;NAND存储器,读取当前周期对应的预充电路的第一电压信号和乒乓泄放通路的第二电压信号,并控制整个电路进入充电状态...
一种存储器的数据读取方法、存储设备和存储介质
本申请提供一种存储器的数据读取方法、存储设备和存储介质,该存储器的数据读取方法包括:对编程单元进行读取操作,以得到目标数据;根据目标数据的位翻转信息,确定对应的失败比特计数异常类型;其中,失败比特计数异常类型包括由读取电压偏移导致的第一类异...
一种存储器、存储器的操作方法及存储器系统
本申请提供了一种存储器、存储器的操作方法及存储器系统,涉及半导体芯片技术领域。该存储器包括存储阵列和外围电路,外围电路包括页缓冲器,页缓冲器通过位线与存储阵列耦接。页缓冲器包括感测节点、第一锁存器电路以及充放电电路。其中,第一锁存器电路耦接...
存储器装置及用以调整信号传输的方法
存储器装置包括堆叠存储器、多个导通孔以及存储器控制器。堆叠存储器包括多个存储器芯片。每个存储器芯片包括至少一个存储单元阵列、芯片识别装置以及信号路径开关。芯片识别装置耦合到至少一存储单元阵列。信号路径开关耦接至芯片识别装置。导通孔穿透堆叠存...
用于处理针对存内计算装置的校验和的方法和设备
用于处理针对例如用于执行向量矩阵乘法的存内计算装置的校验和的方法、例如计算机实现的方法,其包括:确定所述存内计算装置的至少一个校验和,通过检查装置检查所述至少一个校验和。
纠错码电路、存储器件以及包括该存储器件的存储器系统
公开了一种存储器件,该存储器件包括:输入/输出电路,从存储器控制器接收第一数据和第一奇偶校验数据;ECC编码器,基于第一数据生成奇偶校验检查数据;校验子生成器,基于奇偶校验检查数据和第一奇偶校验数据生成校验子;错误向量生成器,基于校验子执行...
执行存储器访问操作和修复操作的存储器装置
本公开涉及执行存储器访问操作和修复操作的存储器装置。一种存储器装置,包括设置在基础芯片之上的存储芯片。基础芯片包括高速缓存存储器和修复控制电路,高速缓存存储器被配置为在第一存储器访问操作期间在第一访问数据中发生故障时,存储第一访问地址和第一...
一种高密度NAND存储介质自适应修复方法
本申请公开了一种高密度NAND存储介质自适应修复方法,该方法包括:主控芯片从含有随机物理噪声的原始读取数据中,分离出表征存储单元真实老化趋势的目标特征向量;主控芯片利用全整型递归预测模型对目标特征向量进行推演,得到存储单元在未来预设时间段的...
NAND读取电压轴预测结果验证方法及装置
本申请公开了一种NAND读取电压轴预测结果验证方法及装置,方法包括采集不同类型的NAND闪存的工况参数,按RET间隔对采集的历史工况参数进行处理,形成时间序列数据集;基于时间序列数据集,计算相邻时间点的电压轴变化的历史斜率;采用滑动窗口机制...
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