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最新专利技术
  • 一种热管理系统及控制方法
    一种热管理系统及控制方法_势加透博(成都)科技有限公司_202610121220.2
    本申请提供了一种热管理系统及控制方法，本申请涉及算力中心的热管理技术领域，热管理系统用于对算力中心的待冷却件散热，包括相变介质换热回路及冷却液换热回路，相变介质换热回路包括依次连接的膨胀机、第一换热器及气液分离器，相变介质换热回路能够与待冷...
    2026-03-10
  • 一种弱电安防的温控型机柜冷却方法及系统
    一种弱电安防的温控型机柜冷却方法及系统_湖南丰皓科技有限公司_202610123952.5
    本发明涉及机柜热管理技术领域，公开了一种弱电安防的温控型机柜冷却方法及系统。该方法包括采集机柜内部温度并构建带时间戳的温度序列；依据该序列及机柜布局坐标构建当前三维热分布图；将热分布图输入基于材料热属性与流体动力学参数的热传导模拟单元，运算...
    2026-03-10
  • 用于线缆的屏蔽装置
    用于线缆的屏蔽装置_中国科学院近代物理研究所_202511426802.3
    本发明涉及电磁屏蔽技术领域，特别是涉及一种用于线缆的屏蔽装置。屏蔽装置包括：软带，所述软带平整展开的形状为矩形；金属丝网，与所述软带的侧面贴合设置；第一磁性件，沿着所述软带的一个长侧边延伸并且与所述软带固定连接；第二磁性件，用于磁吸连接所述...
    2026-03-10
  • 耐空间环境电磁波吸收剂及其制备方法
    耐空间环境电磁波吸收剂及其制备方法_南京南大波平电子信息有限公司_202511602935.1
    本发明提供一种耐空间环境电磁波吸收剂，该电磁波吸收剂的组分至少包含铁质颗粒和偶联剂；其中，所述铁质颗粒为经过冷加工处理制成的片状结构铁粉，且所述片状结构铁粉的表面依次经过氧化处理、偶联剂表面改性处理，形成由四氧化三铁(Fe33O44)层和S...
    2026-03-10
  • 一种电磁屏蔽材料及其制备方法和应用
    一种电磁屏蔽材料及其制备方法和应用_宁波磁性材料应用技术创新中心有限公司_202511673195.0
    本发明公开了一种电磁屏蔽材料及其制备方法和应用，该材料包括：透明导电的ITO薄膜基底；分别位于ITO薄膜基底的上表面和下表面的周期性纳米晶像素阵列；所述周期性纳米晶像素阵列由多个纳米晶单元按特定图案排列构成，且上下表面的纳米晶单元图案互补，...
    2026-03-10
  • 一种承重骨架与屏蔽面板集成式电磁屏蔽室
    一种承重骨架与屏蔽面板集成式电磁屏蔽室_浙江智胜自动化工程有限公司_202511874372.1
    本发明涉及电磁屏蔽室技术领域，公开了一种承重骨架与屏蔽面板集成式电磁屏蔽室，包括第一结构性屏蔽单元和第二结构性屏蔽单元，第一结构性屏蔽单元和第二结构性屏蔽单元交替设置，第一结构性屏蔽单元包括第一承重框架，第二结构性屏蔽单元包括第二承重框架，...
    2026-03-10
  • 用于电磁兼容测试的电缆转接屏蔽装置
    用于电磁兼容测试的电缆转接屏蔽装置_北京卫星环境工程研究所_202511901117.1
    本申请提供一种用于电磁兼容测试的电缆转接屏蔽装置，设置于暗室与电测室之间的屏蔽墙上，包括：暗室外转接箱、暗室内转接箱以及转接线缆。暗室外转接箱进一步包括外转接箱体、外转接箱门以及外接插件基板，其中，所述外转接箱门与所述外转接箱体的接触部位设...
    2026-03-10
  • 一种断股机器人用双体密封机箱的电磁屏蔽设计方法
    一种断股机器人用双体密封机箱的电磁屏蔽设计方法_国网湖北省电力有限公司超高压公司_202511968280.X
    一种断股机器人用双体密封机箱的电磁屏蔽设计方法，旨在解决断股机器人在强电磁环境作业时内部电气元件易受干扰的问题，该方法首先基于屏蔽效果优化箱体结构，采用全密封设计并严格控制圆形开孔数量，将箱体拆分为左右双体并设置可开合式盖板；其次开展电屏蔽...
    2026-03-10
  • 一种储能变流器、储能系统及用电设备
    一种储能变流器、储能系统及用电设备_浙江晶科储能有限公司_202610113763.X
    本申请涉及储能技术领域，尤其涉及一种储能变流器、储能系统及用电设备。储能变流器包括外壳、屏蔽板、功率模组和吸波模块，屏蔽板接地，功率模组至少包括功率板和开关管。屏蔽板将外壳围成的容纳腔分隔为第一腔体和第二腔体，将功率模组安装于第一腔体内，屏...
    2026-03-10
  • 一种半导体纳米银预烧结贴片定位装置
    一种半导体纳米银预烧结贴片定位装置_格润智能装备(深圳)有限公司_202610067242.5
    本发明涉及贴片技术领域，具体涉及一种半导体纳米银预烧结贴片定位装置，包括底座和数显控制面板，所述底座上设有支架，所述支架上转动设有翻转工作台，所述支架上设有用于对翻转工作台转动驱动的翻转驱动组件，所述翻转工作台的两侧分别开设有一组定位料槽，...
    2026-03-10
  • 一种DIP封装器件成型工装
    一种DIP封装器件成型工装_北京航天光华电子技术有限公司_202511996120.6
    本发明公开了一种DIP封装器件成型工装，包括：工装底座、模块化成型单元和物料管固定架；其中，模块化成型单元安装于工装底座顶面中部；物料管固定架可拆卸安装于工装底座顶面边缘。本发明所述DIP封装器件成型工装，通过模块化成型单元和物料管固定架的...
    2026-03-10
  • 一种多辅料自动化贴膜组装生产线及工艺方法
    一种多辅料自动化贴膜组装生产线及工艺方法_昆山科森科技股份有限公司_202511788074.0
    本发明公开了一种多辅料自动化贴膜组装生产线，包括底座，底座的顶部一端等距设置有钢件料仓，钢件料仓的上方一侧设置有第一X轴直线电机，第一X轴直线电机的输出端设置有第一上料吸盘。本发明涉及电子元件生产设备技术领域，通过采用双料仓上料和多视觉对位...
    2026-03-10
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511583219.3
    本公开的实施例公开了一种半导体结构，包括背侧金属线以及背侧接触件结构，所述背侧接触件结构包括设置在背侧金属在线的条状部分、从条状部分延伸的第一通孔、从条状部分延伸的第二通孔、以及设置在第一通孔与第二通孔之间的突起物。所述半导体结构还包括位于...
    2026-03-10
  • 半导体器件的制备方法及半导体工艺设备
    半导体器件的制备方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511696482.3
    本申请提供了一种半导体器件的制备方法及半导体工艺设备，属于半导体技术领域，该制备方法先同步形成第一沟槽和第二沟槽，再形成保护层，由于第一沟槽的宽度小于第二沟槽的宽度，保护层填充第一沟槽时仅会覆盖第二沟槽的内壁，可以实现去除第二沟槽内的保护层...
    2026-03-10
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511809133.8
    一种半导体结构包括第一介电层、第二介电层、着陆垫以及接触栓塞。第二介电层设置在第一介电层上。第一介电层具有顶表面接触第二介电层，且顶表面为不平整顶表面。着陆垫埋设于第一介电层中。接触栓塞贯穿第二介电层且第一介电层的一部分直接接触接触栓塞。此...
    2026-03-10
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511875163.9
    一种半导体结构包括基板以及字元线结构。基板包括源极/漏极区域。字元线结构设置在基板中且邻近源极/漏极区域。字元线结构包括字元线金属层、覆盖层、第一密封层以及第一气隙。覆盖层设置在字元线金属层上。第一密封层设置在字元线金属层与覆盖层之间。第一...
    2026-03-10
  • 三维存储器及其制备方法
    三维存储器及其制备方法_长江存储科技有限责任公司_202511685985.0
    本公开提供了一种三维存储器及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在提升三维存储器的良品率。所述制备方法包括：制备半导体结构；去除第二介质层中覆盖栅线缝隙的侧壁的部分；在栅线缝隙内形成填充结构；去除衬底；在叠层结构的去除衬底的一侧形成源极层...
    2026-03-10
  • 一种5层DDR芯片堆叠封装方法
    一种5层DDR芯片堆叠封装方法_江苏华创微系统有限公司_202512024539.1
    本发明公开了一种5层DDR芯片堆叠封装方法，包括如下步骤：S1、选用六层基板，将五颗芯片进行错位堆叠；S2、将键合焊线通过左右打线的方式分别将每颗芯片连接到基板L1，基板间设置有板间走线并连接焊球，形成信号的扇出路径；S3、将端接电阻设置于...
    2026-03-10
  • 一种肖特基二极管及其制备方法
    一种肖特基二极管及其制备方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202511791693.5
    本发明提供一种肖特基二极管及其制备方法，制备方法包括步骤：提供生长有第一导电类型外延层的第一导电类型衬底，形成图形化的第一硬掩膜层，基于第一硬掩膜层形成第二导电类型的第一有源注入区、第二导电类型的第一终端注入区及第二导电类型的第一过渡注入区...
    2026-03-10
  • 肖特基二极管
    肖特基二极管_珠海格力电子元器件有限公司_202511163055.9
    本申请提供了一种肖特基二极管，包括衬底、第一掺杂区、多个第二掺杂区、连接区、外延层、第一金属层以及第二金属层，其中，外延层的掺杂类型和衬底的掺杂类型相同，第一掺杂区、连接区以及多个第二掺杂区位于外延层内，第一掺杂区的掺杂类型、连接区的掺杂类...
    2026-03-10
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