Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种基于直流电脉冲的钙钛矿薄膜退火方法和装置
    一种基于直流电脉冲的钙钛矿薄膜退火方法和装置_仁烁光能(苏州)有限公司_202512026805.4
    本申请涉及钙钛矿太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种基于直流电脉冲的钙钛矿薄膜退火方法和装置，所述方法包括：确定退火层以及加热层，在所述加热层的两端，分别粘贴引流条；其中，所述退火层与所述加热层为钙钛矿太阳能薄膜电池的不同结构层；通过所述引...
    2026-03-09
  • 一种可折叠钙钛矿组件的制备方法
    一种可折叠钙钛矿组件的制备方法_仁烁光能(苏州)有限公司_202512050890.8
    本发明属于太阳能电池技术领域，公开一种可折叠钙钛矿组件的制备方法，在制备时，首先将柔性衬底贴于刚性基底上，并在柔性衬底上沉积电池材质，以制得电池结构，之后根据设计方案清理折叠区域的电池材质，以将电池结构划分为多个电池部件，清理电池部件边缘区...
    2026-03-09
  • 一种钙钛矿薄膜、制备方法及应用
    一种钙钛矿薄膜、制备方法及应用_云南大学_202511756211.2
    本发明涉及光伏太阳能电池技术领域，公开了一种钙钛矿薄膜、制备方法及应用，所述钙钛矿薄膜是使用钙钛矿前驱体溶液采用一步旋涂法或两步沉积法制备，所述钙钛矿前驱体溶液包括2, 4‑噁唑烷二酮、合成ABX33晶体结构钙钛矿材料的原料、和溶剂。本发明...
    2026-03-09
  • 一种基于GOMxene柔性光热器件的制备方法与应用
    一种基于GOMxene柔性光热器件的制备方法与应用_长春工业大学_202511646848.6
    本发明涉及新能源材料与柔性器件技术领域，具体是一种基于GOMxene柔性光热器件的制备方法与应用, 该器件依次层叠光热层(GO与MXene质量比1 : 1～1 : 3)、Bi22Te33基热电层、PVA/BNNS复合水凝胶柔性基底层、碳布电...
    2026-03-09
  • 一种压电复合材料制备方法
    一种压电复合材料制备方法_台州学院_202511776373.2
    本发明公开了一种压电复合材料制备方法，包括：选取钛酸铅锆纳米粉体，配制成浓度为15wt%的聚合物溶液；将钛酸铅锆粉体分散于聚偏氟乙烯溶液中；采用流延工艺将浆料制成厚度约200μm的薄膜，得到复合薄膜坯体；在惰性气氛下与150℃保温1h，促进...
    2026-03-09
  • 具有电陶瓷的构件的装置
    具有电陶瓷的构件的装置_TDK电子股份有限公司_202511763246.9
    本发明涉及一种装置，其具有：电陶瓷的构件(1)，该电陶瓷的构件带有第一区域(2)和第二区域(3)；浇注料(11)，其至少部分包围电陶瓷的构件(1)；和套筒形的壳体(15)，其至少部分包围浇注料(11)，其中，该壳体(15)在包围在电陶瓷的构...
    2026-03-09
  • 一种二维非对称铁电隧道结及其设计方法和系统
    一种二维非对称铁电隧道结及其设计方法和系统_昆明理工大学_202511714272.2
    本发明公开了一种二维非对称铁电隧道结及其设计方法和系统，涉及半导体技术领域，二维非对称铁电隧道结包括：由Al22Se33/Cu22Se1‑x1‑xSxx(x=0.05‑0.15)异质结构成的左电极，由Al22Se33/Cu22Se1‑y1‑...
    2026-03-09
  • 一种二维稀土双钙钛矿材料在制备忆阻器中的应用
    一种二维稀土双钙钛矿材料在制备忆阻器中的应用_江西理工大学_202610051541.X
    本发明提供了一种二维稀土双钙钛矿材料在制备忆阻器中的应用，涉及忆阻器技术领域，所述二维稀土双钙钛矿材料的化学通式为(R3HQ)44CeRb(NO33)88；其中，所述(R3HQ)44CeRb(NO33)88为单斜晶系，极性点群为PP211；...
    2026-03-09
  • 一种基于氧等离子体修饰单壁碳纳米管薄膜的全光控人工突触器件及其制备方法
    一种基于氧等离子体修饰单壁碳纳米管薄膜的全光控人工突触器件及其制备方法_东北师范大学_202511748693.7
    本发明提供了一种基于氧等离子体修饰单壁碳纳米管薄膜的全光控人工突触器件及其制备方法，属于神经形态计算与微电子器件技术领域。所述器件采用Si/SiO22为衬底，Au为平面电极，单壁碳纳米管(SWCNT)薄膜为光电忆阻层。本发明通过氧等离子体处...
    2026-03-09
  • 一种离子阱芯片结构及制造方法
    一种离子阱芯片结构及制造方法_合肥幺正量子科技有限公司_202511760699.6
    本发明公开一种离子阱芯片结构及制造方法，所述结构包括半导体芯片、布线层以及离子阱的电极，所述离子阱的电极通过布线层与半导体芯片电连接。本发明将半导体芯片和离子阱集成在一起形成一个整体，大大缩小了离子阱量子计算系统体积，降低功耗，缩短信号传输...
    2026-03-09
  • 一种重构晶圆的方法及重构晶圆
    一种重构晶圆的方法及重构晶圆_湖北江城实验室_202511664278.3
    本申请实施例公开了一种重构晶圆的方法及重构晶圆。重构晶圆的方法包括：提供第一晶圆，第二晶圆。将第二晶圆键合于第一晶圆上。在第二晶圆内，形成多个凹槽；其中，凹槽贯穿第二晶圆，且暴露出第一晶圆。通过混合键合工艺，将芯粒键合于凹槽内的第一晶圆上。...
    2026-03-09
  • 一种提高碳化硅外延层质量的方法
    一种提高碳化硅外延层质量的方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202511798647.8
    本发明提供了一种提高碳化硅外延层质量的方法，包括以下步骤：A)在碳化硅衬底表面生长缓冲层和外延层；B)对外延层的外表面进行化学机械抛光减薄，去除胡萝卜缺陷；所述化学机械抛光的减薄量为0.2~100μm，抛光头的压力为8~12psi，抛光液的...
    2026-03-09
  • 改善LTO膜外观良率的集预处理洗净和存储一体的可靠性工艺
    改善LTO膜外观良率的集预处理洗净和存储一体的可靠性工艺_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511410897.X
    本发明涉及硅片加工技术领域，具体涉及改善LTO膜外观良率的集预处理洗净和存储一体的可靠性工艺，包括：在片盒内装入待SC‑1清洗的硅片，将NH44OH、H22O22、超纯水按体积比例配置两种SC‑1清洗液，使用SC‑1清洗液对硅片进行分段式清...
    2026-03-09
  • 多晶硅刻蚀方法及半导体工艺设备
    多晶硅刻蚀方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511686390.7
    本发明提供了一种多晶硅刻蚀方法及半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域，为解决采用干法刻蚀去除多晶硅后存在表面粗糙度大的问题而设计。该多晶硅刻蚀方法包括：提供半导体器件，半导体器件包括衬底、形成于衬底上表面的栅极氧化层以及形成于栅极氧化层上...
    2026-03-09
  • 超薄半导体实现方法以及基于超薄半导体的散热方法
    超薄半导体实现方法以及基于超薄半导体的散热方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202511471618.0
    本发明公开了一种超薄半导体实现方法，包括：将完成功能结构制作的半导体基片的器件层朝向载片与其结合，使得半导体基片(J1)的衬底(10)裸露；半导体基片还包括与衬底依次层叠的腐蚀阻挡层和半导体层，半导体层包括缓冲层和器件层；缓冲层用于防止器件...
    2026-03-09
  • 一种台面型半导体器件的制造方法
    一种台面型半导体器件的制造方法_江苏捷捷微电子股份有限公司_202610077185.9
    本发明公开了一种台面型半导体器件的制造方法，所述方法包括：S1、双面刻蚀与台面腐蚀；S2、进行热氧化平滑处理，使得平滑后的槽口角度≥100°；S3、选择去除需要去除的氧化层；S4、进行后续标准工艺；本发明利用热氧化在尖锐角部速率更快的特性，...
    2026-03-09
  • 一种红外激光辅助机械解键合的方法
    一种红外激光辅助机械解键合的方法_深圳市化讯半导体材料有限公司_202511749335.8
    本发明提供一种红外激光辅助机械解键合的方法，该方法包括：采用红外激光对层叠体的边缘周向的全部或局部进行激光解键合，得到边缘分化层叠体；对边缘分化层叠体进行机械解键合，完成晶圆与晶圆衬底的分离；层叠体由所述晶圆和晶圆衬底通过红外效应粘合剂键合...
    2026-03-09
  • 一种清洗设备
    一种清洗设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511688833.6
    本申请提供了一种清洗设备，包括：处理液收集装置，具有清洗空间；排液槽，设置在处理液收集装置上并与处理液收集装置一体成型，且排液槽上开设有排液孔，排液槽和排液孔用于将清洗液体排出清洗空间；排液管道，通过连接组件与处理液收集装置和/或排液槽连接...
    2026-03-09
  • 基于自适应PID算法的半导体清洗设备温度控制系统
    基于自适应PID算法的半导体清洗设备温度控制系统_厦门宇电自动化科技有限公司_202610090871.X
    本发明提供了基于自适应PID算法的半导体清洗设备温度控制系统，涉及半导体器件技术领域，包括：补液执行模块，用于得到补液热扰动修正值；加热功率分析模块，用于得到修正执行指令，若修正执行指令为稳态维持指令，则不予执行修正调整，否则执行修正调整；...
    2026-03-09
  • 一种局部修频装置以及方法
    一种局部修频装置以及方法_北京航天微电科技有限公司_202511440952.X
    本发明提供了一种局部修频装置以及方法。一种局部修频装置，包括：修频机、用于开闭修频机的电子束的挡板以及用于遮挡待修频的产品中的非修频区域的模板，所述挡板能够运动地安装在所述修频机的输出端，所述模板与待修频的产品适配。通过设计用于控制修频电子...
    2026-03-09
首页 上一页 16 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证