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  • 本发明提供一种测试结构及其测试方法,测试结构包括一个或多个测试单元,测试单元包括:基底,基底包括衬底,以及位于衬底上的鳍部;栅极结构,横跨鳍部,栅极结构作为驱动电压输入端;源漏掺杂层,位于鳍部的其中一端的位置处的源漏掺杂层作为第一源漏掺杂层...
  • 本发明公开了一种光伏组件及光伏系统,光伏组件包括电连接在一起的多个电池串,电池串包括交叠的第N个电池片和第N+1个电池片,第N+1个电池片的边缘与第N个电池片的边缘交叠形成交叠区域;第N+1个电池片与第N个电池片的第一表面接触;电池片的第一...
  • 本发明提供了一种测试键、测试结构及测试方法,应用于半导体技术领域。在本发明中,通过把测试键分为m个测试元件组,把每个所述测试元件组中的测试结构中的子栅极线分为n组,再通过m*n条第一互连线引出每个所述测试元件组中的多个所述测试结构中的每个子...
  • 本申请提供了一种铜基复合导电结构及其制备方法。铜基复合导电结构的制备方法包括提供多孔铜基体,并控制等离子体抛光工艺,以使多孔铜基体表面粗糙度Ra≤100nm;形成设于多孔铜基体的石墨烯层,得到预制基体;控制熔渗工艺,注入熔融银液至预制基体,...
  • 本申请提供了一种单晶铜导电结构及其制备方法。单晶铜导电结构的制备方法,包括:提供单晶铜基板;控制第一光刻工艺,形成设于单晶铜基板一侧的第一微结构,第一微结构由多个第一子部间隔组成;控制第二光刻工艺,形成设于第一微结构的第二微结构,第二微结构...
  • 本发明涉及芯片封装技术领域,提供了一种玻璃基板上通孔制作方法,包括:激光改质:采用UV脉冲激光对玻璃基板进行照射,以使所述玻璃基板上所述UV脉冲激光照射光路上的至少部分玻璃发生改质;碱性蚀刻:采用碱对改质后的所述玻璃基板进行蚀刻,以使所述至...
  • 本发明提供了一种芯片载板及其制备方法、芯片封装结构。该芯片载板的制备方法包括:在基板的表面制备重布线层,重布线层包括导电区域和围绕导电区域设置的绝缘区域。在基板的表面制备重布线层的步骤中包括:在位于导电区域中的基板的表面上形成图案层;在位于...
  • 本申请实施例提供一种封装基板加工设备及封装基板,加工设备包括:衔接滚轮组,用于撕除干膜一面的麦拉膜,并将所述干膜输送至封装基板;除静电装置,靠近所述衔接滚轮组,用于去除所述干膜撕除一面的麦拉膜时产生的静电;输送装置,设置于所述衔接滚轮组下游...
  • 本发明提供了一种半导体封装组件包括:基板;设置于该基板上的中介层,其中该中介层具有中心区域和周边区域,该周边区域包括角落区域和非角落区域;第一芯片,设置于该中介层的该中心区域;第二芯片,设置于该第一芯片旁并位于该中介层的该周边区域的该非角落...
  • 本发明提出了一种可湿性侧壁封装基板及其制备方法,涉及半导体技术领域。该可湿性侧壁封装基板,包括依次层叠设置的TOP层、MID1层、MID2层、BOTTOM层、上层芯板、预浸料半固化片和下层芯板。MID1层、MID2层和BOTTOM层上设置有...
  • 本发明公开了芯片封装体及其批量制备方法,其中,芯片封装体的批量制备方法包括:对临时载板的目标侧上的多个预设位置上形成多个导电凸台;在临时载板的目标侧压合介电层,并在介电层上制备多个导通孔以及在介电层远离临时载板的一侧形成引线层;对引线层进行...
  • 本申请提供了一种新型低成本小型化TRSiP封装结构,涉及无线通信设备领域,所述结构包括:上层陶瓷介质板、下层陶瓷介质板、射频电路和金属围框;所述上层陶瓷介质板的上表面设置有第一金属焊盘,所述下层陶瓷介质板的上表面设置有第二金属焊盘;其中,所...
  • 本申请实施例提供一种具有精细化RDL的玻璃基板结构及其加工方法,涉及半导体封装技术领域。所述玻璃基板结构包括玻璃基转接板和玻璃基板。其中,玻璃基转接板和玻璃基板之间通过金属聚合物混合键合。玻璃基转接板的转接板介质层与璃基板的基板介质层,通过...
  • 本发明公开了半导体器件及半导体器件的制造方法,包括:第一基板,第一基板第一区域和第二区域形成有第一键合结构;第一晶粒,包括第一衬底、形成于第一衬底的第一有源器件和第二键合结构,并通过第二键合结构键合至第一区域的第一键合结构;第二晶粒,包括第...
  • 根据本公开的实施例的半导体封装件包括:第一再分布衬底;第一再分布衬底上的半导体芯片和连接支承结构,其中,半导体芯片是逻辑芯片或存储器芯片;以及第一再分布衬底上方的模制膜。连接支承结构与半导体芯片水平地间隔开并且与半导体芯片水平地重叠。连接支...
  • 本发明涉及天线封装及其制造方法。该天线封装包含经图案化天线结构和囊封物。所述经图案化天线结构包含第一表面、与所述第一表面相对的第二表面,以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的第三表面。所述囊封物安置在所述经图案化天线结构的所述第一表面上...
  • 本发明涉及芯片制造技术领域,公开了一种用于垂直结构芯片的板级封装结构,其特征在于,包括:芯板,设有若干个相连的芯片封装单元,每个芯片封装单元内设有基岛和连接焊盘,基岛和连接焊盘的底下分别设置有贯穿所述芯板的第一导通柱和第二导通柱;所述基岛的...
  • 本发明涉及芯片制造技术领域,公开了一种用于平面结构芯片的板级封装结构及其制造方法,包括:芯板,顶面设有若干个芯片封装单元,每个芯片封装单元内设有一个用于贴装封装芯片的芯片固定位;封装芯片,安装于所述芯片固定位上,与所述芯片固定位电连接;第一...
  • 本发明公开了一种GaN基半导体器件及其制备方法,涉及半导体器件封装技术领域,包括壳体和GaN基芯片,所述壳体的顶部设置有第一安装槽,且GaN基芯片安装在第一安装槽内,所述壳体上设置有多个引脚和焊盘。该种GaN基半导体器件及其制备方法,在进行...
  • 本公开涉及带有具有用插入式管芯焊盘填充的中心开口的引线框架的集成电路封装。一种集成电路封装包括引线框架,该引线框架具有界定中心腔体的引线。引线框架的引线具有上表面,该上表面有具有第一表面粗糙度的表面纹理或终饰。插入式管芯焊盘被安置在中心腔体...
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