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最新专利技术
  • 半导体器件以及驱动半导体器件的方法
    半导体器件以及驱动半导体器件的方法_爱思开海力士有限公司_202510303698.2
    本公开涉及包括半导体器件以及驱动半导体器件的方法。根据本公开实施例的一种半导体器件包括铁电存储器结构、控制晶体管和将控制晶体管与铁电存储器结构电连接的控制连接结构。铁电存储器结构包括开关栅极介电层、开关栅电极层以及第一存储电极层、铁电存储层...
    2026-02-18
  • 存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备
    存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202411083454.X
    本申请实施例公开一种存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备，涉及半导体技术领域。存储阵列包括铁电电容器。铁电电容器包括第一电极层、第二电极层、第一铁电层、第一电偶极子插层和电子注入插层。第二电极层与第一电极层相对设置。第一铁电层位于第一电极...
    2026-02-18
  • 基于铁酸铋(BFO)的高温自稳定铁电畴壁存储器及制备方法
    基于铁酸铋(BFO)的高温自稳定铁电畴壁存储器及制备方法_绍芯实验室_202511448278.X
    本申请涉及一种基于贴酸铋(BFO)的高温自稳定铁电畴壁存储器及制备方法，存储器功能层为在[100]方向的0.2°斜切的[001]方向的钛酸锶(STO)衬底上依次沉积5 nm厚STO缓冲层、100 nm厚呈条纹畴结构的BFO薄膜及平面Pt电极...
    2026-02-18
  • 存储芯片及其制备方法、存储器、电子设备
    存储芯片及其制备方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202411066959.5
    本申请提供一种存储芯片及其制备方法、存储器、电子设备，涉及存储领域，通过将板线驱动电路设置在第一芯片以外的第二芯片上，可以实现板线驱动电路与存储阵列在第一衬底上的正投影至少部分重合，从而提高存储器的AE，提高容量密度。该存储芯片包括第一芯片...
    2026-02-18
  • 电路组件
    电路组件_华为技术有限公司_202411096521.1
    本公开提供了一种电路组件，包括：第一半导体元件、第二半导体元件和储能元件；其中，第一半导体元件和第二半导体元件布置成彼此电隔离；其中，第一半导体元件的第一端和第二半导体元件的第一端分别电连接到储能元件的一端。由于两个半导体元件被布置成电隔离...
    2026-02-18
  • 存储器系统封装结构及制造方法
    存储器系统封装结构及制造方法_长江存储科技有限责任公司_202511542594.3
    本公开实施例提供了一种存储器系统封装结构及其制造方法。其中，所述存储器系统封装结构包括：至少一个存储器芯片模制组件、存储器控制器、包封所述存储器芯片模制组件及所述存储器控制器的塑封层、以及再布线层；其中，每个所述存储器芯片模制组件包括堆叠的...
    2026-02-18
  • 一种LED电阻芯片制备方法
    一种LED电阻芯片制备方法_山东浪潮华光光电子股份有限公司_202511480305.1
    本发明涉及一种LED电阻芯片制备方法，属于半导体的技术领域。本发明的LED电阻芯片制备方法在硅片表面进行N型掺杂磷源扩散后进行镀镍处理，经烧结后进行三次光刻操作，并且在三次光刻之间增加电极蒸镀、刻蚀、去胶等操作，最终获得LED电阻芯片。本发...
    2026-02-18
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202511048879.1
    本公开涉及一种半导体器件和用于制造半导体器件的方法。用于制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成模制堆叠，该模制堆叠包括模制层和下支撑体层；在模制堆叠中形成具有下部分和上部分的下电极；通过使模制堆叠的上表面凹陷来使下电极暴露；通过对下电极的...
    2026-02-18
  • 半导体器件以及制造半导体器件的方法
    半导体器件以及制造半导体器件的方法_爱思开海力士有限公司_202511074843.0
    公开了一种能够防止单元之间泄漏电流的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。半导体器件包括：下电极，其形成在衬底之上；以及支撑件，其覆盖下电极的侧面的一部分和上表面，并且包括具有比下电极的材料高的功函数的材料。
    2026-02-18
  • 一种双向稳压二极管芯片的制备方法
    一种双向稳压二极管芯片的制备方法_山东浪潮华光光电子股份有限公司_202511480307.0
    本发明涉及一种双向稳压二极管芯片的制备方法，属于半导体的技术领域。本发明在硅片其中一个面进行单一的N型重掺，然后在硅片另一个面分别进行刻蚀、P型扩散、N型扩散和电极蒸镀等步骤后，制备获得双向稳压二极管芯片。本发明提供的双向稳压二极管芯片制备...
    2026-02-18
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510054921.4
    本发明的半导体装置具备第一电极、主元件区域、第一导电型的第五半导体区域、感测元件区域、第一导电型的第八半导体区域、第一导电型的第九半导体区域、第二电极、第三电极以及第四电极。主元件区域包含第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区...
    2026-02-18
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_瑞萨电子株式会社_202511033030.7
    本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。在半导体衬底的第一主表面上形成具有上部分和下部分的层间绝缘膜。此外，形成穿透层间绝缘膜的接触孔，并且在接触孔中形成接触构件。在横截面视图中，接触孔在第一方向上的宽度在接触孔的上端处比在下端处宽，并...
    2026-02-18
  • 半导体器件、半导体器件的制备方法以及功率模块
    半导体器件、半导体器件的制备方法以及功率模块_浙江旺荣半导体有限公司_202511355464.9
    本申请实施例提供了一种半导体器件、半导体器件的制备方法以及功率模块，属于半导体功率器件技术领域。该半导体器件包括：沿第一方向依次设置的第一金属层、衬底层、外延层、漂移层、第一导电类型体区、掺杂层以及第二金属层；漂移层、第一导电类型体区和掺杂...
    2026-02-18
  • 碳化硅IGBT器件
    碳化硅IGBT器件_中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院_202511526256.0
    本申请提供了一种碳化硅IGBT器件，该器件通过在沟槽栅结构与N型漂移区之间加入渐变掺杂分布的空穴势垒层，该空穴势垒层的掺杂浓度高于N型漂移区的掺杂浓度，这样的层设计既降低了导通电阻，又维持了较高的击穿电压，从而优化了导通与击穿性能的折衷关系...
    2026-02-18
  • 一种具有良好折衷关系的新型RC-IGBT结构
    一种具有良好折衷关系的新型RC-IGBT结构_济南千睿新广网络科技合伙企业(普通合伙)_202511610605.7
    本发明提供一种具有良好折衷关系的新型RC‑IGBT结构，涉及半导体功率器件技术领域，包括，n型调节层形成模块，所述n型调节层通过离子的注入工艺形成，所述离子注入能量为3MeV‑5MeV、注入剂量为2×10¹²‑3×10¹²。载流子寿命控制模...
    2026-02-18
  • IGBT结构及其制备方法、半导体器件
    IGBT结构及其制备方法、半导体器件_芯联集成电路制造股份有限公司_202511628929.3
    本申请公开了一种IGBT结构及其制备方法、半导体器件，IGBT结构包括：基体，基体包括第一导电型的漂移区、多个第二导电型的柱区、多个沟槽栅、多个第二导电型的体区、多个第一导电型的发射区、多个第二导电型的接触区和第二导电型的集电层；层间介质层...
    2026-02-18
  • 绝缘栅双极型晶体管及其制备方法和开关器件
    绝缘栅双极型晶体管及其制备方法和开关器件_广东芯粤能半导体有限公司_202511691732.4
    本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法和开关器件。该晶体管包括：P型衬底；N型缓冲层；N型外延层，缓冲层掺杂浓度高于外延层；N型阱层、P型阱层和N型源极层形成的有源区；贯穿有源区至外延层的第一P型重掺杂结构；若干沟槽，其中位于重掺杂结...
    2026-02-18
  • 一种逆导型绝缘栅双极型晶体管
    一种逆导型绝缘栅双极型晶体管_重庆平伟实业股份有限公司_202511753339.3
    本申请提供一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括：沿第一方向依次设置的集电极结构、漂移区、载流子存储区，以及基区，从基区远离载流子存储区的一侧到漂移区内部形成有空穴注入屏蔽区；基区远离载流子存储区的一面及空穴注入屏蔽区远离漂移区的一面形成目标面...
    2026-02-18
  • 一种弱关断IGBT
    一种弱关断IGBT_南京芯舟科技有限公司_202511758324.6
    本发明公开了一种弱关断IGBT，包括：第一半导体区、源体区、源区、第一导电材料、第一介质层、第二导电材料、第二半导体区、第三导电材料；第一导电材料作为弱关断IGBT的栅极；第二导电材料与源区、源体区相接触，作为弱关断IGBT的发射极；第三导...
    2026-02-18
  • 一种离子敏感场效应晶体管及其制造方法
    一种离子敏感场效应晶体管及其制造方法_湖北九峰山实验室_202511667550.3
    本申请公开了一种离子敏感场效应晶体管及其制造方法，可用于半导体领域，该离子敏感场效应晶体管的栅极为三层结构；栅极包括第一材料层、第二材料层以及柱状阵列结构；第一材料层位于栅极靠近衬底的一侧，第二材料层位于栅极背离衬底的一侧，柱状阵列结构位于...
    2026-02-18
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